MICROCHIP AN2648 ການເລືອກແລະການທົດສອບ 32.768 kHz Crystal Oscillators ສໍາລັບ AVR Microcontrollers

ແນະນຳ

ຜູ້ຂຽນ: Torbjørn Kjørlaug ແລະ Amund Aune, Microchip Technology Inc.
ບັນທຶກຄໍາຮ້ອງສະຫມັກນີ້ຈະສະຫຼຸບພື້ນຖານຂອງຜລຶກ, ການພິຈາລະນາຮູບແບບ PCB, ແລະວິທີການທົດສອບ crystal ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານ. ຄູ່ມືການຄັດເລືອກໄປເຊຍກັນສະແດງໃຫ້ເຫັນໄປເຊຍກັນທີ່ແນະນໍາທີ່ທົດສອບໂດຍຜູ້ຊ່ຽວຊານແລະພົບວ່າເຫມາະສົມກັບໂມດູນ oscillator ຕ່າງໆໃນຄອບຄົວ Microchip AVR®. ການທົດສອບ firmware ແລະບົດລາຍງານການທົດສອບຈາກຜູ້ຂາຍໄປເຊຍກັນຕ່າງໆແມ່ນລວມ.

ຄຸນສົມບັດ

• ພື້ນຖານ Crystal Oscillator
• ການພິຈາລະນາການອອກແບບ PCB
• ການທົດສອບຄວາມທົນທານຂອງ Crystal
• ທົດສອບເຟີມແວລວມ
• ຄູ່ມືແນະນໍາ Crystal

ພື້ນຖານ Crystal Oscillator

ແນະນຳ

oscillator crystal ໃຊ້ resonance ກົນຈັກຂອງອຸປະກອນການ piezoelectric vibrating ເພື່ອສ້າງສັນຍານໂມງທີ່ຫມັ້ນຄົງຫຼາຍ. ຄວາມຖີ່ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສະຫນອງສັນຍານໂມງທີ່ຫມັ້ນຄົງຫຼືຕິດຕາມເວລາ; ດ້ວຍເຫດນີ້, ແກວ່ງໄປເຊຍກັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງຄວາມຖີ່ວິທະຍຸ (RF) ແລະວົງຈອນດິຈິຕອນທີ່ລະອຽດອ່ອນເວລາ.
Crystals ແມ່ນມີຢູ່ໃນຜູ້ຂາຍຕ່າງໆໃນຮູບຮ່າງແລະຂະຫນາດທີ່ແຕກຕ່າງກັນແລະສາມາດແຕກຕ່າງກັນຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການປະຕິບັດແລະສະເພາະ. ຄວາມເຂົ້າໃຈກ່ຽວກັບພາລາມິເຕີແລະວົງຈອນ oscillator ເປັນສິ່ງຈໍາເປັນສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ເຂັ້ມແຂງທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນໄລຍະການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມ, ຄວາມຊຸ່ມຊື່ນ, ການສະຫນອງພະລັງງານ, ແລະຂະບວນການ.
ວັດຖຸທາງດ້ານຮ່າງກາຍທັງຫມົດມີຄວາມຖີ່ຂອງການສັ່ນສະເທືອນທໍາມະຊາດ, ບ່ອນທີ່ຄວາມຖີ່ຂອງການສັ່ນສະເທືອນໄດ້ຖືກກໍານົດໂດຍຮູບຮ່າງ, ຂະຫນາດ, elasticity, ແລະຄວາມໄວຂອງສຽງໃນອຸປະກອນການ. ວັດສະດຸ Piezoelectric ບິດເບືອນໃນເວລາທີ່ພາກສະຫນາມໄຟຟ້າຖືກນໍາໃຊ້ແລະສ້າງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າໃນເວລາທີ່ມັນກັບຄືນສູ່ຮູບຮ່າງເດີມຂອງມັນ. ອຸປະກອນການ piezoelectric ທົ່ວໄປທີ່ສຸດທີ່ໃຊ້
ໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກແມ່ນໄປເຊຍກັນ quartz, ແຕ່ resonators ເຊລາມິກຍັງຖືກນໍາໃຊ້ - ໂດຍທົ່ວໄປໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີລາຄາຖືກຫຼືຫນ້ອຍທີ່ໃຊ້ເວລາທີ່ສໍາຄັນ. ໄປເຊຍກັນ 32.768 kHz ປົກກະຕິແລ້ວຖືກຕັດໃນຮູບຮ່າງຂອງສ້ອມປັບ. ມີໄປເຊຍກັນ quartz, ຄວາມຖີ່ທີ່ຊັດເຈນຫຼາຍສາມາດຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນ.

ຮູບທີ 1-1. ຮູບຮ່າງຂອງ 32.768 kHz Tuning Fork Crystal

Oscillator

ເງື່ອນໄຂສະຖຽນລະພາບຂອງ Barkhausen ແມ່ນສອງເງື່ອນໄຂທີ່ໃຊ້ເພື່ອກໍານົດເວລາທີ່ວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກຈະສັ່ນ. ພວກ​ເຂົາ​ເຈົ້າ​ກ່າວ​ວ່າ​ຖ້າ​ຫາກ​ວ່າ A ແມ່ນ​ໄດ້​ຮັບ​ຂອງ​ ampອົງປະກອບ lifying ໃນວົງຈອນເອເລັກໂຕຣນິກແລະ β(jω) ແມ່ນຫນ້າທີ່ໂອນຂອງເສັ້ນທາງຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນ, oscillations ຄົງທີ່ຈະໄດ້ຮັບການຍືນຍົງພຽງແຕ່ໃນຄວາມຖີ່ສໍາລັບການທີ່:

• ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ loop ແມ່ນເທົ່າກັບຄວາມສາມັກຄີໃນຂະຫນາດຢ່າງແທ້ຈິງ, |βA| = 1
• ການປ່ຽນໄລຍະຮອບວົງເປັນສູນ ຫຼື ຄູນຈຳນວນເຕັມຂອງ 2π, ie, ∠βA = 2πn ສຳລັບ n ∈ 0, 1, 2, 3…

ເງື່ອນໄຂທໍາອິດຈະຮັບປະກັນຄວາມຄົງທີ່ ampສັນຍານ litude. ຕົວເລກທີ່ໜ້ອຍກວ່າ 1 ຈະຫຼຸດສັນຍານ, ແລະຕົວເລກທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ 1 ຈະ ampປັບສັນຍານໃຫ້ເປັນ infinity. ເງື່ອນໄຂທີສອງຈະຮັບປະກັນຄວາມຖີ່ທີ່ຫມັ້ນຄົງ. ສໍາລັບຄ່າການປ່ຽນແປງໄລຍະອື່ນໆ, ຜົນຜະລິດຂອງຄື້ນ sine ຈະຖືກຍົກເລີກເນື່ອງຈາກການທົບທວນຄືນ.

ຮູບທີ 1-2. Feedback Loop

oscillator 32.768 kHz ໃນ Microchip AVR microcontrollers ແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 1-3 ແລະປະກອບດ້ວຍ inverting.
amplifier (ພາຍໃນ) ແລະໄປເຊຍກັນ (ພາຍນອກ). ຕົວເກັບປະຈຸ (CL1 ແລະ CL2) ເປັນຕົວແທນຂອງ capacitance ກາຝາກພາຍໃນ. ບາງອຸປະກອນ AVR ຍັງມີຕົວເກັບປະຈຸບັນຈຸພາຍໃນທີ່ສາມາດເລືອກໄດ້, ເຊິ່ງອາດຈະຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຕົວເກັບປະຈຸຈາກພາຍນອກ, ຂຶ້ນກັບໄປເຊຍກັນທີ່ໃຊ້.
ການປີ້ນ amplifier ໃຫ້ການປ່ຽນໄລຍະ π radian (180 ອົງສາ). ການປ່ຽນແປງໄລຍະ π radian ທີ່ຍັງເຫຼືອແມ່ນສະຫນອງໃຫ້ໂດຍໄປເຊຍກັນແລະການໂຫຼດ capacitive ທີ່ 32.768 kHz, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດການປ່ຽນແປງໄລຍະທັງຫມົດຂອງ 2π radian. ໃນລະຫວ່າງການເລີ່ມຕົ້ນ, ໄດ້ ampຜົນຜະລິດ lifier ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຈົນກ່ວາ oscillation ສະຫມໍ່າສະເຫມີໄດ້ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນດ້ວຍການເພີ່ມ loop ຂອງ 1, ເຮັດໃຫ້ເງື່ອນໄຂຂອງ Barkhausen ສໍາເລັດ. ອັນນີ້ຖືກຄວບຄຸມໂດຍອັດຕະໂນມັດໂດຍວົງຈອນ oscillator ຂອງ AVR microcontroller.

ຮູບທີ 1-3. Pierce Crystal Oscillator Circuit ໃນອຸປະກອນAVR® (ແບບຫຍໍ້)

ຕົວແບບໄຟຟ້າ

ວົງຈອນໄຟຟ້າທຽບເທົ່າຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 1-4. ເຄືອຂ່າຍ RLC ຊຸດແມ່ນເອີ້ນວ່າແຂນ motional ແລະໃຫ້ຄໍາອະທິບາຍທາງໄຟຟ້າຂອງພຶດຕິກໍາກົນຈັກຂອງໄປເຊຍກັນ, ບ່ອນທີ່ C1 ເປັນຕົວແທນຂອງ elasticity ຂອງ quartz, L1 ເປັນຕົວແທນຂອງມະຫາຊົນ vibrating, ແລະ R1 ເປັນຕົວແທນການສູນເສຍເນື່ອງຈາກ d.amping. C0 ເອີ້ນວ່າ shunt ຫຼື static capacitance ແລະເປັນຜົນລວມຂອງ capacitance ກາຝາກໄຟຟ້າເນື່ອງຈາກທີ່ຢູ່ອາໄສໄປເຊຍກັນແລະ electrodes. ຖ້າ ກ
capacitance meter ຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອວັດແທກຄວາມຈຸຂອງໄປເຊຍກັນ, ພຽງແຕ່ C0 ຈະໄດ້ຮັບການວັດແທກ (C1 ຈະບໍ່ມີຜົນກະທົບ).

ຮູບ 1-4. Crystal Oscillator Equivalent Circuit

ໂດຍການນໍາໃຊ້ການຫັນປ່ຽນ Laplace, ສອງຄວາມຖີ່ resonant ສາມາດພົບເຫັນຢູ່ໃນເຄືອຂ່າຍນີ້. ຊຸດ resonant
ຄວາມຖີ່, fs, ແມ່ນຂຶ້ນກັບ C1 ແລະ L1 ເທົ່ານັ້ນ. ຄວາມຖີ່ຂະໜານ ຫຼື ຕ້ານສຽງສະທ້ອນ, fp, ຍັງປະກອບມີ C0. ເບິ່ງຮູບ 1-5 ສໍາລັບ reactance ທຽບກັບລັກສະນະຄວາມຖີ່.

ສົມຜົນ 1-1. Series Resonant Frequency

ສົມຜົນ 1-2. ຄວາມຖີ່ Resonant ຂະຫນານ

ຮູບ 1-5. ຄຸນລັກສະນະຂອງປະຕິກິລິຍາຂອງ Crystal

Crystals ຕ່ໍາກວ່າ 30 MHz ສາມາດປະຕິບັດງານໃນຄວາມຖີ່ໃດໆລະຫວ່າງຊຸດແລະຄວາມຖີ່ resonant ຂະຫນານ, ຊຶ່ງຫມາຍຄວາມວ່າພວກເຂົາເຈົ້າແມ່ນ inductive ໃນການດໍາເນີນງານ. ໄປເຊຍກັນຄວາມຖີ່ສູງຂ້າງເທິງ 30 MHz ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນດໍາເນີນການຢູ່ທີ່ຄວາມຖີ່ resonant ຊຸດຫຼື overtone frequencies, ເຊິ່ງເກີດຂຶ້ນຢູ່ໃນຄູນຂອງຄວາມຖີ່ພື້ນຖານ. ການເພີ່ມການໂຫຼດ capacitive, CL, ກັບໄປເຊຍກັນຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການປ່ຽນແປງໃນຄວາມຖີ່ຂອງສົມຜົນ 1-3. ຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນສາມາດປັບໄດ້ໂດຍການປ່ຽນຄວາມຖີ່ຂອງການໂຫຼດ, ແລະອັນນີ້ເອີ້ນວ່າການດຶງຄວາມຖີ່.

ສົມຜົນ 1-3. Shifted Parallel Resonant Frequency

ຄວາມຕ້ານທານຊຸດທຽບເທົ່າ (ESR)

ຄວາມຕ້ານທານຊຸດທຽບເທົ່າ (ESR) ແມ່ນການເປັນຕົວແທນໄຟຟ້າຂອງການສູນເສຍກົນຈັກຂອງໄປເຊຍກັນ. ໃນຊຸດ
ຄວາມຖີ່ resonant, fs, ມັນເທົ່າກັບ R1 ໃນຮູບແບບໄຟຟ້າ. ESR ເປັນຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນແລະສາມາດພົບໄດ້ໃນເອກະສານຂໍ້ມູນໄປເຊຍກັນ. ESR ປົກກະຕິແລ້ວຈະຂຶ້ນກັບຂະຫນາດທາງດ້ານຮ່າງກາຍຂອງໄປເຊຍກັນ, ບ່ອນທີ່ໄປເຊຍກັນຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ
(ໂດຍສະເພາະ SMD ໄປເຊຍກັນ) ໂດຍປົກກະຕິມີການສູນເສຍແລະຄ່າ ESR ສູງກວ່າໄປເຊຍກັນຂະຫນາດໃຫຍ່.
ຄ່າ ESR ທີ່ສູງຂຶ້ນເຮັດໃຫ້ການໂຫຼດສູງຂຶ້ນໃນການປີ້ນ ampຕົວຊີ້ບອກ. ESR ສູງເກີນໄປອາດເຮັດໃຫ້ການເຮັດວຽກຂອງ oscillator ບໍ່ສະຖຽນ. ຄວາມສາມັກຄີສາມາດ, ໃນກໍລະນີດັ່ງກ່າວ, ບໍ່ສາມາດບັນລຸໄດ້, ແລະເງື່ອນໄຂຂອງ Barkhausen ອາດຈະບໍ່ສໍາເລັດ.

Q-Factor ແລະສະຖຽນລະພາບ

ສະຖຽນລະພາບຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນໃຫ້ໂດຍ Q-factor. Q-factor ແມ່ນອັດຕາສ່ວນລະຫວ່າງພະລັງງານທີ່ເກັບໄວ້ໃນໄປເຊຍກັນແລະຜົນລວມຂອງການສູນເສຍພະລັງງານທັງຫມົດ. ໂດຍປົກກະຕິ, ໄປເຊຍກັນ quartz ມີ Q ຢູ່ໃນລະດັບ 10,000 ຫາ 100,000, ເມື່ອທຽບກັບບາງທີອາດມີ 100 ສໍາລັບ LC oscillator. resonators ເຊລາມິກມີ Q ຕ່ໍາກວ່າໄປເຊຍກັນ quartz ແລະມີຄວາມອ່ອນໄຫວຫຼາຍຕໍ່ການປ່ຽນແປງໃນການໂຫຼດ capacitive.

ສົມຜົນ 1-4. Q-Factorປັດໃຈຈໍານວນຫນຶ່ງສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຖີ່: ຄວາມກົດດັນກົນຈັກ induced ໂດຍ mounting, ຊ໊ອກຫຼື vibration stress, ການປ່ຽນແປງຂອງການສະຫນອງພະລັງງານ, impedance ໂຫຼດ, ອຸນຫະພູມ, ພາກສະຫນາມແມ່ເຫຼັກແລະໄຟຟ້າ, ແລະ aging crystal. ຜູ້ຂາຍ Crystal ປົກກະຕິແລ້ວລາຍຊື່ຕົວກໍານົດການດັ່ງກ່າວຢູ່ໃນແຜ່ນຂໍ້ມູນຂອງພວກເຂົາ.

ເວລາເລີ່ມຕົ້ນ

ໃນລະຫວ່າງການເລີ່ມຕົ້ນ, inverting ampມີຊີວິດຊີວາ ampປັບປຸງສິ່ງລົບກວນ. ໄປເຊຍກັນຈະທໍາຫນ້າທີ່ເປັນຕົວກອງ bandpass ແລະອາຫານກັບຄືນໄປບ່ອນພຽງແຕ່ອົງປະກອບຄວາມຖີ່ resonance ໄປເຊຍກັນ, ຊຶ່ງເປັນຫຼັງຈາກນັ້ນ ampຢືນຢັນ. ກ່ອນ​ທີ່​ຈະ​ບັນ​ລຸ​ການ oscillation ສະ​ຫມໍ່າ​ສະ​ເຫມີ​, ການ​ເພີ່ມ loop ຂອງ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ / inverting​ amplifier loop ແມ່ນໃຫຍ່ກວ່າ 1 ແລະສັນຍານ amplitude ຈະເພີ່ມຂຶ້ນ. ຢູ່ທີ່ການສັ່ນສະເທືອນສະຫມໍ່າສະເຫມີ, ການເພີ່ມ loop ຈະປະຕິບັດຕາມເງື່ອນໄຂຂອງ Barkhausen ດ້ວຍການເພີ່ມ loop ຂອງ 1, ແລະຄົງທີ່. ampຄວາມກວ້າງ.
ປັດໃຈທີ່ສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ເວລາເລີ່ມຕົ້ນ:

• ໄປເຊຍກັນ ESR ສູງຈະເລີ່ມຊ້າກວ່າໄປເຊຍກັນ ESR ຕໍ່າ
• ໄປເຊຍກັນ Q-factor ສູງຈະເລີ່ມຊ້າກວ່າໄປເຊຍກັນ Q-factor ຕໍ່າ
• ຄວາມສາມາດໃນການໂຫຼດສູງຈະເພີ່ມເວລາເລີ່ມຕົ້ນ
• Oscillator ampຄວາມສາມາດຂອງ lifier drive (ເບິ່ງລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບການອະນຸຍາດ oscillator ໃນພາກ 3.2, ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານທາງລົບແລະປັດໄຈຄວາມປອດໄພ)

ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນຈະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ເວລາເລີ່ມຕົ້ນ (ໄປເຊຍກັນໄວຈະເລີ່ມໄວຂຶ້ນ), ແຕ່ພາລາມິເຕີນີ້ຖືກແກ້ໄຂສໍາລັບໄປເຊຍກັນ 32.768 kHz.

ຮູບທີ 1-6. ການເລີ່ມຕົ້ນຂອງ Crystal Oscillator

ຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ

ໄປເຊຍກັນຂອງສ້ອມປັບແບບປົກກະຕິແມ່ນຖືກຕັດໃຫ້ສູນກາງຄວາມຖີ່ຂອງນາມສະກຸນຢູ່ທີ່ 25°C. ສູງກວ່າ ແລະຕ່ຳກວ່າ 25°C, ຄວາມຖີ່ຈະຫຼຸດລົງດ້ວຍລັກສະນະ parabolic, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 1-7. ການປ່ຽນແປງຄວາມຖີ່ແມ່ນໃຫ້ໂດຍ
ສົມຜົນ 1-5, ບ່ອນທີ່ f0 ແມ່ນຄວາມຖີ່ເປົ້າຫມາຍທີ່ T0 (ປົກກະຕິ 32.768 kHz ທີ່ 25 ° C) ແລະ B ແມ່ນຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມທີ່ໃຫ້ໂດຍແຜ່ນຂໍ້ມູນໄປເຊຍກັນ (ໂດຍປົກກະຕິເປັນຕົວເລກລົບ).

ສົມຜົນ 1-5. ຜົນກະທົບຂອງການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມ

ຮູບທີ 1-7. ອຸນຫະພູມປົກກະຕິທຽບກັບລັກສະນະຄວາມຖີ່ຂອງກ້ອນຫີນ

ແຮງຂັບ

ຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງວົງຈອນຂັບໄປເຊຍກັນກໍານົດຄຸນລັກສະນະຂອງຜົນຜະລິດຄື້ນ sine ຂອງ oscillator ໄປເຊຍກັນ. ຄື້ນ sine ແມ່ນ​ການ​ປ້ອນ​ຂໍ້​ມູນ​ໂດຍ​ກົງ​ເຂົ້າ​ໄປ​ໃນ​ເຂັມ​ໂມງ​ດິ​ຈິ​ຕອນ​ຂອງ microcontroller ໄດ້​. ຄື້ນ sine ນີ້ ຕ້ອງ ໄດ້ ຢ່າງ ງ່າຍ ດາຍ ຂະ ຫຍາຍ ການ ປ້ອນ ຕໍາ ່ ສຸດ ທີ່ ແລະ ສູງ ສຸດ voltage ລະດັບຂອງ pin ປ້ອນຂໍ້ມູນຂອງຜູ້ຂັບຂີ່ໄປເຊຍກັນ ໃນຂະນະທີ່ບໍ່ໄດ້ຖືກຕັດ, ແປ ຫຼືບິດເບືອນຢູ່ໃນຈຸດສູງສຸດ. ຄື້ນຊີນຕໍ່າເກີນໄປ amplitude ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າການໂຫຼດຂອງວົງຈອນໄປເຊຍກັນແມ່ນຫນັກເກີນໄປສໍາລັບຄົນຂັບ, ນໍາໄປສູ່ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງ oscillation ທີ່ເປັນໄປໄດ້ຫຼືຄວາມຖີ່ຂອງການປ້ອນຂໍ້ມູນຜິດພາດ. ສູງ​ເກີນ​ໄປ amplitude ຫມາຍຄວາມວ່າການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ loop ແມ່ນສູງເກີນໄປແລະອາດຈະນໍາໄປສູ່ການກະໂດດໄປເຊຍກັນໃນລະດັບທີ່ສູງຂຶ້ນຫຼືຄວາມເສຍຫາຍຖາວອນກັບໄປເຊຍກັນ.
ກໍານົດຄຸນລັກສະນະຜົນຜະລິດຂອງຜລຶກໂດຍການວິເຄາະ XTAL1 / TOSC1 pin voltage. ຈົ່ງຮູ້ວ່າ probe ທີ່ເຊື່ອມຕໍ່ກັບ XTAL1/TOSC1 ນໍາໄປສູ່ການເພີ່ມຄວາມອາດສາມາດຂອງແມ່ກາຝາກ, ເຊິ່ງຕ້ອງໄດ້ຮັບການຄິດໄລ່.
ການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ loop ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບທາງລົບໂດຍອຸນຫະພູມແລະໃນທາງບວກໂດຍ voltage (VDD). ນັ້ນຫມາຍຄວາມວ່າຄຸນລັກສະນະຂອງໄດຕ້ອງຖືກວັດແທກຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມສູງສຸດແລະ VDD ຕ່ໍາສຸດ, ແລະອຸນຫະພູມຕ່ໍາສຸດແລະ VDD ສູງສຸດທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຖືກກໍານົດໃຫ້ດໍາເນີນການ.
ເລືອກຜລຶກທີ່ມີ ESR ຕ່ໍາຫຼືການໂຫຼດ capacitive ຖ້າ loop ເພີ່ມຕ່ໍາເກີນໄປ. ຖ້າຫາກວ່າການເພີ່ມ loop ແມ່ນສູງເກີນໄປ, ເປັນ resistor ຊຸດ, RS, ອາດຈະຖືກເພີ່ມເຂົ້າໄປໃນວົງຈອນເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນສັນຍານຜົນຜະລິດໄດ້. ຮູບຂ້າງລຸ່ມນີ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນ example ຂອງວົງຈອນຂັບໄປເຊຍກັນແບບງ່າຍດາຍທີ່ມີຕົວຕ້ານທານຊຸດເພີ່ມ (RS) ທີ່ຜົນຜະລິດຂອງ PIN XTAL2/TOSC2.

ຮູບທີ 1-8. Crystal Driver ທີ່ມີຊຸດ Resistor ເພີ່ມ

ແຜນຜັງ PCB ແລະການພິຈາລະນາການອອກແບບ

ເຖິງແມ່ນວ່າວົງຈອນ oscillator ປະຕິບັດທີ່ດີທີ່ສຸດແລະໄປເຊຍກັນຄຸນນະພາບສູງຈະບໍ່ປະຕິບັດໄດ້ດີຖ້າຫາກວ່າບໍ່ໄດ້ພິຈາລະນາຢ່າງລະອຽດກ່ຽວກັບຮູບແບບແລະວັດສະດຸທີ່ໃຊ້ໃນລະຫວ່າງການປະກອບ. ພະລັງງານຕ່ໍາສຸດ 32.768 kHz oscillators ໂດຍທົ່ວໄປ dissipate ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕ່ໍາກວ່າ 1 μW, ດັ່ງນັ້ນກະແສໄຟຟ້າໃນວົງຈອນແມ່ນຫນ້ອຍທີ່ສຸດ. ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນຂຶ້ນກັບການໂຫຼດ capacitive ສູງ.
ເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມແຂງແຮງຂອງ oscillator, ຄໍາແນະນໍາເຫຼົ່ານີ້ແມ່ນແນະນໍາໃນລະຫວ່າງການຈັດວາງ PCB:

• ສາຍສັນຍານຈາກ XTAL1/TOSC1 ແລະ XTAL2/TOSC2 ໄປຫາໄປເຊຍກັນຕ້ອງສັ້ນທີ່ສຸດເທົ່າທີ່ຈະເປັນໄປໄດ້ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຈຸຂອງແມ່ກາຝາກ ແລະ ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານສຽງລົບກວນ ແລະ crosstalk. ຢ່າໃຊ້ເຕົ້າສຽບ.
• ປ້ອງ​ກັນ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ​ແລະ​ສາຍ​ສັນ​ຍານ​ໂດຍ​ການ​ອ້ອມ​ຮອບ​ມັນ​ດ້ວຍ​ຍົນ​ພື້ນ​ດິນ​ແລະ​ວົງ​ກອງ​
• ຫ້າມ​ນຳ​ທາງ​ສາຍ​ດິ​ຈິ​ຕອນ, ໂດຍ​ສະ​ເພາະ​ແມ່ນ​ສາຍ​ໂມງ, ໃກ້​ກັບ​ສາຍ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ. ສໍາລັບກະດານ PCB ຫຼາຍຊັ້ນ, ຫຼີກເວັ້ນການສົ່ງສັນຍານທາງລຸ່ມຂອງສາຍໄປເຊຍກັນ.
• ໃຊ້ PCB ທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງແລະວັດສະດຸ soldering
• ຂີ້ຝຸ່ນແລະຄວາມຊຸ່ມຊື່ນຈະຊ່ວຍເພີ່ມຄວາມຈຸຂອງແມ່ກາຝາກແລະຫຼຸດຜ່ອນການໂດດດ່ຽວຂອງສັນຍານ, ສະນັ້ນການເຄືອບປ້ອງກັນແມ່ນແນະນໍາໃຫ້.

ການທົດສອບຄວາມທົນທານຂອງ Crystal Oscillation

ແນະນຳ

AVR microcontroller ຂອງ 32.768 kHz crystal oscillator ໄດເວີຖືກປັບປຸງໃຫ້ເຫມາະສົມສໍາລັບການໃຊ້ພະລັງງານຕ່ໍາ, ແລະດັ່ງນັ້ນ.
ຄວາມ​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ຂອງ​ຄົນ​ຂັບ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ​ແມ່ນ​ຈໍາ​ກັດ​. overloading the crystal driver ອາດຈະເຮັດໃຫ້ oscillator ບໍ່ເລີ່ມຕົ້ນ, ຫຼືມັນອາດຈະ
ໄດ້ຮັບຜົນກະທົບ (ຢຸດຊົ່ວຄາວ, ຕົວຢ່າງເຊັ່ນample) ເນື່ອງຈາກສຽງລົບກວນຫຼືການໂຫຼດ capacitive ເພີ່ມຂຶ້ນທີ່ເກີດຈາກການປົນເປື້ອນຫຼືຄວາມໃກ້ຊິດຂອງມື.
ລະມັດລະວັງໃນເວລາທີ່ເລືອກແລະການທົດສອບໄປເຊຍກັນເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ເຫມາະສົມໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານ. ສອງຕົວກໍານົດການທີ່ສໍາຄັນທີ່ສຸດຂອງ crystal ແມ່ນ Equivalent Series Resistance (ESR) ແລະ Load Capacitance (CL).
ເມື່ອວັດແທກໄປເຊຍກັນ, ໄປເຊຍກັນຕ້ອງຖືກວາງໄວ້ໃຫ້ໃກ້ທີ່ສຸດເທົ່າທີ່ເປັນໄປໄດ້ກັບ pins oscillator 32.768 kHz ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຈຸຂອງແມ່ກາຝາກ. ໂດຍທົ່ວໄປ, ພວກເຮົາສະເຫມີແນະນໍາໃຫ້ເຮັດການວັດແທກໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສຸດທ້າຍຂອງທ່ານ. ເຄື່ອງຕົ້ນແບບ PCB ແບບກຳນົດເອງທີ່ບັນຈຸມີ microcontroller ແລະວົງຈອນໄປເຊຍກັນຢ່າງໜ້ອຍອາດຈະໃຫ້ຜົນການທົດສອບທີ່ຖືກຕ້ອງ. ສໍາ​ລັບ​ການ​ທົດ​ສອບ​ເບື້ອງ​ຕົ້ນ​ຂອງ​ໄປ​ເຊຍ​ກັນ​, ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ການ​ພັດ​ທະ​ນາ​ຫຼື​ຊຸດ​ເລີ່ມ​ຕົ້ນ (ເຊັ່ນ​, STK600​) ອາດ​ຈະ​ພຽງ​ພໍ​.
ພວກເຮົາບໍ່ແນະນໍາໃຫ້ເຊື່ອມຕໍ່ໄປເຊຍກັນກັບຫົວຜົນຜະລິດ XTAL / TOSC ໃນຕອນທ້າຍຂອງ STK600, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 3-1, ເພາະວ່າເສັ້ນທາງສັນຍານຈະມີຄວາມອ່ອນໄຫວຫຼາຍຕໍ່ສິ່ງລົບກວນແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເພີ່ມການໂຫຼດ capacitive ພິເສດ. ການ soldering ໄປເຊຍກັນໂດຍກົງກັບຜູ້ນໍາ, ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຈະໃຫ້ຜົນໄດ້ຮັບທີ່ດີ. ເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການໂຫຼດ capacitive ພິເສດຈາກເຕົ້າຮັບແລະເສັ້ນທາງໃນ STK600, ພວກເຮົາແນະນໍາໃຫ້ງໍ XTAL / TOSC ນໍາພາຂຶ້ນ, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 3-2 ແລະຮູບ 3-3, ດັ່ງນັ້ນເຂົາເຈົ້າບໍ່ໄດ້ແຕະເຕົ້າຮັບ. Crystals ທີ່ມີສາຍນໍາ (ຂຸມ) ແມ່ນງ່າຍຕໍ່ການຈັບ, ແຕ່ມັນຍັງສາມາດ solder SMD ໂດຍກົງກັບ XTAL / TOSC ນໍາໂດຍການນໍາໃຊ້ການຂະຫຍາຍ pin, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 3-4. Soldering ໄປເຊຍກັນກັບຊຸດທີ່ມີ pin pitch ແຄບແມ່ນເປັນໄປໄດ້, ດັ່ງທີ່ສະແດງຢູ່ໃນຮູບ 3-5, ແຕ່ເປັນເລັກນ້ອຍ trickier ແລະຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີມືສະຫມໍ່າສະເຫມີ.

ຮູບ 3-1. ການຕິດຕັ້ງການທົດສອບ STK600

ເນື່ອງຈາກການໂຫຼດ capacitive ຈະມີຜົນກະທົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕໍ່ oscillator, ທ່ານບໍ່ຄວນ probe ໄປເຊຍກັນໂດຍກົງເວັ້ນເສຍແຕ່ວ່າທ່ານມີອຸປະກອນຄຸນນະພາບສູງຈຸດປະສົງສໍາລັບການວັດແທກໄປເຊຍກັນ. ມາດຕະຖານ 10X oscilloscope probes ກໍານົດການໂຫຼດຂອງ 10-15 pF ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງມີຜົນກະທົບສູງຕໍ່ການວັດແທກ. ການສໍາຜັດກັບ pins ຂອງໄປເຊຍກັນດ້ວຍນິ້ວມືຫຼື probe 10X ສາມາດພຽງພໍທີ່ຈະເລີ່ມຕົ້ນຫຼືຢຸດ oscillations ຫຼືໃຫ້ຜົນໄດ້ຮັບທີ່ບໍ່ຖືກຕ້ອງ. ເຟີມແວສຳລັບການສົ່ງສັນຍານໂມງອອກເປັນ PIN I/O ມາດຕະຖານແມ່ນສະໜອງໃຫ້ພ້ອມກັບບັນທຶກແອັບພລິເຄຊັນນີ້. ບໍ່ເຫມືອນກັບ pins ປ້ອນ XTAL/TOSC, pins I/O ທີ່ຖືກຕັ້ງຄ່າເປັນ buffered outputs ສາມາດຖືກກວດສອບດ້ວຍມາດຕະຖານ 10X oscilloscope probes ໂດຍບໍ່ມີຜົນກະທົບຕໍ່ການວັດແທກ. ລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມສາມາດພົບໄດ້ໃນພາກທີ 4, Test Firmware.

ຮູບ 3-2. Crystal Soldered ໂດຍກົງກັບໂຄ້ງ XTAL / TOSC ນໍາ

ຮູບທີ 3-3. Crystal Soldered ໃນ STK600 Socket

ຮູບ 3-4. SMD Crystal Soldered ໂດຍກົງກັບ MCU ໂດຍໃຊ້ Pin Extensions

ຮູບ 3-5. Crystal Soldered ກັບ 100-Pin TQFP Package ກັບ Pitch ແຄບ

ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານທາງລົບແລະປັດໄຈຄວາມປອດໄພ

ການທົດສອບຄວາມຕ້ານທານທາງລົບຊອກຫາຂອບລະຫວ່າງຜລຶກ ampການໂຫຼດ lifier ທີ່ໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານແລະການໂຫຼດສູງສຸດ. ໃນການໂຫຼດສູງສຸດ, ໄດ້ amplifier ຈະ choke, ແລະ oscillations ຈະຢຸດເຊົາ. ຈຸດນີ້ເອີ້ນວ່າການອະນຸຍາດ oscillator (OA). ຊອກຫາການອະນຸຍາດ oscillator ໂດຍການເພີ່ມຕົວຕ້ານທານຊຸດການປ່ຽນແປງຊົ່ວຄາວລະຫວ່າງ ampຜົນຜະລິດ lifier (XTAL2/TOSC2) ນໍາແລະໄປເຊຍກັນ, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 3-6. ເພີ່ມຄວາມຕ້ານທານຊຸດຈົນກ່ວາໄປເຊຍກັນຢຸດ oscillating. ຫຼັງຈາກນັ້ນ, ການອະນຸຍາດ oscillator ຈະເປັນຜົນລວມຂອງຄວາມຕ້ານທານຊຸດນີ້, RMAX, ແລະ ESR. ແນະນຳໃຫ້ໃຊ້ potentiometer ທີ່ມີລະດັບຢ່າງໜ້ອຍ ESR < RPOT < 5 ESR.
ການຊອກຫາຄ່າ RMAX ທີ່ຖືກຕ້ອງສາມາດເປັນເລື່ອງຍາກເລັກນ້ອຍເພາະວ່າບໍ່ມີຈຸດອະນຸຍາດ oscillator ທີ່ແນ່ນອນຢູ່. ກ່ອນທີ່ oscillator ຢຸດ, ທ່ານອາດຈະສັງເກດເຫັນການຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ເທື່ອລະກ້າວ, ແລະອາດຈະມີ hysteresis ເລີ່ມຕົ້ນ. ຫຼັງຈາກ oscillator ຢຸດເຊົາ, ທ່ານຈະຕ້ອງຫຼຸດລົງຄ່າ RMAX 10-50 kΩ ກ່ອນທີ່ຈະ oscillations ສືບຕໍ່. ຕ້ອງດໍາເນີນການຮອບວຽນພະລັງງານໃນແຕ່ລະຄັ້ງຫຼັງຈາກຕົວຕ້ານທານຕົວປ່ຽນແປງເພີ່ມຂຶ້ນ. ຫຼັງຈາກນັ້ນ RMAX ຈະເປັນຄ່າຕົວຕ້ານທານທີ່ oscillator ບໍ່ເລີ່ມຕົ້ນຫຼັງຈາກວົງຈອນພະລັງງານ. ໃຫ້ສັງເກດວ່າເວລາເລີ່ມຕົ້ນຈະຂ້ອນຂ້າງຍາວຢູ່ໃນຈຸດອະນຸຍາດ oscillator, ສະນັ້ນຈົ່ງອົດທົນ.
ສົມຜົນ 3-1. Oscillator Allowance
OA = RMAX + ESR

ຮູບ 3-6. ການວັດແທກ Oscillator Allowance/RMAX

ການນໍາໃຊ້ potentiometer ຄຸນນະພາບສູງທີ່ມີ capacitance ກາຝາກຕ່ໍາແມ່ນແນະນໍາ (ເຊັ່ນ: potentiometer SMD ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບ RF) ເພື່ອໃຫ້ຜົນໄດ້ຮັບທີ່ຖືກຕ້ອງທີ່ສຸດ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຖ້າທ່ານສາມາດບັນລຸການອະນຸຍາດ oscillator ທີ່ດີ / RMAX ດ້ວຍ potentiometer ລາຄາຖືກ, ທ່ານຈະປອດໄພ.
ເມື່ອຊອກຫາຄວາມຕ້ານທານຊຸດສູງສຸດ, ທ່ານສາມາດຊອກຫາປັດໃຈຄວາມປອດໄພຈາກສົມຜົນ 3-2. ຜູ້ຂາຍ MCU ແລະ crystal ຕ່າງໆປະຕິບັດງານດ້ວຍຄໍາແນະນໍາດ້ານຄວາມປອດໄພທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ປັດໄຈຄວາມປອດໄພເພີ່ມຂອບສໍາລັບຜົນກະທົບທາງລົບໃດໆຂອງຕົວແປຕ່າງໆເຊັ່ນ oscillator amplifier ໄດ້ຮັບ, ການປ່ຽນແປງອັນເນື່ອງມາຈາກການສະຫນອງພະລັງງານແລະການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມ, ການປ່ຽນແປງຂະບວນການ, ແລະການໂຫຼດ capacitance. oscillator 32.768 kHz amplifier ໃນ AVR microcontrollers ແມ່ນອຸນຫະພູມແລະພະລັງງານຊົດເຊີຍ. ດັ່ງນັ້ນໂດຍການມີຕົວແປເຫຼົ່ານີ້ຄົງທີ່ຫຼາຍຫຼືຫນ້ອຍ, ພວກເຮົາສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບປັດໃຈຄວາມປອດໄພເມື່ອທຽບກັບຜູ້ຜະລິດ MCU / IC ອື່ນໆ. ຄໍາແນະນໍາດ້ານຄວາມປອດໄພແມ່ນລະບຸໄວ້ໃນຕາຕະລາງ 3-1.

ສົມຜົນ 3-2. ປັດໄຈຄວາມປອດໄພ

ຮູບ 3-7. ຊຸດ Potentiometer ລະຫວ່າງ XTAL2/TOSC2 Pin ແລະ Crystal

ຮູບ 3-8. ການທົດສອບການອະນຸຍາດໃນ socket

ຕາຕະລາງ 3-1. ຄຳແນະນຳດ້ານຄວາມປອດໄພ

ປັດໃຈດ້ານຄວາມປອດໄພ	ຄໍາແນະນໍາ
>5	ເລີດ
4	ດີຫຼາຍ
3	ດີ
<3	ບໍ່ແນະນໍາ

ການວັດແທກຄວາມອາດສາມາດການໂຫຼດທີ່ມີປະສິດທິພາບ

ຄວາມຖີ່ຂອງໄປເຊຍກັນແມ່ນຂຶ້ນກັບການໂຫຼດ capacitive, ດັ່ງທີ່ສະແດງໂດຍສົມຜົນ 1-2. ການໃຊ້ການໂຫຼດ capacitive ທີ່ລະບຸໄວ້ໃນແຜ່ນຂໍ້ມູນໄປເຊຍກັນຈະສະຫນອງຄວາມຖີ່ທີ່ໃກ້ຊິດກັບຄວາມຖີ່ຂອງນາມຂອງ 32.768 kHz. ຖ້າການໂຫຼດ capacitive ອື່ນໆຖືກນໍາໃຊ້, ຄວາມຖີ່ຈະປ່ຽນແປງ. ຄວາມຖີ່ຈະເພີ່ມຂຶ້ນຖ້າການໂຫຼດ capacitive ຫຼຸດລົງແລະຈະຫຼຸດລົງຖ້າການໂຫຼດເພີ່ມຂຶ້ນ, ດັ່ງທີ່ສະແດງໃນຮູບ 3-9.
ຄວາມສາມາດໃນການດຶງຄວາມຖີ່ຫຼືແບນວິດ, ນັ້ນແມ່ນ, ຄວາມຖີ່ຂອງ resonant ສາມາດຖືກບັງຄັບໃຫ້ໄກຈາກຄວາມຖີ່ຂອງ resonant ເທົ່າໃດ, ແມ່ນຂຶ້ນກັບ Q-factor ຂອງ resonator. ແບນວິດແມ່ນມອບໃຫ້ໂດຍຄວາມຖີ່ຂອງນາມທີ່ແບ່ງອອກດ້ວຍ Q-factor, ແລະສໍາລັບຜລຶກ quartz ສູງ-Q, ແບນວິດທີ່ໃຊ້ໄດ້ແມ່ນຈໍາກັດ. ຖ້າຄວາມຖີ່ຂອງການວັດແທກ deviates ຈາກຄວາມຖີ່ນາມ, oscillator ຈະເຂັ້ມແຂງຫນ້ອຍ. ນີ້ແມ່ນເນື່ອງມາຈາກການຫຼຸດຫນ້ອຍລົງທີ່ສູງຂຶ້ນໃນວົງການຄໍາຄຶດຄໍາເຫັນ β(jω) ທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ການໂຫຼດສູງຂຶ້ນ. amplifier A ເພື່ອບັນລຸຄວາມສາມັກຄີ (ເບິ່ງຮູບ 1-2).
ສົມຜົນ 3-3. ແບນວິດ

ວິທີທີ່ດີຂອງການວັດແທກຄວາມຖີ່ຂອງການໂຫຼດທີ່ມີປະສິດທິພາບ (ຜົນລວມຂອງຄວາມອາດສາມາດໂຫຼດແລະ capacitance parasitic) ແມ່ນການວັດແທກຄວາມຖີ່ຂອງ oscillator ແລະປຽບທຽບກັບຄວາມຖີ່ຂອງນາມຂອງ 32.768 kHz. ຖ້າຄວາມຖີ່ຂອງການວັດແທກຢູ່ໃກ້ກັບ 32.768 kHz, ຄວາມຈຸຂອງການໂຫຼດທີ່ມີປະສິດທິພາບຈະຢູ່ໃກ້ກັບຂໍ້ກໍານົດ. ເຮັດແນວນີ້ໂດຍການໃຊ້ເຟີມແວທີ່ໃຫ້ມາກັບບັນທຶກຂອງແອັບພລິເຄຊັນນີ້ ແລະເຄື່ອງວັດແທກຂອບເຂດມາດຕະຖານ 10X ຢູ່ໃນການສົ່ງສັນຍານໂມງໃນ I/O pin, ຫຼື, ຖ້າມີ, ການວັດແທກຜລຶກໂດຍກົງດ້ວຍເຄື່ອງວັດແທກຄວາມດັນສູງທີ່ມີຈຸດປະສົງສຳລັບການວັດແທກຜລິດ. ເບິ່ງພາກທີ 4, Test Firmware, ສໍາລັບລາຍລະອຽດເພີ່ມເຕີມ.

ຮູບທີ 3-9. ຄວາມຖີ່ທຽບກັບຄວາມຈຸຂອງການໂຫຼດ

ສົມຜົນ 3-4 ໃຫ້ຄວາມຈຸຂອງການໂຫຼດທັງໝົດໂດຍບໍ່ມີຕົວເກັບປະຈຸພາຍນອກ. ໃນກໍລະນີຫຼາຍທີ່ສຸດ, ຕົວເກັບປະຈຸພາຍນອກ (CEL1 ແລະ CEL2) ຕ້ອງໄດ້ຮັບການເພີ່ມເພື່ອໃຫ້ກົງກັບການໂຫຼດ capacitive ທີ່ລະບຸໄວ້ໃນເອກະສານຂໍ້ມູນຂອງໄປເຊຍກັນ. ຖ້າໃຊ້ capacitors ພາຍນອກ, ສົມຜົນ 3-5 ເຮັດໃຫ້ການໂຫຼດ capacitive ທັງຫມົດ.

ສົມຜົນ 3-4. ໂຫຼດ Capacitive ທັງໝົດໂດຍບໍ່ມີຕົວເກັບປະຈຸພາຍນອກ
ສົມຜົນ 3-5. ການໂຫຼດ Capacitive ທັງໝົດກັບຕົວເກັບປະຈຸພາຍນອກ

ຮູບ 3-10. Crystal Circuit ທີ່ມີຕົວເກັບປະຈຸພາຍໃນ, ກາຝາກ, ແລະພາຍນອກ

ທົດສອບເຟີມແວ

ເຟີມແວທົດສອບສຳລັບການສົ່ງສັນຍານໂມງອອກໄປຫາຜອດ I/O ທີ່ອາດຈະຖືກໂຫຼດດ້ວຍເຄື່ອງກວດ 10X ມາດຕະຖານແມ່ນລວມຢູ່ໃນ .zip file ແຈກຢາຍດ້ວຍບັນທຶກຄໍາຮ້ອງສະຫມັກນີ້. ຢ່າວັດແທກ electrodes ໄປເຊຍກັນໂດຍກົງຖ້າທ່ານບໍ່ມີ probes impedance ສູງຫຼາຍທີ່ມີຈຸດປະສົງສໍາລັບການວັດແທກດັ່ງກ່າວ.
ລວບລວມລະຫັດແຫຼ່ງແລະໂຄງການ .hex file ເຂົ້າໄປໃນອຸປະກອນ.
ນຳໃຊ້ VCC ພາຍໃນຂອບເຂດການເຮັດວຽກທີ່ລະບຸໄວ້ໃນແຜ່ນຂໍ້ມູນ, ເຊື່ອມຕໍ່ຄຣິສຕະຈັກລະຫວ່າງ XTAL1/TOSC1 ແລະ XTAL2/TOSC2, ແລະວັດແທກສັນຍານໂມງໃສ່ຂາອອກ.
pin ຜົນຜະລິດແມ່ນແຕກຕ່າງກັນໃນອຸປະກອນທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. pins ທີ່ຖືກຕ້ອງແມ່ນລະບຸໄວ້ຂ້າງລຸ່ມນີ້.

• ATmega128: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PB4, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນຖືກແບ່ງອອກດ້ວຍ 2. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 16.384 kHz.
• ATmega328P: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PD6, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນຖືກແບ່ງອອກດ້ວຍ 2. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 16.384 kHz.
• ATtiny817: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PB5, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນບໍ່ໄດ້ແບ່ງອອກ. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 32.768 kHz.
• ATtiny85: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PB1, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນຖືກແບ່ງອອກດ້ວຍ 2. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 16.384 kHz.
• ATxmega128A1: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PC7, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນບໍ່ໄດ້ແບ່ງອອກ. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 32.768 kHz.
• ATxmega256A3B: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ PC7, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນບໍ່ໄດ້ແບ່ງອອກ. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 32.768 kHz.
• PIC18F25Q10: ສັນຍານໂມງອອກເປັນ RA6, ແລະຄວາມຖີ່ຂອງມັນຖືກແບ່ງອອກດ້ວຍ 4. ຄວາມຖີ່ຂອງຜົນຜະລິດທີ່ຄາດໄວ້ແມ່ນ 8.192 kHz.

ສຳຄັນ:  PIC18F25Q10 ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ເປັນຕົວແທນຂອງອຸປະກອນຊຸດ AVR Dx ເມື່ອທົດສອບໄປເຊຍກັນ. ມັນໃຊ້ໂມດູນ oscillator OSC_LP_v10, ເຊິ່ງຄືກັນກັບທີ່ໃຊ້ໂດຍຊຸດ AVR Dx.

ຄໍາແນະນໍາ Crystal

ຕາຕະລາງ 5-2 ສະແດງໃຫ້ເຫັນການຄັດເລືອກຂອງໄປເຊຍກັນທີ່ໄດ້ຮັບການທົດສອບແລະພົບວ່າເຫມາະສົມສໍາລັບ microcontrollers AVR ຕ່າງໆ.

ສຳຄັນ:  ເນື່ອງຈາກ microcontrollers ຈໍານວນຫຼາຍແບ່ງປັນໂມດູນ oscillator, ພຽງແຕ່ການຄັດເລືອກຜະລິດຕະພັນ microcontroller ຕົວແທນໄດ້ຖືກທົດສອບໂດຍຜູ້ຂາຍໄປເຊຍກັນ. ເບິ່ງ files ແຈກຢາຍກັບບັນທຶກຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເພື່ອເບິ່ງບົດລາຍງານການທົດສອບໄປເຊຍກັນຕົ້ນສະບັບ. ເບິ່ງພາກ 6. Oscillator Module Overview ສໍາລັບຫຼາຍກວ່າview ຜະລິດຕະພັນ microcontroller ໃຊ້ໂມດູນ oscillator ໃດ.

ການນໍາໃຊ້ການຜະສົມຜະສານ Crystal-MCU ຈາກຕາຕະລາງຂ້າງລຸ່ມນີ້ຈະຮັບປະກັນຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ດີແລະຖືກແນະນໍາໃຫ້ສູງສໍາລັບຜູ້ໃຊ້ທີ່ມີຄວາມຊໍານິຊໍານານໄປເຊຍກັນຫນ້ອຍຫຼືຈໍາກັດ. ເຖິງແມ່ນວ່າການຜະສົມຜະສານ Crystal-MCU ໄດ້ຖືກທົດສອບໂດຍຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານ Crystal oscillator ທີ່ມີປະສົບການສູງໃນຜູ້ຂາຍ Crystal ຕ່າງໆ, ພວກເຮົາຍັງແນະນໍາໃຫ້ທົດສອບການອອກແບບຂອງທ່ານຕາມທີ່ໄດ້ອະທິບາຍໄວ້ໃນພາກທີ 3, ການທົດສອບ Crystal Oscillation Robustness, ເພື່ອຮັບປະກັນວ່າບໍ່ມີບັນຫາໃດໆໄດ້ຖືກນໍາສະເຫນີໃນລະຫວ່າງການຈັດວາງ, soldering. , ແລະອື່ນໆ.
ຕາຕະລາງ 5-1 ສະແດງລາຍຊື່ຂອງໂມດູນ oscillator ທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ພາກທີ 6, Oscillator Module Overview, ມີບັນຊີລາຍຊື່ຂອງອຸປະກອນທີ່ໂມດູນເຫຼົ່ານີ້ຖືກລວມເຂົ້າ.

ຕາຕະລາງ 5-1. ເກີນview ຂອງ Oscillators ໃນອຸປະກອນAVR®

#	ໂມດູນ Oscillator	ລາຍລະອຽດ
1	X32K_2v7	2.7-5.5V oscillator ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນmegaAVR®(1)
2	X32K_1v8	oscillator 1.8-5.5V ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ megaAVR/tinyAVR®(1)
3	X32K_1v8_ULP	1.8-3.6V ເຄື່ອງສັ່ນສະເທືອນພະລັງງານຕໍ່າສຸດທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ megaAVR/tinyAVR picoPower®
4	X32K_XMEGA (ໂໝດປົກກະຕິ)	1.6-3.6V ແຮງດັນໄຟຟ້າຕໍ່າສຸດທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນXMEGA®. Oscillator ຕັ້ງຄ່າເປັນໂໝດປົກກະຕິ.
5	X32K_XMEGA (ໂໝດພະລັງງານຕໍ່າ)	oscillator ພະລັງງານຕໍ່າສຸດ 1.6-3.6V ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ XMEGA. Oscillator ຕັ້ງຄ່າເປັນໂໝດພະລັງງານຕໍ່າ.
6	X32K_XRTC32	1.6-3.6V RTC oscillator ພະລັງງານຕ່ໍາສຸດ XNUMX-XNUMXV ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ XMEGA ທີ່ມີການສໍາຮອງຂໍ້ມູນຫມໍ້ໄຟ
7	X32K_1v8_5v5_ULP	oscillator ພະລັງງານຕ່ໍາສຸດ 1.8-5.5V ໃຊ້ໃນ tinyAVR 0-, 1- ແລະ 2-series ແລະ megaAVR 0-series ອຸປະກອນ
8	OSC_LP_v10 (ໂໝດປົກກະຕິ)	oscillator ພະລັງງານຕໍ່າສຸດ 1.8-5.5V ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ AVR Dx series. Oscillator ຕັ້ງຄ່າເປັນໂໝດປົກກະຕິ.
9	OSC_LP_v10 (ໂໝດພະລັງງານຕໍ່າ)	oscillator ພະລັງງານຕໍ່າສຸດ 1.8-5.5V ທີ່ໃຊ້ໃນອຸປະກອນ AVR Dx series. Oscillator ຕັ້ງຄ່າເປັນໂໝດພະລັງງານຕໍ່າ.

ໝາຍເຫດ

1. ບໍ່ໄດ້ໃຊ້ກັບ megaAVR® 0-series ຫຼື tinyAVR® 0-, 1- ແລະ 2-series.

ຕາຕະລາງ 5-2. ແນະນຳ 32.768 kHz Crystals

ຜູ້ຂາຍ	ປະເພດ	ພູ	ໂມດູນ Oscillator ທົດສອບ ແລະອະນຸມັດ (ເບິ່ງ ຕາຕະລາງ 5-1)	ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຖີ່ [±ppm]	ໂຫຼດ ຄວາມຈຸ [pF]	ຄວາມຕ້ານທານຊຸດທຽບເທົ່າ (ESR) [kΩ]
ໄມໂຄຣຕອລ	CC7V-T1A	SMD	1, 2, 3, 4, 5	20/100	7.0/9.0/12.5	50/70
Abracon	ABS06	SMD	2	20	12.5	90
Cardinal	CPFB	SMD	2, 3, 4, 5	20	12.5	50
Cardinal	CTF6	TH	2, 3, 4, 5	20	12.5	50
Cardinal	CTF8	TH	2, 3, 4, 5	20	12.5	50
ພົນລະເມືອງ Endrich	CFS206	TH	1, 2, 3, 4	20	12.5	35
ພົນລະເມືອງ Endrich	CM315	SMD	1, 2, 3, 4	20	12.5	70
Epson Tyocom	MC-306	SMD	1, 2, 3	20/50	12.5	50
Fox	FSXLF	SMD	2, 3, 4, 5	20	12.5	65
Fox	FX135	SMD	2, 3, 4, 5	20	12.5	70
Fox	FX122	SMD	2, 3, 4	20	12.5	90
Fox	FSRLF	SMD	1, 2, 3, 4, 5	20	12.5	50
NDK	NX3215SA	SMD	1, 2, 3 ,XNUMX	20	12.5	80
NDK	NX1610SE	SMD	1, 2, 4, 5, 6, 7, 8, 9	20	6	50
NDK	NX2012SE	SMD	1, 2, 4, 5, 6, 8, 9	20	6	50
Seiko ເຄື່ອງມື	SSP-T7-FL	SMD	2, 3, 5	20	4.4/6/12.5	65
Seiko ເຄື່ອງມື	SSP-T7-F	SMD	1, 2, 4, 6, 7, 8, 9	20	7/12.5	65
Seiko ເຄື່ອງມື	SC-32S	SMD	1, 2, 4, 6, 7, 8, 9	20	7	70
Seiko ເຄື່ອງມື	SC-32L	SMD	4	20	7	40
Seiko ເຄື່ອງມື	SC-20S	SMD	1, 2, 4, 6, 7, 8, 9	20	7	70
Seiko ເຄື່ອງມື	SC-12S	SMD	1, 2, 6, 7, 8, 9	20	7	90

ໝາຍເຫດ: 

1. Crystals ອາດຈະສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບທາງເລືອກໃນການໂຫຼດຫຼາຍແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຖີ່. ຕິດຕໍ່ຜູ້ຂາຍ crystal ສໍາລັບຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມ.

Oscillator Module Overview

ພາກນີ້ສະແດງລາຍຊື່ທີ່ 32.768 kHz oscillators ຖືກລວມຢູ່ໃນອຸປະກອນ Microchip megaAVR, tinyAVR, Dx, ແລະ XMEGA® ຕ່າງໆ.

megaAVR® ອຸປະກອນ

ຕາຕະລາງ 6-1. megaAVR® ອຸປະກອນ

ອຸປະກອນ	ໂມດູນ Oscillator
ATmega1280	X32K_1v8
ATmega1281	X32K_1v8
ATmega1284P	X32K_1v8_ULP
ATmega128A	X32K_2v7
ATmega128	X32K_2v7
ATmega1608	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega1609	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega162	X32K_1v8
ATmega164A	X32K_1v8_ULP
ATmega164PA	X32K_1v8_ULP
ATmega164P	X32K_1v8_ULP
ATmega165A	X32K_1v8_ULP
ATmega165PA	X32K_1v8_ULP
ATmega165P	X32K_1v8_ULP
ATmega168A	X32K_1v8_ULP
ATmega168PA	X32K_1v8_ULP
ATmega168PB	X32K_1v8_ULP
ATmega168P	X32K_1v8_ULP
ATmega168	X32K_1v8
ATmega169A	X32K_1v8_ULP
ATmega169PA	X32K_1v8_ULP
ATmega169P	X32K_1v8_ULP
ATmega169	X32K_1v8
ATmega16A	X32K_2v7
ATmega16	X32K_2v7
ATmega2560	X32K_1v8
ATmega2561	X32K_1v8
ATmega3208	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega3209	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega324A	X32K_1v8_ULP
ATmega324PA	X32K_1v8_ULP
ATmega324PB	X32K_1v8_ULP
ATmega324P	X32K_1v8_ULP
ATmega3250A	X32K_1v8_ULP
ATmega3250PA	X32K_1v8_ULP
ATmega3250P	X32K_1v8_ULP
ATmega325A	X32K_1v8_ULP
ATmega325PA	X32K_1v8_ULP
ATmega325P	X32K_1v8_ULP
ATmega328PB	X32K_1v8_ULP
ATmega328P	X32K_1v8_ULP
ATmega328	X32K_1v8
ATmega3290A	X32K_1v8_ULP
ATmega3290PA	X32K_1v8_ULP
ATmega3290P	X32K_1v8_ULP
ATmega329A	X32K_1v8_ULP
ATmega329PA	X32K_1v8_ULP
ATmega329P	X32K_1v8_ULP
ATmega329	X32K_1v8
ATmega32A	X32K_2v7
ATmega32	X32K_2v7
ATmega406	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega4808	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega4809	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega48A	X32K_1v8_ULP
ATmega48PA	X32K_1v8_ULP
ATmega48PB	X32K_1v8_ULP
ATmega48P	X32K_1v8_ULP
ATmega48	X32K_1v8
ATmega640	X32K_1v8
ATmega644A	X32K_1v8_ULP
ATmega644PA	X32K_1v8_ULP
ATmega644P	X32K_1v8_ULP
ATmega6450A	X32K_1v8_ULP
ATmega6450P	X32K_1v8_ULP
ATmega645A	X32K_1v8_ULP
ATmega645P	X32K_1v8_ULP
ATmega6490A	X32K_1v8_ULP
ATmega6490P	X32K_1v8_ULP
ATmega6490	X32K_1v8_ULP
ATmega649A	X32K_1v8_ULP
ATmega649P	X32K_1v8_ULP
ATmega649	X32K_1v8
ATmega64A	X32K_2v7
ATmega64	X32K_2v7
ATmega808	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega809	X32K_1v8_5v5_ULP
ATmega88A	X32K_1v8_ULP
ATmega88PA	X32K_1v8_ULP
ATmega88PB	X32K_1v8_ULP
ATmega88P	X32K_1v8_ULP
ATmega88	X32K_1v8
ATmega8A	X32K_2v7
ATmega8	X32K_2v7

ອຸປະກອນຂະໜາດນ້ອຍAVR®

ຕາຕະລາງ 6-2. ອຸປະກອນຂະໜາດນ້ອຍAVR®

ອຸປະກອນ	ໂມດູນ Oscillator
ATtiny1604	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1606	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1607	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1614	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1616	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1617	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1624	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1626	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny1627	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny202	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny204	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny212	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny214	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny2313A	X32K_1v8
ATtiny24A	X32K_1v8
ATtiny24	X32K_1v8
ATtiny25	X32K_1v8
ATtiny261A	X32K_1v8
ATtiny261	X32K_1v8
ATtiny3216	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny3217	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny3224	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny3226	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny3227	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny402	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny404	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny406	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny412	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny414	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny416	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny417	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny424	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny426	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny427	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny4313	X32K_1v8
ATtiny44A	X32K_1v8
ATtiny44	X32K_1v8
ATtiny45	X32K_1v8
ATtiny461A	X32K_1v8
ATtiny461	X32K_1v8
ATtiny804	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny806	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny807	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny814	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny816	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny817	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny824	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny826	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny827	X32K_1v8_5v5_ULP
ATtiny84A	X32K_1v8
ATtiny84	X32K_1v8
ATtiny85	X32K_1v8
ATtiny861A	X32K_1v8
ATtiny861	X32K_1v8

AVR® Dx ອຸປະກອນ

ຕາຕະລາງ 6-3. AVR® Dx ອຸປະກອນ

ອຸປະກອນ	ໂມດູນ Oscillator
AVR128DA28	OSC_LP_v10
AVR128DA32	OSC_LP_v10
AVR128DA48	OSC_LP_v10
AVR128DA64	OSC_LP_v10
AVR32DA28	OSC_LP_v10
AVR32DA32	OSC_LP_v10
AVR32DA48	OSC_LP_v10
AVR64DA28	OSC_LP_v10
AVR64DA32	OSC_LP_v10
AVR64DA48	OSC_LP_v10
AVR64DA64	OSC_LP_v10
AVR128DB28	OSC_LP_v10
AVR128DB32	OSC_LP_v10
AVR128DB48	OSC_LP_v10
AVR128DB64	OSC_LP_v10
AVR32DB28	OSC_LP_v10
AVR32DB32	OSC_LP_v10
AVR32DB48	OSC_LP_v10
AVR64DB28	OSC_LP_v10
AVR64DB32	OSC_LP_v10
AVR64DB48	OSC_LP_v10
AVR64DB64	OSC_LP_v10
AVR128DD28	OSC_LP_v10
AVR128DD32	OSC_LP_v10
AVR128DD48	OSC_LP_v10
AVR128DD64	OSC_LP_v10
AVR32DD28	OSC_LP_v10
AVR32DD32	OSC_LP_v10
AVR32DD48	OSC_LP_v10
AVR64DD28	OSC_LP_v10
AVR64DD32	OSC_LP_v10
AVR64DD48	OSC_LP_v10
AVR64DD64	OSC_LP_v10

AVR® XMEGA® ອຸປະກອນ

ຕາຕະລາງ 6-4. AVR® XMEGA® ອຸປະກອນ

ອຸປະກອນ	ໂມດູນ Oscillator
ATxmega128A1	X32K_XMEGA
ATxmega128A3	X32K_XMEGA
ATxmega128A4	X32K_XMEGA
ATxmega128B1	X32K_XMEGA
ATxmega128B3	X32K_XMEGA
ATxmega128D3	X32K_XMEGA
ATxmega128D4	X32K_XMEGA
ATxmega16A4	X32K_XMEGA
ATxmega16D4	X32K_XMEGA
ATxmega192A1	X32K_XMEGA
ATxmega192A3	X32K_XMEGA
ATxmega192D3	X32K_XMEGA
ATxmega256A3B	X32K_XRTC32
ATxmega256A1	X32K_XMEGA
ATxmega256D3	X32K_XMEGA
ATxmega32A4	X32K_XMEGA
ATxmega32D4	X32K_XMEGA
ATxmega64A1	X32K_XMEGA
ATxmega64A3	X32K_XMEGA
ATxmega64A4	X32K_XMEGA
ATxmega64B1	X32K_XMEGA
ATxmega64B3	X32K_XMEGA
ATxmega64D3	X32K_XMEGA
ATxmega64D4	X32K_XMEGA

ປະຫວັດການແກ້ໄຂ

ດຣ. ພ.ສ.	ວັນທີ	ຄຳເຫັນ
D	05/2022	ເພີ່ມພາກສ່ວນ 1.8. ແຮງຂັບ. ປັບປຸງພາກສ່ວນ 5. ຄໍາແນະນໍາ Crystal ກັບໄປເຊຍກັນໃຫມ່.
C	09/2021	ທົ່ວໄປ Review ຂໍ້ຄວາມບັນທຶກແອັບພລິເຄຊັນ. ແກ້ໄຂແລ້ວ ສົມຜົນ 1-5. ສະບັບປັບປຸງ 5. ຄໍາແນະນໍາ Crystal ກັບອຸປະກອນ AVR ແລະໄປເຊຍກັນໃຫມ່.
B	09/2018	ແກ້ໄຂແລ້ວ ຕາຕະລາງ 5-1. ແກ້ໄຂການອ້າງອີງຂ້າມ.
A	02/2018	ປ່ຽນເປັນຮູບແບບໄມໂຄຊິບ ແລະປ່ຽນແທນເອກະສານ Atmel ໝາຍເລກ 8333. ເພີ່ມການສະຫນັບສະຫນູນສໍາລັບ tinyAVR 0- ແລະ 1-series.
8333E	03/2015	ປ່ຽນຜົນອອກຂອງໂມງ XMEGA ຈາກ PD7 ເປັນ PC7. XMEGA B ເພີ່ມ.
8333 ດ	072011	ອັບເດດລາຍຊື່ຄຳແນະນຳ.
8333C	02/2011	ອັບເດດລາຍຊື່ຄຳແນະນຳ.
8333 ບ	11/2010	ການ​ປັບ​ປຸງ​ແລະ​ການ​ແກ້​ໄຂ​ຈໍາ​ນວນ​ຫນຶ່ງ​.
8333A	08/2010	ການແກ້ໄຂເອກະສານເບື້ອງຕົ້ນ.

ຂໍ້ມູນໄມໂຄຊິບ

ໄມໂຄຣຊິບ Webເວັບໄຊ

Microchip ໃຫ້ການຊ່ວຍເຫຼືອອອນໄລນ໌ໂດຍຜ່ານຂອງພວກເຮົາ webສະຖານທີ່ຢູ່ www.microchip.com/. ນີ້ webເວັບ​ໄຊ​ໄດ້​ຖືກ​ນໍາ​ໃຊ້​ເພື່ອ​ເຮັດ​ໃຫ້​ files ແລະຂໍ້ມູນຂ່າວສານໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍສາມາດໃຊ້ໄດ້ກັບລູກຄ້າ. ບາງເນື້ອໃນທີ່ມີຢູ່ລວມມີ:

• ສະ​ຫນັບ​ສະ​ຫນູນ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ - ເອ​ກະ​ສານ​ຂໍ້​ມູນ​ແລະ​ຂໍ້​ຜິດ​ພາດ​, ບັນ​ທຶກ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ແລະ s​ample ໂປລແກລມ, ຊັບພະຍາກອນການອອກແບບ, ຄູ່ມືຜູ້ໃຊ້ແລະເອກະສານສະຫນັບສະຫນູນຮາດແວ, ການປ່ອຍຊອບແວຫລ້າສຸດແລະຊອບແວທີ່ເກັບໄວ້
• ການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການທົ່ວໄປ - ຄໍາຖາມທີ່ຖາມເລື້ອຍໆ (FAQs), ການຮ້ອງຂໍການສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການ, ກຸ່ມສົນທະນາອອນໄລນ໌, ລາຍຊື່ສະມາຊິກໂຄງການຄູ່ຮ່ວມງານຂອງ Microchip
• ທຸລະກິດຂອງ Microchip - ຄູ່ມືເລືອກຜະລິດຕະພັນແລະຄໍາສັ່ງ, ການປ່ອຍຂ່າວຫຼ້າສຸດຂອງ Microchip, ລາຍຊື່ການສໍາມະນາແລະກິດຈະກໍາ, ລາຍຊື່ຫ້ອງການຂາຍ Microchip, ຜູ້ຈັດຈໍາຫນ່າຍແລະຕົວແທນໂຮງງານ.

ບໍລິການແຈ້ງການປ່ຽນແປງຜະລິດຕະພັນ
ບໍລິການແຈ້ງການປ່ຽນແປງຜະລິດຕະພັນຂອງ Microchip ຊ່ວຍໃຫ້ລູກຄ້າມີປະຈຸບັນກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນຂອງ Microchip. ຜູ້ຈອງຈະໄດ້ຮັບການແຈ້ງເຕືອນທາງອີເມລ໌ທຸກຄັ້ງທີ່ມີການປ່ຽນແປງ, ການປັບປຸງ, ການແກ້ໄຂຫຼືຄວາມຜິດພາດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຄອບຄົວຜະລິດຕະພັນທີ່ລະບຸຫຼືເຄື່ອງມືການພັດທະນາທີ່ມີຄວາມສົນໃຈ.
ເພື່ອລົງທະບຽນ, ໄປທີ່ www.microchip.com/pcn ແລະປະຕິບັດຕາມຄໍາແນະນໍາການລົງທະບຽນ.

ການຊ່ວຍເຫຼືອລູກຄ້າ
ຜູ້ໃຊ້ຜະລິດຕະພັນ Microchip ສາມາດໄດ້ຮັບການຊ່ວຍເຫຼືອຜ່ານຫຼາຍຊ່ອງທາງ:

• ຕົວແທນຈໍາຫນ່າຍຫຼືຕົວແທນ
• ຫ້ອງການຂາຍທ້ອງຖິ່ນ
• Embedded Solutions Engineer (ESE)
• ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການ

ລູກຄ້າຄວນຕິດຕໍ່ຜູ້ຈັດຈໍາຫນ່າຍ, ຕົວແທນຫຼື ESE ຂອງເຂົາເຈົ້າສໍາລັບການສະຫນັບສະຫນູນ. ຫ້ອງການຂາຍໃນທ້ອງຖິ່ນຍັງມີຢູ່ເພື່ອຊ່ວຍລູກຄ້າ. ບັນຊີລາຍຊື່ຂອງຫ້ອງການຂາຍແລະສະຖານທີ່ແມ່ນລວມຢູ່ໃນເອກະສານນີ້.
ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການແມ່ນມີຢູ່ໂດຍຜ່ານ webເວັບໄຊຢູ່: www.microchip.com/support

ຄຸນສົມບັດການປົກປ້ອງລະຫັດອຸປະກອນໄມໂຄຊິບ
ໃຫ້ສັງເກດລາຍລະອຽດຕໍ່ໄປນີ້ຂອງຄຸນສົມບັດປ້ອງກັນລະຫັດໃນຜະລິດຕະພັນໄມໂຄຊິບ:

• ຜະລິດຕະພັນ Microchip ຕອບສະໜອງໄດ້ສະເພາະໃນເອກະສານຂໍ້ມູນ Microchip ໂດຍສະເພາະ.
• ໄມໂຄຣຊິບເຊື່ອວ່າຜະລິດຕະພັນໃນຄອບຄົວຂອງມັນມີຄວາມປອດໄພເມື່ອໃຊ້ໃນລັກສະນະທີ່ຕັ້ງໃຈ, ພາຍໃນສະເພາະການໃຊ້ງານ ແລະພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂປົກກະຕິ.
• ຄຸນຄ່າຂອງ Microchip ແລະປົກປ້ອງສິດຊັບສິນທາງປັນຍາຂອງຕົນຢ່າງແຮງ. ຄວາມພະຍາຍາມທີ່ຈະລະເມີດຄຸນສົມບັດການປົກປ້ອງລະຫັດຂອງຜະລິດຕະພັນໄມໂຄຊິບແມ່ນຖືກຫ້າມຢ່າງເຂັ້ມງວດ ແລະອາດລະເມີດກົດໝາຍ Digital Millennium Copyright Act.
• ທັງ Microchip ຫຼືຜູ້ຜະລິດ semiconductor ອື່ນໆສາມາດຮັບປະກັນຄວາມປອດໄພຂອງລະຫັດຂອງມັນ. ການປົກປ້ອງລະຫັດບໍ່ໄດ້ຫມາຍຄວາມວ່າພວກເຮົາກໍາລັງຮັບປະກັນວ່າຜະລິດຕະພັນແມ່ນ "ບໍ່ສາມາດທໍາລາຍໄດ້". ການປົກປ້ອງລະຫັດແມ່ນພັດທະນາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ. Microchip ມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະປັບປຸງຄຸນສົມບັດການປົກປ້ອງລະຫັດຂອງຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.

ປະກາດກົດໝາຍ
ສິ່ງພິມນີ້ ແລະຂໍ້ມູນໃນນີ້ອາດຈະຖືກໃຊ້ກັບຜະລິດຕະພັນໄມໂຄຊິບເທົ່ານັ້ນ, ລວມທັງການອອກແບບ, ທົດສອບ ແລະລວມຜະລິດຕະພັນໄມໂຄຊິບກັບແອັບພລິເຄຊັນຂອງເຈົ້າ. ການນໍາໃຊ້ຂໍ້ມູນນີ້ໃນລັກສະນະອື່ນໃດກໍ່ລະເມີດຂໍ້ກໍານົດເຫຼົ່ານີ້. ຂໍ້​ມູນ​ກ່ຽວ​ກັບ​ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ອຸ​ປະ​ກອນ​ແມ່ນ​ສະ​ຫນອງ​ໃຫ້​ພຽງ​ແຕ່​ເພື່ອ​ຄວາມ​ສະ​ດວກ​ຂອງ​ທ່ານ​ແລະ​ອາດ​ຈະ​ຖືກ​ແທນ​ທີ່​ໂດຍ​ການ​ປັບ​ປຸງ​. ມັນເປັນຄວາມຮັບຜິດຊອບຂອງທ່ານເພື່ອຮັບປະກັນວ່າຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານຕອບສະຫນອງກັບສະເພາະຂອງທ່ານ. ຕິດຕໍ່ຫ້ອງການຂາຍ Microchip ທ້ອງຖິ່ນຂອງທ່ານເພື່ອຂໍການຊ່ວຍເຫຼືອເພີ່ມເຕີມ ຫຼືຂໍການຊ່ວຍເຫຼືອເພີ່ມເຕີມທີ່ www.microchip.com/en-us/support/design-help/client-support-services.
ຂໍ້ມູນນີ້ແມ່ນສະໜອງໃຫ້ໂດຍໄມໂຄຣຊິບ “ຄື”. ໄມໂຄຣຊິບບໍ່ໄດ້ເປັນຕົວແທນ ຫຼືການຮັບປະກັນໃດໆ ​​ບໍ່ວ່າຈະເປັນການສະແດງອອກ ຫຼືໂດຍຫຍໍ້, ຂຽນ ຫຼືປາກເປົ່າ, ກົດໝາຍ
ຫຼືບໍ່ດັ່ງນັ້ນ, ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂໍ້ມູນລວມທັງແຕ່ບໍ່ຈໍາກັດການຮັບປະກັນໃດໆທີ່ບໍ່ໄດ້ລະເມີດ, ການຄ້າ, ແລະຄວາມສອດຄ່ອງສໍາລັບຈຸດປະສົງສະເພາະ, ຫຼືການຮັບປະກັນທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ, ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.
ໃນກໍລະນີໃດກໍ່ຕາມ, ໄມໂຄຣຊິບຈະຮັບຜິດຊອບຕໍ່ຄວາມຜິດທາງອ້ອມ, ພິເສດ, ລົງໂທດ, ບັງເອີນ, ຫຼືຜົນສະທ້ອນຕໍ່ການສູນເສຍ, ຄວາມເສຍຫາຍ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ຫຼືຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃດໆກໍຕາມທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບສະພາບການປ່ຽນແປງ, ຫຼືໃນກໍລະນີໃດກໍ່ຕາມ. ໄມໂຄຣຊິບໄດ້ຮັບຄໍາແນະນໍາວ່າມີຄວາມເປັນໄປໄດ້ ຫຼືຄວາມເສຍຫາຍແມ່ນເປັນໄປໄດ້. ໃນຂອບເຂດທີ່ກົດໝາຍອະນຸຍາດສູງສຸດ, ຄວາມຮັບຜິດ ຊອບທັງໝົດຂອງໄມໂຄຣຊິບ ຕໍ່ກັບການຮຽກຮ້ອງທັງໝົດ ໃນທາງໃດກໍຕາມ ທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຂໍ້ມູນ ຫຼື ການໃຊ້ຂອງມັນຈະບໍ່ເກີນຈຳນວນຂອງຄ່າທຳນຽມ, ຖ້າມີ, ທັງໝົດທີ່ເຈົ້າມີຢູ່. ຂໍ້ມູນ.
ການນໍາໃຊ້ອຸປະກອນ Microchip ໃນການຊ່ວຍເຫຼືອຊີວິດແລະ / ຫຼືຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຄວາມປອດໄພແມ່ນມີຄວາມສ່ຽງຂອງຜູ້ຊື້ທັງຫມົດ, ແລະຜູ້ຊື້ຕົກລົງທີ່ຈະປົກປ້ອງ, ຊົດເຊີຍແລະຖື Microchip ທີ່ບໍ່ມີອັນຕະລາຍຈາກຄວາມເສຍຫາຍ, ການຮຽກຮ້ອງ, ຟ້ອງ, ຫຼືຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ເກີດຈາກການນໍາໃຊ້ດັ່ງກ່າວ. ບໍ່ມີໃບອະນຸຍາດຖືກຖ່າຍທອດ, ໂດຍທາງອ້ອມ ຫຼື ອື່ນໆ, ພາຍໃຕ້ສິດຊັບສິນທາງປັນຍາຂອງ Microchip ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້ເປັນຢ່າງອື່ນ.

ເຄື່ອງໝາຍການຄ້າ

ຊື່ ແລະໂລໂກ້ຂອງ Microchip, ໂລໂກ້ Microchip, Adaptec, AnyRate, AVR, AVR logo, AVR Freaks, Bes Time, Bit Cloud, Crypto Memory, Crypto RF, dsPIC, flexPWR, HELDO, IGLOO, JukeBlox, KeeLoq, Kleer, LANCheck, LinkMD, maXStylus, maXTouch, Media LB, megaAVR, Microsemi, Microsemi logo, MOST, MOST, MPLAB, OptoLyzer, PIC, picoPower, PICSTART, ໂລໂກ້ PIC32, PolarFire, Prochip Designer, QTouch, SAM-BA, SenGenuity, S Spy , SST Logo, SuperFlash, Symmetricom, SyncServer, Tachyon, TimeSource, tinyAVR, UNI/O, Vectron, ແລະ XMEGA ແມ່ນເຄື່ອງໝາຍການຄ້າທີ່ຈົດທະບຽນຂອງ Microchip Technology Incorporated ໃນອາເມລິກາ ແລະປະເທດອື່ນໆ.
AgileSwitch, APT, ClockWorks, The Embedded Control Solutions Company, EtherSynch, Flashtec, Hyper Speed ​​Control, HyperLight Load, Intelli MOS, Libero, motorBench, m Touch, Powermite 3, Precision Edge, ProASIC, ProASIC Plus, ProASIC Plus logo, Quiet- Wire, Smart Fusion, Sync World, Temux, Time Cesium, TimeHub, TimePictra, Time Provider, TrueTime, WinPath, ແລະ ZL ແມ່ນເຄື່ອງໝາຍການຄ້າຈົດທະບຽນຂອງ Microchip Technology Incorporated in the USA
ການສະກັດກັ້ນກະແຈທີ່ຕິດກັນ, AKS, ອະນາລັອກສຳລັບຍຸກດິຈິຕອລ, ຕົວເກັບປະຈຸໃດໆ, AnyIn, AnyOut, Augmented Switching, Blue Sky, Body com, Code Guard, CryptoAuthentication, Crypto Automotive, CryptoCompanion, CryptoController, dsPICDnamic, dsPICDna. Average Matching, DAM, ECAN, Espresso T1S, EtherGREEN, GridTime, Ideal Bridge, In-Circuit Serial Programming, ICSP, INICnet, Intelligent Paralleling, Inter-Chip Connectivity, JitterBlocker, Knob-on-Display, maxCrypto, ສູງສຸດView, memBrain, Mindi, MiWi, MPASM, MPF, MPLAB Certified logo, MPLIB, MPLINK, MultiTRAK, NetDetach, NVM Express, NVMe, Omniscient Code Generation, PICDEM, PICDEM.net, PICkit, PICtail, PowerSmart, PureSilicon, QMatrix , Ripple Blocker, RTAX, RTG4, SAM-ICE, Serial Quad I/O, simpleMAP, SimpliPHY, Smar tBuffer, SmartHLS, SMART-IS, storClad, SQI, SuperSwitcher, SuperSwitcher II, Switchtec, SynchroPHY, Total Endurance USBCheck, TSHARC , VariSense, VectorBlox, VeriPHY, ViewSpan, WiperLock, XpressConnect, ແລະ ZENA ແມ່ນເຄື່ອງໝາຍການຄ້າຂອງ Microchip Technology Incorporated ໃນສະຫະລັດອາເມລິກາ ແລະປະເທດອື່ນໆ.

SQTP ເປັນເຄື່ອງໝາຍການບໍລິການຂອງ Microchip Technology Incorporated in USA
ໂລໂກ້ Adaptec, ຄວາມຖີ່ຕາມຄວາມຕ້ອງການ, Silicon Storage Technology, Symmcom, ແລະ Trusted Time ແມ່ນເຄື່ອງໝາຍການຄ້າທີ່ຈົດທະບຽນຂອງ Microchip Technology Inc. ໃນປະເທດອື່ນໆ.
GestIC ເປັນເຄື່ອງໝາຍການຄ້າຈົດທະບຽນຂອງ Microchip Technology Germany II GmbH & Co. KG, ເຊິ່ງເປັນບໍລິສັດຍ່ອຍຂອງ Microchip Technology Inc., ໃນປະເທດອື່ນໆ.
ເຄື່ອງໝາຍການຄ້າອື່ນໆທັງໝົດທີ່ກ່າວມານີ້ແມ່ນຊັບສິນຂອງບໍລິສັດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ.
© 2022, Microchip Technology Incorporated ແລະບໍລິສັດຍ່ອຍຂອງມັນ. ສະຫງວນລິຂະສິດທັງໝົດ.

• ISBN: 978-1-6683-0405-1

ລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບ
ສໍາລັບຂໍ້ມູນກ່ຽວກັບລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບຂອງ Microchip, ກະລຸນາເຂົ້າໄປເບິ່ງ www.microchip.com/quality.

ການຂາຍ ແລະການບໍລິການທົ່ວໂລກ

ຫ້ອງການບໍລິສັດ
2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 ໂທ: 480-792-7200
ແຟັກ: 480-792-7277

ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການ:
www.microchip.com/support

Web ທີ່ຢູ່:
www.microchip.com

ແອດແລນຕາ
Duluth, GA
ໂທ: 678-957-9614
ແຟັກ: 678-957-1455 Austin, TX
ໂທ: 512-257-3370 ບອສຕັນ

Westborough, MA
ໂທ: 774-760-0087
ແຟັກ: 774-760-0088 ຊິຄາໂກ

Itasca, IL
ໂທ: 630-285-0071
ແຟັກ: 630-285-0075 ດາລາສ

ແອດດິສັນ, TX
ໂທ: 972-818-7423
ແຟັກ: 972-818-2924 ດີທຣອຍ

Novi, MI
ໂທ: 248-848-4000 Houston, TX
ໂທ: 281-894-5983 Indianapolis

Noblesville, IN
ໂທ: 317-773-8323
ແຟັກ: 317-773-5453
ໂທ: 317-536-2380

Los Angeles
ພາລະກິດ Viejo, CA
ໂທ: 949-462-9523
ແຟັກ: 949-462-9608
ໂທ: 951-273-7800 Raleigh, NC
ໂທ: 919-844-7510

ນິວຢອກ, NY
ໂທ: 631-435-6000

San Jose, CA
ໂທ: 408-735-9110
ໂທ: 408-436-4270

ການາດາ – Toronto
ໂທ: 905-695-1980
ແຟັກ: 905-695-2078

ອົດ​ສະ​ຕາ​ລີ - Sydney
ໂທ: 61-2-9868-6733

ຈີນ-ປັກ​ກິ່ງ
ໂທ: 86-10-8569-7000

ຈີນ – Chengdu
ໂທ: 86-28-8665-5511

ຈີນ - ຈົງຊິງ
ໂທ: 86-23-8980-9588

ຈີນ - Dongguan
ໂທ: 86-769-8702-9880

ຈີນ - ກວາງ​ໂຈ່​ວ
ໂທ: 86-20-8755-8029

ຈີນ - Hangzhou
ໂທ: 86-571-8792-8115

ຈີນ-ຮົງ​ກົງ
SAR ໂທ: 852-2943-5100

ຈີນ - Nanjing
ໂທ: 86-25-8473-2460

ຈີນ - Qingdao
ໂທ: 86-532-8502-7355

ຈີນ - ຊຽງໄຮ້
ໂທ: 86-21-3326-8000

ຈີນ - Shenyang
ໂທ: 86-24-2334-2829

ຈີນ - Shenzhen
ໂທ: 86-755-8864-2200

ຈີນ - ຊູໂຈວ
ໂທ: 86-186-6233-1526

ຈີນ - Wuhan
ໂທ: 86-27-5980-5300

ຈີນ - Xian
ໂທ: 86-29-8833-7252

ຈີນ - Xiamen
ໂທ: 86-592-2388138

ຈີນ - ຈູໄຫ່
ໂທ: 86-756-3210040

ປະເທດອິນເດຍ - Bangalore
ໂທ: 91-80-3090-4444

ອິນເດຍ - ນິວເດລີ
ໂທ: 91-11-4160-8631

ອິນເດຍ - Pune
ໂທ: 91-20-4121-0141

ຍີ່ປຸ່ນ – Osaka
ໂທ: 81-6-6152-7160

ຍີ່ປຸ່ນ – ໂຕກຽວ
ໂທ: 81-3-6880- 3770

ເກົາ​ຫຼີ - Daegu
ໂທ: 82-53-744-4301

ເກົາຫຼີ – ເຊ​ອຸນ
ໂທ: 82-2-554-7200

ມາ​ເລ​ເຊຍ - Kuala Lumpur
ໂທ: 60-3-7651-7906

ມາ​ເລ​ເຊຍ - Penang
ໂທ: 60-4-227-8870

ຟີລິບປິນ – ມະນີລາ
ໂທ: 63-2-634-9065

ສິງກະໂປ
ໂທ: 65-6334-8870

ໄຕ້ຫວັນ - Hsin Chu
ໂທ: 886-3-577-8366

ໄຕ້ຫວັນ - Kaohsiung
ໂທ: 886-7-213-7830

ໄຕ້​ຫວັນ - Taipei​
ໂທ: 886-2-2508-8600

ໄທ - ບາງກອກ
ໂທ: 66-2-694-1351

ຫວຽດນາມ - ໂຮ່ຈີມິນ
ໂທ: 84-28-5448-2100

ອອສເຕຣຍ - ເວນ
ໂທ: 43-7242-2244-39
ແຟັກ: 43-7242-2244-393

ເດນມາກ - ໂຄເປນເຮເກນ
ໂທ: 45-4485-5910
ແຟັກ: 45-4485-2829

ຟິນແລນ – Espoo
ໂທ: 358-9-4520-820

ຝຣັ່ງ - ປາຣີ
Tel: 33-1-69-53-63-20
Fax: 33-1-69-30-90-79
ເຢຍ​ລະ​ມັນ - Garching​
ໂທ: 49-8931-9700

ເຢຍ​ລະ​ມັນ - Haan
ໂທ: 49-2129-3766400

ເຢຍລະມັນ - Heilbronn
ໂທ: 49-7131-72400

ເຢຍລະມັນ - Karlsruhe
ໂທ: 49-721-625370

ເຢຍລະມັນ - Munich
Tel: 49-89-627-144-0
Fax: 49-89-627-144-44

ເຢຍລະມັນ - Rosenheim
ໂທ: 49-8031-354-560

ອິດ​ສະ​ຣາ​ເອນ - Ra'anana
ໂທ: 972-9-744-7705

ອີຕາລີ – Milan
ໂທ: 39-0331-742611
ແຟັກ: 39-0331-466781

ອິຕາລີ - Padova
ໂທ: 39-049-7625286

ເນເທີແລນ - Drunen
ໂທ: 31-416-690399
ແຟັກ: 31-416-690340

ນໍເວ - Trondheim
ໂທ: 47-72884388

ໂປແລນ - ວໍຊໍ
ໂທ: 48-22-3325737

ໂຣມາເນຍ - Bucharest
Tel: 40-21-407-87-50

ສະເປນ – Madrid
Tel: 34-91-708-08-90
Fax: 34-91-708-08-91

ສວີເດນ – Gothenberg
Tel: 46-31-704-60-40

ສວີເດນ – ສະຕັອກໂຮມ
ໂທ: 46-8-5090-4654

ອັງກິດ - Wokingham
ໂທ: 44-118-921-5800
ແຟັກ: 44-118-921-5820

ເອກະສານ / ຊັບພະຍາກອນ

MICROCHIP AN2648 ການເລືອກແລະການທົດສອບ 32.768 kHz Crystal Oscillators ສໍາລັບ AVR Microcontrollers [pdf] ຄູ່ມືຜູ້ໃຊ້ AN2648 ການເລືອກແລະການທົດສອບ 32.768 kHz Crystal Oscillators ສໍາລັບ AVR Microcontrollers, AN2648, ການຄັດເລືອກແລະການທົດສອບ 32.768 kHz Crystal Oscillators ສໍາລັບ AVR Microcillators, Crystal Oscillators ສໍາລັບ AVR Microcontrollers

ເອກະສານອ້າງອີງ

• ຄູ່ມືຜູ້ໃຊ້