RENESAS RA2E1 കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU

കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU
കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് നോയിസ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ഗൈഡ്

ആമുഖം
Renesas Capacitive Touch Sensor Unit (CTSU) ചുറ്റുമുള്ള പരിതസ്ഥിതിയിൽ ശബ്ദത്തിന് ഇരയാകാം, കാരണം അനാവശ്യമായ വ്യാജ വൈദ്യുത സിഗ്നലുകൾ (ശബ്ദം) സൃഷ്ടിക്കുന്ന കപ്പാസിറ്റൻസിലെ ചെറിയ മാറ്റങ്ങൾ തിരിച്ചറിയാൻ ഇതിന് കഴിയും. ഈ ശബ്ദത്തിൻ്റെ പ്രഭാവം ഹാർഡ്‌വെയർ ഡിസൈനിനെ ആശ്രയിച്ചിരിക്കും. അതിനാൽ, രൂപകൽപ്പനയിൽ പ്രതിരോധ നടപടികൾ സ്വീകരിക്കുന്നുtagപാരിസ്ഥിതിക ശബ്ദത്തിനും ഫലപ്രദമായ ഉൽപ്പന്ന വികസനത്തിനും പ്രതിരോധശേഷിയുള്ള ഒരു CTSU MCU-യിലേക്ക് e നയിക്കും. IEC യുടെ നോയ്‌സ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി സ്റ്റാൻഡേർഡുകൾ (IEC61000-4) പ്രകാരം Renesas Capacitive Touch Sensor Unit (CTSU) ഉപയോഗിക്കുന്ന ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്ക് ശബ്ദ പ്രതിരോധശേഷി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനുള്ള വഴികൾ ഈ ആപ്ലിക്കേഷൻ കുറിപ്പ് വിവരിക്കുന്നു.

ടാർഗെറ്റ് ഉപകരണം
CTSU (CTSU, CTSU78, CTSU2L, CTSU2La, CTSU2SL) ഉൾച്ചേർക്കുന്ന RX ഫാമിലി, RA ഫാമിലി, RL2 ഫാമിലി MCU-കളും Renesas Synergy™

ഈ ആപ്ലിക്കേഷൻ കുറിപ്പിൽ ഉൾപ്പെടുത്തിയിരിക്കുന്ന മാനദണ്ഡങ്ങൾ 

• IEC-61000-4-3
• IEC-61000-4-6

കഴിഞ്ഞുview

ഒരു ഇലക്ട്രോഡിൽ സ്പർശിക്കുമ്പോൾ വൈദ്യുത ചാർജിൽ നിന്നുള്ള സ്റ്റാറ്റിക് വൈദ്യുതിയുടെ അളവ് CTSU അളക്കുന്നു. അളക്കുന്ന സമയത്ത് ശബ്ദം കാരണം ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡിൻ്റെ സാധ്യത മാറുകയാണെങ്കിൽ, ചാർജിംഗ് കറൻ്റും മാറുന്നു, ഇത് അളന്ന മൂല്യത്തെ ബാധിക്കുന്നു. പ്രത്യേകമായി, അളന്ന മൂല്യത്തിലെ വലിയ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ ടച്ച് ത്രെഷോൾഡ് കവിഞ്ഞേക്കാം, ഇത് ഉപകരണം തകരാറിലാകുന്നു. അളന്ന മൂല്യത്തിലെ ചെറിയ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ ലീനിയർ അളവുകൾ ആവശ്യമായ ആപ്ലിക്കേഷനുകളെ ബാധിച്ചേക്കാം. CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് സിസ്റ്റങ്ങൾക്കുള്ള നോയിസ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി പരിഗണിക്കുമ്പോൾ CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ സ്വഭാവത്തെയും ബോർഡ് രൂപകൽപ്പനയെയും കുറിച്ചുള്ള അറിവ് അത്യന്താപേക്ഷിതമാണ്. ഇനിപ്പറയുന്ന അനുബന്ധ ഡോക്യുമെൻ്റുകൾ പഠിച്ചുകൊണ്ട് CTSU, കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് തത്വങ്ങൾ എന്നിവ ഉപയോഗിച്ച് സ്വയം പരിചയപ്പെടാൻ ഞങ്ങൾ ആദ്യമായി CTSU ഉപയോക്താക്കളെ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു.

• കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ, CTSU എന്നിവയെ കുറിച്ചുള്ള അടിസ്ഥാന വിവരങ്ങൾ
• കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU-കൾക്കുള്ള കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് യൂസർ ഗൈഡ് (R30AN0424)
• ഹാർഡ്‌വെയർ ബോർഡ് ഡിസൈൻ സംബന്ധിച്ച വിവരങ്ങൾ
  കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ മൈക്രോകൺട്രോളറുകൾ - CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389)
• CTSU ഡ്രൈവർ (CTSU മൊഡ്യൂൾ) സോഫ്റ്റ്‌വെയർ സംബന്ധിച്ച വിവരങ്ങൾ
  ആർഎ കുടുംബം റെനെസാസ് ഫ്ലെക്സിബിൾ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ പാക്കേജ് (FSP) ഉപയോക്തൃ മാനുവൽ (Web പതിപ്പ് - HTML)
  API റഫറൻസ് > മൊഡ്യൂളുകൾ > CapTouch > CTSU (r_ctsu)
  RL78 ഫാമിലി CTSU മൊഡ്യൂൾ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ സിസ്റ്റം (R11AN0484)
  RX ഫാമിലി QE CTSU മൊഡ്യൂൾ ഫേംവെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ ടെക്നോളജി (R01AN4469)
• ടച്ച് മിഡിൽവെയർ (ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ) സോഫ്റ്റ്‌വെയർ സംബന്ധിച്ച വിവരങ്ങൾ
  ആർഎ കുടുംബം റെനെസാസ് ഫ്ലെക്സിബിൾ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ പാക്കേജ് (FSP) ഉപയോക്തൃ മാനുവൽ (Web പതിപ്പ് - HTML)
  API റഫറൻസ് > മൊഡ്യൂളുകൾ > CapTouch > ടച്ച് (rm_touch)
  RL78 ഫാമിലി ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ സിസ്റ്റം (R11AN0485)
  RX ഫാമിലി QE ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ ഫേംവെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ ടെക്നോളജി (R01AN4470)
• കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ചിനായുള്ള ക്യുഇയെ സംബന്ധിച്ച വിവരങ്ങൾ (കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ആപ്ലിക്കേഷൻ ഡെവലപ്‌മെൻ്റ് സപ്പോർട്ട് ടൂൾ)
  കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് QE, FSP എന്നിവ ഉപയോഗിക്കുന്നു (R01AN4934)
  കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് QE, FIT എന്നിവ ഉപയോഗിക്കുന്നു (R01AN4516)
  കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് RL78 കുടുംബം QE, SIS എന്നിവ ഉപയോഗിക്കുന്നു (R01AN5512)
  കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ (R78AN01) വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് QE-യുടെ ഒറ്റപ്പെട്ട പതിപ്പ് ഉപയോഗിക്കുന്ന RL6574 കുടുംബം

ശബ്ദ തരങ്ങളും പ്രതിരോധ നടപടികളും

EMC മാനദണ്ഡങ്ങൾ
പട്ടിക 2-1 ഇഎംസി മാനദണ്ഡങ്ങളുടെ ഒരു ലിസ്റ്റ് നൽകുന്നു. വായു വിടവുകളിലൂടെയും കണക്ഷൻ കേബിളുകളിലൂടെയും സിസ്റ്റത്തിലേക്ക് നുഴഞ്ഞുകയറുന്നതിലൂടെ ശബ്ദത്തിന് പ്രവർത്തനങ്ങളെ സ്വാധീനിക്കാൻ കഴിയും. ഈ ലിസ്റ്റ് IEC 61000 സ്റ്റാൻഡേർഡുകൾ അവതരിപ്പിക്കുന്നുampCTSU ഉപയോഗിക്കുന്ന സിസ്റ്റങ്ങളുടെ ശരിയായ പ്രവർത്തനങ്ങൾ ഉറപ്പാക്കാൻ നോയിസ് ഡെവലപ്പർമാർ അറിഞ്ഞിരിക്കണം. കൂടുതൽ വിവരങ്ങൾക്ക് IEC 61000-ൻ്റെ ഏറ്റവും പുതിയ പതിപ്പ് പരിശോധിക്കുക.

പട്ടിക 2-1 EMC ടെസ്റ്റിംഗ് മാനദണ്ഡങ്ങൾ (IEC 61000)

ടെസ്റ്റ് വിവരണം	കഴിഞ്ഞുview	സ്റ്റാൻഡേർഡ്
റേഡിയേറ്റഡ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ടെസ്റ്റ്	താരതമ്യേന ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി RF ശബ്ദത്തിനെതിരായ പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധിക്കുക	ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧
രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധന നടത്തി	താരതമ്യേന കുറഞ്ഞ ഫ്രീക്വൻസി RF ശബ്ദത്തിനുള്ള പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധിക്കുക	ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧
ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഡിസ്ചാർജ് ടെസ്റ്റ് (ESD)	ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഡിസ്ചാർജിനുള്ള പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധിക്കുക	ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧
ഇലക്ട്രിക്കൽ ഫാസ്റ്റ് ട്രാൻസിയൻ്റ്/ബർസ്റ്റ് ടെസ്റ്റ് (EFT/B)	പവർ സപ്ലൈ ലൈനുകളിലും മറ്റും അവതരിപ്പിച്ച തുടർച്ചയായ പൾസ്ഡ് ക്ഷണികമായ പ്രതികരണത്തിനുള്ള പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധന.	ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧

പട്ടിക 2-2 രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധനയ്ക്കുള്ള പ്രകടന മാനദണ്ഡം പട്ടികപ്പെടുത്തുന്നു. ഇഎംസി ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ടെസ്റ്റുകൾക്കായി പ്രകടന മാനദണ്ഡങ്ങൾ വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്, കൂടാതെ ടെസ്റ്റ് സമയത്ത് (EUT) ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രവർത്തനത്തെ അടിസ്ഥാനമാക്കി ഫലങ്ങൾ വിലയിരുത്തപ്പെടുന്നു. ഓരോ സ്റ്റാൻഡേർഡിനും പ്രകടന മാനദണ്ഡം ഒന്നുതന്നെയാണ്.

പട്ടിക 2-2 രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധനയ്ക്കുള്ള പ്രകടന മാനദണ്ഡം

പ്രകടന മാനദണ്ഡം	വിവരണം
A	പരീക്ഷണ സമയത്തും ശേഷവും ഉപകരണങ്ങൾ ഉദ്ദേശിച്ച രീതിയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നത് തുടരും. ഉപകരണം ഉദ്ദേശിച്ച രീതിയിൽ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ നിർമ്മാതാവ് വ്യക്തമാക്കിയ പ്രകടന നിലവാരത്തിന് താഴെയുള്ള പ്രകടനത്തിൻ്റെ അപചയമോ പ്രവർത്തന നഷ്ടമോ അനുവദനീയമല്ല.
B	പരീക്ഷണ സമയത്തും ശേഷവും ഉപകരണങ്ങൾ ഉദ്ദേശിച്ച രീതിയിൽ പ്രവർത്തിക്കുന്നത് തുടരും. ഉപകരണം ഉദ്ദേശിച്ച രീതിയിൽ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ നിർമ്മാതാവ് വ്യക്തമാക്കിയ പ്രകടന നിലവാരത്തിന് താഴെയുള്ള പ്രകടനത്തിൻ്റെ അപചയമോ പ്രവർത്തന നഷ്ടമോ അനുവദനീയമല്ല. ടെസ്റ്റ് സമയത്ത്, പ്രകടനത്തിൻ്റെ അപചയം അനുവദനീയമാണ്. യഥാർത്ഥ പ്രവർത്തന നിലയിലോ സംഭരിച്ച ഡാറ്റയിലോ മാറ്റമൊന്നും അനുവദനീയമല്ല.
C	പ്രവർത്തനം സ്വയം വീണ്ടെടുക്കാവുന്നതോ നിയന്ത്രണങ്ങളുടെ പ്രവർത്തനത്തിലൂടെ പുനഃസ്ഥാപിക്കാവുന്നതോ ആണെങ്കിൽ, പ്രവർത്തനത്തിൻ്റെ താൽക്കാലിക നഷ്ടം അനുവദനീയമാണ്.

RF നോയിസ് കൗണ്ടർമെഷേഴ്സ്

ടെലിവിഷൻ, റേഡിയോ പ്രക്ഷേപണം, മൊബൈൽ ഉപകരണങ്ങൾ, മറ്റ് ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉപകരണങ്ങൾ എന്നിവ ഉപയോഗിക്കുന്ന റേഡിയോ ഫ്രീക്വൻസികളുടെ വൈദ്യുതകാന്തിക തരംഗങ്ങളെ RF ശബ്ദം സൂചിപ്പിക്കുന്നു. RF ശബ്‌ദം നേരിട്ട് ഒരു പിസിബിയിലേക്ക് പ്രവേശിക്കാം അല്ലെങ്കിൽ അത് വൈദ്യുതി വിതരണ ലൈനിലൂടെയും മറ്റ് ബന്ധിപ്പിച്ച കേബിളുകളിലൂടെയും പ്രവേശിക്കാം. പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ വഴി, ആദ്യത്തേതിന് ബോർഡിലും രണ്ടാമത്തേതിന് സിസ്റ്റം തലത്തിലും ശബ്ദ പ്രതിരോധ നടപടികൾ നടപ്പിലാക്കണം. CTSU ഒരു വൈദ്യുത സിഗ്നലായി പരിവർത്തനം ചെയ്തുകൊണ്ട് കപ്പാസിറ്റൻസ് അളക്കുന്നു. ടച്ച് മൂലമുണ്ടാകുന്ന കപ്പാസിറ്റൻസിലെ മാറ്റം വളരെ ചെറുതാണ്, അതിനാൽ സാധാരണ ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ ഉറപ്പാക്കാൻ, സെൻസർ പിൻ, സെൻസറിൻ്റെ പവർ സപ്ലൈ എന്നിവ RF ശബ്ദത്തിൽ നിന്ന് സംരക്ഷിക്കപ്പെടണം. RF നോയിസ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി പരിശോധിക്കുന്നതിന് വ്യത്യസ്ത ടെസ്റ്റ് ഫ്രീക്വൻസികളുള്ള രണ്ട് ടെസ്റ്റുകൾ ലഭ്യമാണ്: IEC 61000-4-3, IEC 61000-4-6.

IEC61000-4-3 ഒരു വികിരണം ചെയ്ത രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധനയാണ്, റേഡിയോ ഫ്രീക്വൻസി ഇലക്ട്രോമാഗ്നറ്റിക് ഫീൽഡിൽ നിന്ന് EUT-ലേക്ക് നേരിട്ട് ഒരു സിഗ്നൽ പ്രയോഗിച്ച് ശബ്ദ പ്രതിരോധശേഷി വിലയിരുത്താൻ ഇത് ഉപയോഗിക്കുന്നു. RF വൈദ്യുതകാന്തിക മണ്ഡലം 80MHz മുതൽ 1GHz വരെയോ അതിൽ കൂടുതലോ ആണ്, ഇത് ഏകദേശം 3.7m മുതൽ 30cm വരെ തരംഗദൈർഘ്യത്തിലേക്ക് പരിവർത്തനം ചെയ്യുന്നു. ഈ തരംഗദൈർഘ്യവും പിസിബിയുടെ നീളവും സമാനമായതിനാൽ, പാറ്റേൺ ഒരു ആൻ്റിനയായി പ്രവർത്തിച്ചേക്കാം, ഇത് CTSU അളക്കൽ ഫലങ്ങളെ പ്രതികൂലമായി ബാധിക്കും. കൂടാതെ, ഓരോ ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡിനും വയറിങ്ങിൻ്റെ നീളം അല്ലെങ്കിൽ പരാന്നഭോജി കപ്പാസിറ്റൻസ് വ്യത്യാസമുണ്ടെങ്കിൽ, ഓരോ ടെർമിനലിനും ബാധിച്ച ആവൃത്തി വ്യത്യാസപ്പെടാം. റേഡിയേറ്റഡ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ടെസ്റ്റിനെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദാംശങ്ങൾക്ക് പട്ടിക 2-3 കാണുക.

പട്ടിക 2-3 റേഡിയേറ്റഡ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ടെസ്റ്റ്

ഫ്രീക്വൻസി റേഞ്ച്	ടെസ്റ്റ് നില	ടെസ്റ്റ് ഫീൽഡ് ശക്തി
80MHz-1GHz ടെസ്റ്റ് പതിപ്പിനെ ആശ്രയിച്ച് 2.7GHz വരെ അല്ലെങ്കിൽ 6.0GHz വരെ	1	1 V/m
	2	3 V/m
	3	10 V/m
	4	30 V/m
	X	വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്

IEC 61000-4-6 ഒരു നടത്തിയ രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധനയാണ്, ഇത് 150kHz നും 80MHz നും ഇടയിലുള്ള ആവൃത്തികൾ വിലയിരുത്താൻ ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് റേഡിയേറ്റഡ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി ടെസ്റ്റിനേക്കാൾ കുറവാണ്. ഈ ഫ്രീക്വൻസി ബാൻഡിന് നിരവധി മീറ്ററുകളോ അതിൽ കൂടുതലോ തരംഗദൈർഘ്യമുണ്ട്, കൂടാതെ 150 kHz തരംഗദൈർഘ്യം ഏകദേശം 2 കിലോമീറ്ററിലെത്തും. EUT-ൽ ഈ നീളമുള്ള ഒരു RF വൈദ്യുതകാന്തിക മണ്ഡലം നേരിട്ട് പ്രയോഗിക്കുന്നത് ബുദ്ധിമുട്ടായതിനാൽ, കുറഞ്ഞ ആവൃത്തിയിലുള്ള തരംഗങ്ങളുടെ പ്രഭാവം വിലയിരുത്തുന്നതിന് EUT-ലേക്ക് നേരിട്ട് ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന ഒരു കേബിളിൽ ഒരു ടെസ്റ്റ് സിഗ്നൽ പ്രയോഗിക്കുന്നു. തരംഗദൈർഘ്യം കുറയുന്നത് വൈദ്യുതി വിതരണത്തെയും സിഗ്നൽ കേബിളുകളെയും ബാധിക്കുന്നു. ഉദാample, ഒരു ഫ്രീക്വൻസി ബാൻഡ് പവർ കേബിളിനെയും പവർ സപ്ലൈ വോളിയത്തെയും ബാധിക്കുന്ന ശബ്ദമുണ്ടാക്കുന്നുവെങ്കിൽtage അസ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നു, CTSU അളക്കൽ ഫലങ്ങൾ എല്ലാ പിന്നുകളിലുമുള്ള ശബ്ദം ബാധിച്ചേക്കാം. നടത്തിയ രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധനയുടെ വിശദാംശങ്ങൾ പട്ടിക 2-4 നൽകുന്നു.

പട്ടിക 2-4 രോഗപ്രതിരോധ പരിശോധന നടത്തി

ഫ്രീക്വൻസി റേഞ്ച്	ടെസ്റ്റ് നില	ടെസ്റ്റ് ഫീൽഡ് ശക്തി
150kHz-80MHz	1	1 V rms
	2	3 V rms
	3	10 V rms
	X	വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്

ഒരു വാണിജ്യ പവർ സപ്ലൈ ഗ്രൗണ്ട് ടെർമിനലുമായി സിസ്റ്റം GND അല്ലെങ്കിൽ MCU VSS ടെർമിനൽ ബന്ധിപ്പിച്ചിട്ടില്ലാത്ത ഒരു എസി പവർ സപ്ലൈ ഡിസൈനിൽ, നടത്തിയ നോയ്സ് നേരിട്ട് ബോർഡിൽ കോമൺ മോഡ് നോയിസായി പ്രവേശിക്കാം, ഇത് ഒരു ബട്ടൺ ആയിരിക്കുമ്പോൾ CTSU അളക്കൽ ഫലങ്ങളിൽ ശബ്ദമുണ്ടാക്കാം. തൊട്ടു.

ചിത്രം 2-1 കോമൺ മോഡ് നോയിസ് എൻട്രൻസ് പാത്ത് കാണിക്കുന്നു, ചിത്രം 2-2 കോമൺ മോഡ് നോയിസും മെഷർമെൻ്റ് കറൻ്റും തമ്മിലുള്ള ബന്ധം കാണിക്കുന്നു. ബോർഡ് GND (B-GND) വീക്ഷണകോണിൽ നിന്ന്, ഭൂമിയിൽ GND (E-GND) സൂപ്പർഇമ്പോസ് ചെയ്യപ്പെടുന്നതിനാൽ സാധാരണ മോഡ് ശബ്ദത്തിൽ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ കാണപ്പെടുന്നു. കൂടാതെ, ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡിൽ (PAD) സ്പർശിക്കുന്ന വിരൽ (മനുഷ്യശരീരം) സ്‌ട്രേ കപ്പാസിറ്റൻസ് കാരണം E-GND-യുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നതിനാൽ, സാധാരണ മോഡ് ശബ്‌ദം കൈമാറ്റം ചെയ്യപ്പെടുകയും E-GND പോലെ തന്നെ ചാഞ്ചാട്ടം സംഭവിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ ഘട്ടത്തിൽ PAD സ്പർശിക്കുകയാണെങ്കിൽ, സാധാരണ മോഡ് നോയ്‌സ് സൃഷ്‌ടിക്കുന്ന ശബ്ദം (VNOISE) വിരലും പാഡും ചേർന്ന് രൂപപ്പെടുന്ന Cf എന്ന കപ്പാസിറ്റൻസിൽ പ്രയോഗിക്കുന്നു, ഇത് CTSU അളക്കുന്ന ചാർജിംഗ് കറൻ്റിന് ചാഞ്ചാട്ടമുണ്ടാക്കുന്നു. ചാർജിംഗ് കറൻ്റിലെ മാറ്റങ്ങൾ സൂപ്പർഇമ്പോസ്ഡ് നോയ്‌സ് ഉള്ള ഡിജിറ്റൽ മൂല്യങ്ങളായി ദൃശ്യമാകുന്നു. CTSU-ൻ്റെ ഡ്രൈവ് പൾസ് ആവൃത്തിയും അതിൻ്റെ ഹാർമോണിക്‌സും പൊരുത്തപ്പെടുന്ന ഫ്രീക്വൻസി ഘടകങ്ങൾ കോമൺ മോഡ് ശബ്ദത്തിൽ ഉൾപ്പെടുന്നുവെങ്കിൽ, അളക്കൽ ഫലങ്ങളിൽ കാര്യമായ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ ഉണ്ടായേക്കാം. പട്ടിക 2-5 RF ശബ്ദ പ്രതിരോധശേഷി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് ആവശ്യമായ പ്രതിരോധ നടപടികളുടെ ഒരു ലിസ്റ്റ് നൽകുന്നു. വികിരണം ചെയ്യപ്പെടുന്ന പ്രതിരോധശേഷിയും നടത്തിയ പ്രതിരോധശേഷിയും മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് മിക്ക പ്രതിരോധ നടപടികളും സാധാരണമാണ്. ഓരോ വികസന ഘട്ടത്തിനും ലിസ്‌റ്റ് ചെയ്‌തിരിക്കുന്ന ഓരോ അനുബന്ധ അധ്യായത്തിൻ്റെയും വിഭാഗം പരിശോധിക്കുക.

പട്ടിക 2-5 RF നോയിസ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി മെച്ചപ്പെടുത്തലുകൾക്ക് ആവശ്യമായ പ്രതിരോധ നടപടികളുടെ ലിസ്റ്റ്

വികസന ഘട്ടം	രൂപകൽപ്പന സമയത്ത് ആവശ്യമായ പ്രതിരോധ നടപടികൾ	അനുബന്ധ വിഭാഗങ്ങൾ
MCU തിരഞ്ഞെടുക്കൽ (CTSU ഫംഗ്‌ഷൻ തിരഞ്ഞെടുക്കൽ)	ശബ്ദ പ്രതിരോധത്തിന് മുൻഗണന നൽകുമ്പോൾ CTSU2 ഉൾച്ചേർത്ത ഒരു MCU ഉപയോഗിക്കുന്നത് ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു. · CTSU2 ആൻ്റി-നോയ്‌സ് കൗണ്ടർമെഷർ ഫംഗ്‌ഷനുകൾ പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കുക: ¾ മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ് ¾ സജീവ ഷീൽഡ് ¾ ഒരു സജീവ ഷീൽഡ് ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ നോൺ-മെഷർമെൻ്റ് ചാനൽ ഔട്ട്പുട്ടിലേക്ക് സജ്ജമാക്കുക   Or · CTSU ആൻ്റി-നോയ്‌സ് കൗണ്ടർമെഷർ ഫംഗ്‌ഷനുകൾ പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കുക: ¾ റാൻഡം ഫേസ് ഷിഫ്റ്റ് ഫംഗ്‌ഷൻ ¾ ഹൈ-ഫ്രീക്വൻസി നോയ്സ് റിഡക്ഷൻ ഫംഗ്ഷൻ	3.3.1   മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ് 3.3.2    സജീവ ഷീൽഡ് 3.3.3    നോൺ-മെഷർമെൻ്റ് ചാനൽ ഔട്ട്പുട്ട് തിരഞ്ഞെടുക്കൽ       3.2.1   റാൻഡം ഫേസ് ഷിഫ്റ്റ് ഫംഗ്ഷൻ 3.2.2    ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ശബ്ദം റിഡക്ഷൻ ഫംഗ്ഷൻ (സ്പ്രെഡ് സ്പെക്ട്രം പ്രവർത്തനം)
ഹാർഡ്‌വെയർ ഡിസൈൻ	ശുപാർശ ചെയ്യുന്ന ഇലക്ട്രോഡ് പാറ്റേൺ ഉപയോഗിച്ച് ബോർഡ് ഡിസൈൻ   · കുറഞ്ഞ ശബ്ദ ഔട്ട്പുട്ടിനായി ഒരു പവർ സപ്ലൈ സ്രോതസ്സ് ഉപയോഗിക്കുക · GND പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ ശുപാർശ: ഒരു ഗ്രൗണ്ടഡ് സിസ്റ്റത്തിൽ ഒരു സാധാരണ മോഡ് നോയ്‌സ് കൗണ്ടർ മെഷറിനായി ഭാഗങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുക       · ഡി ക്രമീകരിച്ചുകൊണ്ട് സെൻസർ പിന്നിലെ ശബ്ദ നുഴഞ്ഞുകയറ്റ നില കുറയ്ക്കുകampറെസിസ്റ്റർ മൂല്യം. · സ്ഥലം ഡിampആശയവിനിമയ ലൈനിലെ ing റെസിസ്റ്റർ MCU പവർ സപ്ലൈ ലൈനിൽ ഉചിതമായ കപ്പാസിറ്റേറ്റർ രൂപകല്പന ചെയ്യുകയും സ്ഥാപിക്കുകയും ചെയ്യുക	4.1.1 ഇലക്‌ട്രോഡ് പാറ്റേൺ സ്‌പർശിക്കുക ഡിസൈനുകൾ 4.1.2.1  വാല്യംtagഇ സപ്ലൈ ഡിസൈൻ 4.1.2.2  GND പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ 4.3.1 സാധാരണ മോഡ് ഫിൽട്ടർ 4.3.4 ജിഎൻഡിക്കുള്ള പരിഗണനകൾ ഷീൽഡും ഇലക്ട്രോഡ് ദൂരവും     4.2.1  ടിഎസ് പിൻ ഡിamping പ്രതിരോധം 4.2.2  ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നൽ ശബ്ദം 4.3.4 ജിഎൻഡിക്കുള്ള പരിഗണനകൾ ഷീൽഡും ഇലക്ട്രോഡ് ദൂരവും
സോഫ്റ്റ്‌വെയർ നടപ്പിലാക്കൽ	അളന്ന മൂല്യങ്ങളിൽ ശബ്ദത്തിൻ്റെ പ്രഭാവം കുറയ്ക്കുന്നതിന് സോഫ്‌റ്റ്‌വെയർ ഫിൽട്ടർ ക്രമീകരിക്കുക · IIR ചലിക്കുന്ന ശരാശരി (മിക്ക റാൻഡം നോയ്സ് കേസുകൾക്കും ഫലപ്രദമാണ്) · FIR ചലിക്കുന്ന ശരാശരി (നിർദ്ദിഷ്ട ആനുകാലിക ശബ്ദത്തിന്)	5.1   IIR ഫിൽട്ടർ   5.2  എഫ്ഐആർ ഫിൽട്ടർ

ESD നോയ്സ് (ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഡിസ്ചാർജ്)

രണ്ട് ചാർജ്ജ് ചെയ്ത വസ്തുക്കൾ സമ്പർക്കത്തിലായിരിക്കുമ്പോഴോ സമീപത്ത് സ്ഥിതിചെയ്യുമ്പോഴോ ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഡിസ്ചാർജ് (ESD) ഉണ്ടാകുന്നു. മനുഷ്യശരീരത്തിൽ അടിഞ്ഞുകൂടുന്ന സ്റ്റാറ്റിക് വൈദ്യുതിക്ക് ഒരു ഓവർലേയിലൂടെ പോലും ഒരു ഉപകരണത്തിൽ ഇലക്ട്രോഡുകളിൽ എത്താൻ കഴിയും. ഇലക്ട്രോഡിലേക്ക് പ്രയോഗിക്കുന്ന ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് എനർജിയുടെ അളവ് അനുസരിച്ച്, CTSU അളക്കൽ ഫലങ്ങൾ ബാധിച്ചേക്കാം, ഇത് ഉപകരണത്തിന് തന്നെ കേടുപാടുകൾ വരുത്തും. അതിനാൽ, ബോർഡ് സർക്യൂട്ടിലെ സംരക്ഷണ ഉപകരണങ്ങൾ, ബോർഡ് ഓവർലേകൾ, ഉപകരണത്തിനായുള്ള സംരക്ഷിത ഭവനങ്ങൾ എന്നിവ പോലുള്ള സിസ്റ്റം തലത്തിൽ പ്രതിരോധ നടപടികൾ അവതരിപ്പിക്കേണ്ടതുണ്ട്. ESD പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധിക്കാൻ IEC 61000-4-2 സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഉപയോഗിക്കുന്നു. പട്ടിക 2-6 ESD ടെസ്റ്റ് വിശദാംശങ്ങൾ നൽകുന്നു. ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ ടാർഗെറ്റ് ആപ്ലിക്കേഷനും ഗുണങ്ങളും ആവശ്യമായ ടെസ്റ്റ് ലെവൽ നിർണ്ണയിക്കും. കൂടുതൽ വിവരങ്ങൾക്ക്, IEC 61000-4-2 സ്റ്റാൻഡേർഡ് കാണുക. ESD ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡിൽ എത്തുമ്പോൾ, അത് തൽക്ഷണം നിരവധി kV കളുടെ സാധ്യതയുള്ള വ്യത്യാസം സൃഷ്ടിക്കുന്നു. ഇത് CTSU അളന്ന മൂല്യത്തിൽ പൾസ് ശബ്‌ദം ഉണ്ടാകുന്നതിന് കാരണമായേക്കാം, അളവ് കൃത്യത കുറയ്ക്കുന്നു, അല്ലെങ്കിൽ ഓവർവോൾ കണ്ടെത്തൽ കാരണം അളവ് നിർത്താംtagഇ അല്ലെങ്കിൽ ഓവർകറൻ്റ്. ESD-യുടെ നേരിട്ടുള്ള പ്രയോഗത്തെ ചെറുക്കാൻ അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ രൂപകൽപ്പന ചെയ്തിട്ടില്ല എന്നത് ശ്രദ്ധിക്കുക. അതിനാൽ, ഉപകരണ കേസ് പരിരക്ഷിച്ചിരിക്കുന്ന ബോർഡ് ഉപയോഗിച്ച് പൂർത്തിയായ ഉൽപ്പന്നത്തിൽ ESD ടെസ്റ്റ് നടത്തണം. ചില കാരണങ്ങളാൽ, ESD ബോർഡിൽ പ്രവേശിക്കുന്ന അപൂർവ സന്ദർഭങ്ങളിൽ സർക്യൂട്ട് പരിരക്ഷിക്കുന്നതിനുള്ള പരാജയ സുരക്ഷാ നടപടികളാണ് ബോർഡിൽ തന്നെ അവതരിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന പ്രതിരോധ നടപടികൾ.

പട്ടിക 2-6 ESD ടെസ്റ്റ്

ടെസ്റ്റ് നില	ടെസ്റ്റ് വോളിയംtage
	ഡിസ്ചാർജ് ബന്ധപ്പെടുക	എയർ ഡിസ്ചാർജ്
1	2 കെ.വി	2 കെ.വി
2	4 കെ.വി	4 കെ.വി
3	6 കെ.വി	8 കെ.വി
4	8 കെ.വി	15 കെ.വി
X	വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്	വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്

EFT നോയിസ് (ഇലക്‌ട്രിക്കൽ ഫാസ്റ്റ് ട്രാൻസിയൻ്റുകൾ)
പവർ സപ്ലൈയുടെ ആന്തരിക കോൺഫിഗറേഷൻ അല്ലെങ്കിൽ റിലേ സ്വിച്ചുകളിലെ ചാറ്റിംഗ് ശബ്‌ദം കാരണം പവർ ഓണാക്കുമ്പോൾ ബാക്ക് ഇലക്‌ട്രോമോട്ടീവ് ഫോഴ്‌സ് പോലുള്ള ഇലക്‌ട്രിക്കൽ ഫാസ്റ്റ് ട്രാൻസിയൻ്റുകൾ (ഇഎഫ്‌ടി) എന്ന പ്രതിഭാസം ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ സൃഷ്ടിക്കുന്നു. പവർ സ്ട്രിപ്പുകൾ പോലെ ഒന്നിലധികം ഇലക്ട്രിക്കൽ ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഏതെങ്കിലും തരത്തിൽ ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന പരിതസ്ഥിതികളിൽ, ഈ ശബ്ദം വൈദ്യുതി വിതരണ ലൈനുകളിലൂടെ സഞ്ചരിക്കുകയും മറ്റ് ഉപകരണങ്ങളുടെ പ്രവർത്തനത്തെ ബാധിക്കുകയും ചെയ്യും. ഒരു പങ്കിട്ട പവർ സ്ട്രിപ്പിലേക്ക് പ്ലഗ് ചെയ്തിട്ടില്ലാത്ത വൈദ്യുത ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ പവർ ലൈനുകളും സിഗ്നൽ ലൈനുകളും പോലും വൈദ്യുതി ലൈനുകൾക്കോ ​​ശബ്ദ ഉറവിടത്തിൻ്റെ സിഗ്നൽ ലൈനുകൾക്കോ ​​സമീപമുള്ളതിനാൽ വായുവിലൂടെ ബാധിച്ചേക്കാം. EFT പ്രതിരോധശേഷി പരിശോധിക്കാൻ IEC 61000-4-4 നിലവാരം ഉപയോഗിക്കുന്നു. IEC 61000-4-4, EUT പവറിലേക്കും സിഗ്നൽ ലൈനുകളിലേക്കും ആനുകാലിക EFT സിഗ്നലുകൾ കുത്തിവയ്ക്കുന്നതിലൂടെ പ്രതിരോധശേഷി വിലയിരുത്തുന്നു. CTSU മെഷർമെൻ്റ് ഫലങ്ങളിൽ EFT നോയ്സ് ഒരു ആനുകാലിക പൾസ് സൃഷ്ടിക്കുന്നു, ഇത് ഫലങ്ങളുടെ കൃത്യത കുറയ്ക്കുകയോ തെറ്റായ സ്പർശനം കണ്ടെത്തുന്നതിന് കാരണമാവുകയോ ചെയ്യാം. പട്ടിക 2-7 EFT/B (ഇലക്ട്രിക്കൽ ഫാസ്റ്റ് ട്രാൻസിയൻ്റ് ബർസ്റ്റ്) ടെസ്റ്റ് വിശദാംശങ്ങൾ നൽകുന്നു.

പട്ടിക 2-7 EFT/B ടെസ്റ്റ്

ടെസ്റ്റ് നില	ഓപ്പൺ സർക്യൂട്ട് ടെസ്റ്റ് വോളിയംtagഇ (കൊടുമുടി)		പൾസ് ആവർത്തന ആവൃത്തി (PRF)
	വൈദ്യുതി വിതരണം ലൈൻ/ഗ്രൗണ്ട് വയർ	സിഗ്നൽ/നിയന്ത്രണ ലൈൻ
1	0.5 കെ.വി	0.25 കെ.വി	5kHz അല്ലെങ്കിൽ 100kHz
2	1 കെ.വി	0.5 കെ.വി
3	2 കെ.വി	1 കെ.വി
4	4 കെ.വി	2 കെ.വി
X	വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്		വ്യക്തിഗതമായി വ്യക്തമാക്കിയിട്ടുണ്ട്

CTSU നോയിസ് കൗണ്ടർമെഷർ പ്രവർത്തനങ്ങൾ

CTSU-കളിൽ നോയ്‌സ് കൗണ്ടർ മെഷർ ഫംഗ്‌ഷനുകൾ സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നു, എന്നാൽ നിങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്ന MCU, CTSU എന്നിവയുടെ പതിപ്പിനെ ആശ്രയിച്ച് ഓരോ ഫംഗ്‌ഷൻ്റെയും ലഭ്യത വ്യത്യാസപ്പെടുന്നു. ഒരു പുതിയ ഉൽപ്പന്നം വികസിപ്പിക്കുന്നതിന് മുമ്പ് എല്ലായ്പ്പോഴും MCU, CTSU പതിപ്പുകൾ സ്ഥിരീകരിക്കുക. ഈ അധ്യായം ഓരോ CTSU പതിപ്പിനും ഇടയിലുള്ള നോയിസ് കൗണ്ടർമെഷർ ഫംഗ്‌ഷനുകളിലെ വ്യത്യാസങ്ങൾ വിശദീകരിക്കുന്നു.

അളക്കൽ തത്വങ്ങളും ശബ്ദത്തിൻ്റെ ഫലവും
ഓരോ മെഷർമെൻ്റ് സൈക്കിളിനും CTSU ഒന്നിലധികം തവണ ചാർജ് ചെയ്യുകയും ഡിസ്ചാർജ് ചെയ്യുകയും ചെയ്യുന്നു. ഓരോ ചാർജിൻ്റെയും ഡിസ്ചാർജ് കറൻ്റിൻ്റെയും അളവെടുപ്പ് ഫലങ്ങൾ ശേഖരിക്കപ്പെടുകയും അന്തിമ അളവ് ഫലം രജിസ്റ്ററിൽ സൂക്ഷിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ രീതിയിൽ, ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസി വർദ്ധിപ്പിച്ച് ഒരു യൂണിറ്റ് സമയത്തിനുള്ള അളവുകളുടെ എണ്ണം വർദ്ധിപ്പിക്കാൻ കഴിയും, അങ്ങനെ ഡൈനാമിക് റേഞ്ച് (DR) മെച്ചപ്പെടുത്തുകയും ഉയർന്ന സെൻസിറ്റീവ് CTSU അളവുകൾ മനസ്സിലാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. മറുവശത്ത്, ബാഹ്യ ശബ്ദം ചാർജിലോ ഡിസ്ചാർജ് കറൻ്റിലോ മാറ്റങ്ങൾ വരുത്തുന്നു. ആനുകാലിക ശബ്‌ദം സൃഷ്‌ടിക്കുന്ന ഒരു പരിതസ്ഥിതിയിൽ, സെൻസർ കൗണ്ടർ രജിസ്റ്ററിൽ സംഭരിച്ചിരിക്കുന്ന അളവെടുപ്പ് ഫലം ഒരു ദിശയിലുള്ള വൈദ്യുതധാരയുടെ അളവ് കൂടുകയോ കുറയുകയോ ചെയ്യുന്നതിനാൽ ഓഫ്‌സെറ്റ് ചെയ്യുന്നു. അത്തരം ശബ്ദ സംബന്ധിയായ ഇഫക്റ്റുകൾ ആത്യന്തികമായി അളക്കൽ കൃത്യത കുറയ്ക്കുന്നു. ആനുകാലിക ശബ്‌ദം കാരണം ചാർജ് കറൻ്റ് പിശകിൻ്റെ ഒരു ചിത്രം ചിത്രം 3-1 കാണിക്കുന്നു. സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസിയും അതിൻ്റെ ഹാർമോണിക് നോയിസുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്നവയാണ് ആനുകാലിക ശബ്ദമായി തോന്നുന്ന ആവൃത്തികൾ. ആനുകാലിക ശബ്‌ദത്തിൻ്റെ ഉയരുകയോ കുറയുകയോ ചെയ്യുന്ന അഗ്രം SW1 ON കാലയളവുമായി സമന്വയിപ്പിക്കുമ്പോൾ അളക്കൽ പിശകുകൾ കൂടുതലാണ്. ഈ ആനുകാലിക ശബ്‌ദത്തിൽ നിന്നുള്ള സംരക്ഷണമായി CTSU-ൽ ഹാർഡ്‌വെയർ ലെവൽ നോയ്‌സ് കൗണ്ടർമെഷർ ഫംഗ്‌ഷനുകൾ സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നു.

CTSU1
CTSU1 റാൻഡം ഫേസ് ഷിഫ്റ്റ് ഫംഗ്‌ഷനും ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി നോയ്‌സ് റിഡക്ഷൻ ഫംഗ്‌ഷനും (സ്‌പ്രെഡ് സ്‌പെക്‌ട്രം ഫംഗ്‌ഷൻ) കൊണ്ട് സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നു. സെൻസർ ഡ്രൈവിൻ്റെ പൾസ് ഫ്രീക്വൻസിയുടെ അടിസ്ഥാന ഹാർമോണിക്‌സും നോയ്‌സ് ഫ്രീക്വൻസിയും പൊരുത്തപ്പെടുമ്പോൾ അളന്ന മൂല്യത്തിലുള്ള പ്രഭാവം കുറയ്ക്കാനാകും. സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസിയുടെ പരമാവധി ക്രമീകരണ മൂല്യം 4.0MHz ആണ്.

റാൻഡം ഫേസ് ഷിഫ്റ്റ് ഫംഗ്ഷൻ
റാൻഡം ഫേസ് ഷിഫ്റ്റ് ഫംഗ്‌ഷൻ ഉപയോഗിച്ച് നോയ്‌സ് ഡീസിൻക്രൊണൈസേഷൻ്റെ ഒരു ചിത്രം ചിത്രം 3-2 കാണിക്കുന്നു. റാൻഡം ടൈമിംഗിൽ സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസിൻ്റെ ഘട്ടം 180 ഡിഗ്രി മാറ്റുന്നതിലൂടെ, ആനുകാലിക ശബ്‌ദം മൂലമുള്ള വൈദ്യുതധാരയിലെ ഏകദിശയിലുള്ള വർദ്ധനവ്/കുറവ് ക്രമരഹിതമാക്കുകയും അളക്കൽ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് സുഗമമാക്കുകയും ചെയ്യാം. CTSU മൊഡ്യൂളിലും ടച്ച് മൊഡ്യൂളിലും ഈ പ്രവർത്തനം എപ്പോഴും പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കിയിരിക്കും.

ഹൈ-ഫ്രീക്വൻസി നോയ്സ് റിഡക്ഷൻ ഫംഗ്ഷൻ (സ്പ്രെഡ് സ്പെക്ട്രം ഫംഗ്ഷൻ)
ഹൈ-ഫ്രീക്വൻസി നോയ്സ് റിഡക്ഷൻ ഫംഗ്ഷൻ മനഃപൂർവ്വം ചേർത്ത ചാറ്റിംഗ് ഉപയോഗിച്ച് സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസി അളക്കുന്നു. അളവെടുക്കൽ പിശകിൻ്റെ കൊടുമുടി ചിതറിക്കാനും അളക്കൽ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്താനും ഇത് സിൻക്രണസ് നോയ്‌സ് ഉപയോഗിച്ച് സിൻക്രൊണൈസേഷൻ പോയിൻ്റിനെ ക്രമരഹിതമാക്കുന്നു. കോഡ് ജനറേഷൻ വഴി CTSU മൊഡ്യൂൾ ഔട്ട്‌പുട്ടിലും ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ ഔട്ട്‌പുട്ടിലും ഈ ഫംഗ്‌ഷൻ എപ്പോഴും പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കിയിരിക്കുന്നു.

CTSU2

മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ്
മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളക്കൽ വ്യത്യസ്ത ആവൃത്തികളുള്ള ഒന്നിലധികം സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസികൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു. ഓരോ ഡ്രൈവ് പൾസ് ആവൃത്തിയിലും ഇടപെടൽ ഒഴിവാക്കാൻ സ്പ്രെഡ് സ്പെക്ട്രം ഉപയോഗിക്കില്ല. സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസിയിലെ സിൻക്രണസ് നോയിസിനെതിരെയും ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് പാറ്റേണിലൂടെ അവതരിപ്പിക്കുന്ന ശബ്ദത്തിനെതിരെയും ഇത് ഫലപ്രദമാണ് എന്നതിനാൽ ഈ ഫംഗ്ഷൻ നടത്തിയതും വികിരണം ചെയ്യപ്പെട്ടതുമായ RF ശബ്ദത്തിനെതിരെ പ്രതിരോധശേഷി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു. മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റിൽ അളന്ന മൂല്യങ്ങൾ എങ്ങനെ തിരഞ്ഞെടുക്കപ്പെടുന്നു എന്നതിൻ്റെ ഒരു ചിത്രം ചിത്രം 3-3 കാണിക്കുന്നു, കൂടാതെ ചിത്രം 3-4 ഒരേ അളവെടുപ്പ് രീതിയിൽ ശബ്ദ ആവൃത്തികളെ വേർതിരിക്കുന്ന ഒരു ചിത്രം കാണിക്കുന്നു. അളക്കൽ കൃത്യത മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനായി ഒന്നിലധികം ആവൃത്തികളിൽ എടുത്ത അളവുകളുടെ ഗ്രൂപ്പിൽ നിന്നുള്ള ശബ്ദത്തെ ബാധിക്കുന്ന അളവെടുപ്പ് ഫലങ്ങൾ മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ് നിരസിക്കുന്നു.

CTSU ഡ്രൈവറും ടച്ച് മിഡിൽവെയർ മൊഡ്യൂളുകളും (FSP, FIT, അല്ലെങ്കിൽ SIS ഡോക്യുമെൻ്റേഷൻ കാണുക), "ക്യുഇ ഫോർ കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച്" ട്യൂണിംഗ് ഘട്ടം നടപ്പിലാക്കുമ്പോൾ, മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റിൻ്റെ പാരാമീറ്ററുകൾ സ്വയമേവ ജനറേറ്റുചെയ്യുന്നു, കൂടാതെ മൾട്ടി- ആവൃത്തി അളക്കൽ ഉപയോഗിക്കാം. ട്യൂണിംഗ് ഘട്ടത്തിൽ വിപുലമായ സജ്ജീകരണങ്ങൾ പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കുന്നതിലൂടെ, പരാമീറ്ററുകൾ സ്വമേധയാ സജ്ജമാക്കാൻ കഴിയും. അഡ്വാൻസ്ഡ് മോഡ് മൾട്ടി-ക്ലോക്ക് മെഷർമെൻ്റ് ക്രമീകരണങ്ങളെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദാംശങ്ങൾക്ക്, കാണുക കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് അഡ്വാൻസ്ഡ് മോഡ് പാരാമീറ്റർ ഗൈഡ് (R30AN0428EJ0100). ചിത്രം 3-5 ഒരു മുൻ കാണിക്കുന്നുampമൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റിൽ ഇടപെടൽ ആവൃത്തി. ഈ മുൻampമെഷർമെൻ്റ് ഫ്രീക്വൻസി 1MHz ആയി സജ്ജീകരിക്കുകയും ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് സ്പർശിക്കുമ്പോൾ ബോർഡിൽ കോമൺ മോഡ് കണ്ടക്ഷൻ നോയ്സ് പ്രയോഗിക്കുകയും ചെയ്യുമ്പോൾ ദൃശ്യമാകുന്ന ഇടപെടൽ ആവൃത്തി le കാണിക്കുന്നു. ഗ്രാഫ് (എ) ഓട്ടോ-ട്യൂണിങ്ങിനു ശേഷം ഉടൻ തന്നെ ക്രമീകരണം കാണിക്കുന്നു; 12.5MHz-ൻ്റെ 2-ആം ആവൃത്തിയെ അടിസ്ഥാനമാക്കി, അളക്കൽ ആവൃത്തി 12.5-ആം ആവൃത്തിക്ക് +3% ​​ആയും 1-ആം ആവൃത്തിക്ക് -1% ​​ആയും സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നു. ഓരോ അളവെടുപ്പ് ആവൃത്തിയും ശബ്ദത്തെ തടസ്സപ്പെടുത്തുന്നുവെന്ന് ഗ്രാഫ് സ്ഥിരീകരിക്കുന്നു. ഗ്രാഫ് (ബി) ഒരു മുൻ കാണിക്കുന്നുampഅളവെടുപ്പ് ആവൃത്തി സ്വമേധയാ ട്യൂൺ ചെയ്യുന്ന le; മെഷർമെൻ്റ് ഫ്രീക്വൻസി 20.3MHz ൻ്റെ 2st ഫ്രീക്വൻസിയെ അടിസ്ഥാനമാക്കി 9.4-ആം ഫ്രീക്വൻസിക്ക് -3% ആയും 1rd ഫ്രീക്വൻസിക്ക് +1% ആയും സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്നു. അളക്കൽ ഫലങ്ങളിൽ ഒരു നിർദ്ദിഷ്ട ഫ്രീക്വൻസി നോയ്‌സ് ദൃശ്യമാകുകയും നോയ്‌സ് ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് ഫ്രീക്വൻസിയുമായി പൊരുത്തപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നുവെങ്കിൽ, ശബ്‌ദ ആവൃത്തിയും മെഷർമെൻ്റ് ഫ്രീക്വൻസിയും തമ്മിലുള്ള ഇടപെടൽ ഒഴിവാക്കാൻ യഥാർത്ഥ പരിതസ്ഥിതി വിലയിരുത്തുമ്പോൾ മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ് ക്രമീകരിക്കുന്നുവെന്ന് ഉറപ്പാക്കുക.

സജീവ ഷീൽഡ്
CTSU2 സെൽഫ് കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതിയിൽ, സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസിൻ്റെ അതേ പൾസ് ഘട്ടത്തിൽ ഷീൽഡ് പാറ്റേൺ ഓടിക്കാൻ ഒരു സജീവ ഷീൽഡ് ഉപയോഗിക്കാം. സജീവമായ ഷീൽഡ് പ്രവർത്തനക്ഷമമാക്കാൻ, കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇൻ്റർഫേസ് കോൺഫിഗറേഷനായുള്ള ക്യുഇയിൽ, സജീവ ഷീൽഡ് പാറ്റേണുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുന്ന പിൻ “ഷീൽഡ് പിൻ” ​​ആയി സജ്ജമാക്കുക. ഒരു ടച്ച് ഇൻ്റർഫേസ് കോൺഫിഗറേഷനിൽ (രീതി) ഒരു പിന്നിലേക്ക് സജീവ ഷീൽഡ് സജ്ജീകരിക്കാം. ആക്റ്റീവ് ഷീൽഡിൻ്റെ പ്രവർത്തനത്തെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദീകരണത്തിന്, കാണുക ”കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU-കൾക്കുള്ള കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് യൂസർ ഗൈഡ് (R30AN0424)”. പിസിബി ഡിസൈൻ വിവരങ്ങൾക്ക്, റഫർ ചെയ്യുക ”CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389)".

നോൺ-മെഷർമെൻ്റ് ചാനൽ ഔട്ട്പുട്ട് തിരഞ്ഞെടുക്കൽ
CTSU2 സെൽഫ് കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതിയിൽ, സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസിൻ്റെ അതേ ഘട്ടത്തിലുള്ള പൾസ് ഔട്ട്പുട്ട് നോൺ-മെഷർമെൻ്റ് ചാനൽ ഔട്ട്പുട്ടായി സജ്ജീകരിക്കാം. കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇൻ്റർഫേസ് കോൺഫിഗറേഷനായുള്ള ക്യുഇയിൽ (രീതി), നോൺ-മെഷർമെൻ്റ് ചാനലുകൾ (ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡുകൾ) ആക്റ്റീവ് ഷീൽഡിംഗ് ഉപയോഗിച്ച് നിയുക്തമാക്കിയ രീതികൾക്കായി ഒരേ പൾസ് ഫേസ് ഔട്ട്പുട്ടിലേക്ക് സ്വയമേവ സജ്ജീകരിക്കുന്നു.

ഹാർഡ്‌വെയർ നോയിസ് പ്രതിരോധ നടപടികൾ

സാധാരണ ശബ്ദ പ്രതിരോധ നടപടികൾ

ഇലക്ട്രോഡ് പാറ്റേൺ ഡിസൈനുകൾ സ്പർശിക്കുക
ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് സർക്യൂട്ട് ശബ്ദത്തിന് വളരെ വിധേയമാണ്, ഹാർഡ്‌വെയർ രൂപകൽപ്പനയിൽ നോയ്‌സ് ഇമ്മ്യൂണിറ്റി പരിഗണിക്കേണ്ടതുണ്ട്.tagഇ. ശബ്ദ പ്രതിരോധം കൈകാര്യം ചെയ്യുന്ന വിശദമായ ബോർഡ് ഡിസൈൻ നിയമങ്ങൾക്കായി, ദയവായി ഇതിൻ്റെ ഏറ്റവും പുതിയ പതിപ്പ് പരിശോധിക്കുക CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389). ചിത്രം 4-1 ഒരു ഓവർ കാണിക്കുന്ന ഗൈഡിൽ നിന്നുള്ള ഒരു ഉദ്ധരണി നൽകുന്നുview സ്വയം-കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതി പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ, ചിത്രം 4-2 മ്യൂച്വൽ-കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതി പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ ഒരേ കാണിക്കുന്നു.

1. ഇലക്ട്രോഡ് ആകൃതി: ചതുരം അല്ലെങ്കിൽ വൃത്തം
2. ഇലക്ട്രോഡ് വലിപ്പം: 10mm മുതൽ 15mm വരെ
3. ഇലക്ട്രോഡ് പ്രോക്സിമിറ്റി: ഇലക്ട്രോഡുകൾ സ്ഥാപിക്കണം ample ദൂരം, അതിനാൽ അവർ ടാർഗെറ്റ് ഹ്യൂമൻ ഇൻ്റർഫേസിനോട് ഒരേസമയം പ്രതികരിക്കില്ല, (ഈ പ്രമാണത്തിൽ "വിരൽ" എന്ന് പരാമർശിക്കുന്നു); നിർദ്ദേശിച്ച ഇടവേള: ബട്ടൺ വലിപ്പം x 0.8 അല്ലെങ്കിൽ കൂടുതൽ
4. വയർ വീതി: ഏകദേശം. അച്ചടിച്ച ബോർഡിന് 0.15mm മുതൽ 0.20mm വരെ
5. വയറിംഗ് നീളം: വയറിംഗ് കഴിയുന്നത്ര ചെറുതാക്കുക. കോണുകളിൽ, 45-ഡിഗ്രി ആംഗിൾ രൂപപ്പെടുത്തുക, വലത് കോണല്ല.
6. വയറിങ് സ്‌പെയ്‌സിംഗ്: (എ) അയൽ ഇലക്‌ട്രോഡുകൾ വഴി തെറ്റായി കണ്ടെത്തുന്നത് തടയാൻ കഴിയുന്നത്ര സ്‌പെയ്‌സിംഗ് ഉണ്ടാക്കുക. (B) 1.27mm പിച്ച്
7. ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് GND പാറ്റേൺ വീതി: 5mm
8. ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് ജിഎൻഡി പാറ്റേണും ബട്ടൺ/വയറിംഗ് സ്‌പെയ്‌സിംഗ് (എ) ഇലക്‌ട്രോഡുകൾക്ക് ചുറ്റുമുള്ള ഏരിയ: വയറിംഗിന് ചുറ്റുമുള്ള 5 എംഎം (ബി) ഏരിയ: ഇലക്‌ട്രോഡ് ഏരിയയിൽ 3 മില്ലീമീറ്ററോ അതിൽ കൂടുതലോ അതുപോലെ ക്രോസ് ഹാച്ച്ഡ് പാറ്റേണുള്ള വയറിംഗും എതിർ പ്രതലവും. കൂടാതെ, ശൂന്യമായ ഇടങ്ങളിൽ ഒരു ക്രോസ്-ഹാച്ച് പാറ്റേൺ സ്ഥാപിക്കുക, കൂടാതെ ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് പാറ്റേണുകളുടെ 2 ഉപരിതലങ്ങൾ വിയാസിലൂടെ ബന്ധിപ്പിക്കുക. ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് പാറ്റേൺ അളവുകൾ, സജീവമായ ഷീൽഡ് (CTSU2.5 മാത്രം), മറ്റ് ആൻ്റി-നോയ്‌സ് കൗണ്ടർമെഷറുകൾ എന്നിവയ്ക്കായി "2 ആൻ്റി-നോയ്‌സ് ലേഔട്ട് പാറ്റേൺ ഡിസൈനുകൾ" എന്ന വിഭാഗം കാണുക.
9. ഇലക്ട്രോഡ് + വയറിംഗ് കപ്പാസിറ്റൻസ്: 50pF അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കുറവ്
10. ഇലക്ട്രോഡ് + വയറിംഗ് പ്രതിരോധം: 2K0 അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കുറവ് (d ഉൾപ്പെടെamp5600 റഫറൻസ് മൂല്യമുള്ള ing റെസിസ്റ്റർ)

ചിത്രം 4-1 സ്വയം കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതിക്കുള്ള പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ ശുപാർശകൾ (ഉദ്ധരണം)

1. ഇലക്ട്രോഡ് ആകൃതി: ചതുരം (സംയോജിത ട്രാൻസ്മിറ്റർ ഇലക്ട്രോഡ് TX, റിസീവർ ഇലക്ട്രോഡ് RX)
2. ഇലക്‌ട്രോഡ് വലുപ്പം: 10 മിമി അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കൂടുതലുള്ള ഇലക്‌ട്രോഡ് പ്രോക്‌സിമിറ്റി: ഇലക്‌ട്രോഡുകൾ സ്ഥാപിക്കേണ്ടത് ampടച്ച് ഒബ്‌ജക്‌റ്റിനോട് (വിരലുകൾ മുതലായവ) ഒരേസമയം പ്രതികരിക്കാതിരിക്കാൻ le ദൂരം, (നിർദ്ദേശിച്ച ഇടവേള: ബട്ടൺ വലുപ്പം x 0.8 അല്ലെങ്കിൽ കൂടുതൽ)
   • വയർ വീതി: വൻതോതിൽ ഉൽപ്പാദിപ്പിക്കാൻ കഴിയുന്ന ഏറ്റവും കനം കുറഞ്ഞ വയർ; ഏകദേശം അച്ചടിച്ച ബോർഡിന് 0.15mm മുതൽ 0.20mm വരെ
3. വയറിംഗ് നീളം: വയറിംഗ് കഴിയുന്നത്ര ചെറുതാക്കുക. കോണുകളിൽ, 45-ഡിഗ്രി ആംഗിൾ രൂപപ്പെടുത്തുക, വലത് കോണല്ല.
4. വയറിംഗ് സ്പെയ്സിംഗ്:
   • അയൽ ഇലക്ട്രോഡുകൾ വഴി തെറ്റായ കണ്ടെത്തൽ തടയാൻ കഴിയുന്നത്ര വിസ്താരം ഉണ്ടാക്കുക.
   • ഇലക്ട്രോഡുകൾ വേർതിരിക്കുമ്പോൾ: ഒരു 1.27mm പിച്ച്
   • Tx-നും Rx-നും ഇടയിൽ കപ്ലിംഗ് കപ്പാസിറ്റൻസ് സൃഷ്ടിക്കുന്നത് തടയാൻ 20mm അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കൂടുതൽ.
5. ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് ജിഎൻഡി പാറ്റേൺ (ഷീൽഡ് ഗാർഡ്) പ്രോക്‌സിമിറ്റി ശുപാർശ ചെയ്യുന്ന ബട്ടൺ പാറ്റേണിലെ പിൻ പാരാസൈറ്റിക് കപ്പാസിറ്റൻസ് താരതമ്യേന ചെറുതായതിനാൽ, പിന്നുകൾ ജിഎൻഡിയോട് അടുക്കുമ്പോൾ പരാദ കപ്പാസിറ്റൻസ് വർദ്ധിക്കുന്നു.
   • എ: ഇലക്‌ട്രോഡുകൾക്ക് ചുറ്റും 4 മില്ലീമീറ്ററോ അതിൽ കൂടുതലോ ഞങ്ങൾ ഏകദേശം ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു. ഇലക്ട്രോഡുകൾക്കിടയിൽ 2-എംഎം വീതിയുള്ള ക്രോസ്-ഹാച്ച്ഡ് ജിഎൻഡി പ്ലെയിൻ പാറ്റേൺ.
   • ബി: വയറിംഗിന് ചുറ്റും 1.27 മില്ലിമീറ്ററോ അതിൽ കൂടുതലോ
6. Tx, Rx പരാന്നഭോജി കപ്പാസിറ്റൻസ്: 20pF അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കുറവ്
7. ഇലക്ട്രോഡ് + വയറിംഗ് പ്രതിരോധം: 2kQ അല്ലെങ്കിൽ അതിൽ കുറവ് (d ഉൾപ്പെടെamp5600 റഫറൻസ് മൂല്യമുള്ള ing റെസിസ്റ്റർ)
8. GND പാറ്റേൺ ഇലക്‌ട്രോഡുകളുടെയോ വയറിങ്ങിൻ്റെയോ അടിയിൽ നേരിട്ട് സ്ഥാപിക്കരുത്. പരസ്പര-കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതിക്ക് സജീവ ഷീൽഡ് ഫംഗ്ഷൻ ഉപയോഗിക്കാൻ കഴിയില്ല.

ചിത്രം 4-2 മ്യൂച്വൽ കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതിക്കുള്ള പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ ശുപാർശകൾ (ഉദ്ധരണം)

പവർ സപ്ലൈ ഡിസൈൻ
മിനിട്ട് ഇലക്ട്രിക്കൽ സിഗ്നലുകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുന്ന ഒരു അനലോഗ് പെരിഫറൽ മൊഡ്യൂളാണ് CTSU. ശബ്ദം വോളിയത്തിൽ നുഴഞ്ഞുകയറുമ്പോൾtage MCU അല്ലെങ്കിൽ GND പാറ്റേണിലേക്ക് വിതരണം ചെയ്യുന്നു, ഇത് സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസിൽ സാധ്യതയുള്ള ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾക്ക് കാരണമാകുകയും അളക്കൽ കൃത്യത കുറയ്ക്കുകയും ചെയ്യുന്നു. MCU-ലേക്ക് സുരക്ഷിതമായി പവർ നൽകുന്നതിന് വൈദ്യുതി വിതരണ ലൈനിലേക്ക് ഒരു നോയിസ് കൗണ്ടർ മെഷർ ഉപകരണം അല്ലെങ്കിൽ ഒരു ഓൺബോർഡ് പവർ സപ്ലൈ സർക്യൂട്ട് ചേർക്കാൻ ഞങ്ങൾ ശക്തമായി നിർദ്ദേശിക്കുന്നു.

വാല്യംtagഇ സപ്ലൈ ഡിസൈൻ
MCU പവർ സപ്ലൈ പിൻ വഴിയുള്ള ശബ്‌ദ നുഴഞ്ഞുകയറ്റം തടയാൻ സിസ്റ്റത്തിനോ ഓൺബോർഡ് ഉപകരണത്തിനോ പവർ സപ്ലൈ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുമ്പോൾ നടപടിയെടുക്കണം. ഇനിപ്പറയുന്ന രൂപകൽപ്പനയുമായി ബന്ധപ്പെട്ട ശുപാർശകൾ ശബ്ദ നുഴഞ്ഞുകയറ്റം തടയാൻ സഹായിക്കും.

• ഇംപെഡൻസ് കുറയ്ക്കുന്നതിന് സിസ്റ്റത്തിലേക്കുള്ള പവർ സപ്ലൈ കേബിളും ആന്തരിക വയറിംഗും കഴിയുന്നത്ര ചെറുതായി സൂക്ഷിക്കുക.
• ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ശബ്‌ദം തടയാൻ ഒരു നോയ്‌സ് ഫിൽട്ടർ (ഫെറൈറ്റ് കോർ, ഫെറൈറ്റ് ബീഡ് മുതലായവ) സ്ഥാപിച്ച് തിരുകുക.
• MCU പവർ സപ്ലൈയിലെ തരംഗങ്ങൾ കുറയ്ക്കുക. MCU-ൻ്റെ വോള്യത്തിൽ ഒരു ലീനിയർ റെഗുലേറ്റർ ഉപയോഗിക്കാൻ ഞങ്ങൾ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നുtagഇ വിതരണം. കുറഞ്ഞ ശബ്ദ ഔട്ട്പുട്ടും ഉയർന്ന PSRR സവിശേഷതകളും ഉള്ള ഒരു ലീനിയർ റെഗുലേറ്റർ തിരഞ്ഞെടുക്കുക.
• ബോർഡിൽ ഉയർന്ന കറൻ്റ് ലോഡുകളുള്ള നിരവധി ഉപകരണങ്ങൾ ഉള്ളപ്പോൾ, MCU-യ്‌ക്കായി ഒരു പ്രത്യേക പവർ സപ്ലൈ ചേർക്കാൻ ഞങ്ങൾ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു. ഇത് സാധ്യമല്ലെങ്കിൽ, വൈദ്യുതി വിതരണത്തിൻ്റെ റൂട്ടിൽ പാറ്റേൺ വേർതിരിക്കുക.
• MCU പിന്നിൽ ഉയർന്ന കറൻ്റ് ഉപഭോഗമുള്ള ഒരു ഉപകരണം പ്രവർത്തിപ്പിക്കുമ്പോൾ, ഒരു ട്രാൻസിസ്റ്റർ അല്ലെങ്കിൽ FET ഉപയോഗിക്കുക.

ചിത്രം 4-3 വൈദ്യുതി വിതരണ ലൈനിനായി നിരവധി ലേഔട്ടുകൾ കാണിക്കുന്നു. Vo എന്നത് പവർ സപ്ലൈ വോളിയമാണ്tage, IC2 പ്രവർത്തനങ്ങളുടെ ഫലമായുണ്ടാകുന്ന ഉപഭോഗ നിലവിലെ ഏറ്റക്കുറച്ചിലാണിത്, Z എന്നത് പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ ഇംപെഡൻസാണ്. Vn ആണ് വോള്യംtage പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ വഴി ജനറേറ്റുചെയ്യുന്നു, ഇത് Vn = in×Z ആയി കണക്കാക്കാം. GND പാറ്റേണും അതേ രീതിയിൽ പരിഗണിക്കാം. GND പാറ്റേണിനെക്കുറിച്ചുള്ള കൂടുതൽ വിവരങ്ങൾക്ക്, 4.1.2.2 GND പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ കാണുക. കോൺഫിഗറേഷനിൽ (a), MCU-ലേക്കുള്ള പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ ദൈർഘ്യമേറിയതാണ്, കൂടാതെ MCU-ൻ്റെ വൈദ്യുതി വിതരണത്തിന് സമീപം IC2 വിതരണ ലൈനുകൾ ശാഖ ചെയ്യുന്നു. ഈ കോൺഫിഗറേഷൻ MCU-ൻ്റെ വോള്യമായി ശുപാർശ ചെയ്തിട്ടില്ലtagIC2 പ്രവർത്തനത്തിലായിരിക്കുമ്പോൾ e സപ്ലൈ Vn ശബ്ദത്തിന് വിധേയമാണ്. (ബി), (സി) സർക്യൂട്ട് ഡയഗ്രമുകൾ (ബി), (സി) എന്നിവ (എ) പോലെയാണ്, എന്നാൽ പാറ്റേൺ ഡിസൈനുകൾ വ്യത്യസ്തമാണ്. (ബി) പവർ സപ്ലൈയുടെ റൂട്ടിൽ നിന്ന് പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ ശാഖ ചെയ്യുന്നു, കൂടാതെ പവർ സപ്ലൈക്കും എംസിയുവിനും ഇടയിൽ Z കുറയ്ക്കുന്നതിലൂടെ Vn ശബ്ദത്തിൻ്റെ പ്രഭാവം കുറയുന്നു. (സി) Z കുറയ്ക്കുന്നതിന് വൈദ്യുതി വിതരണ ലൈനിൻ്റെ ഉപരിതല വിസ്തീർണ്ണവും ലൈൻ വീതിയും വർദ്ധിപ്പിച്ച് Vn-ൻ്റെ പ്രഭാവം കുറയ്ക്കുന്നു.

GND പാറ്റേൺ ഡിസൈൻ
പാറ്റേൺ രൂപകൽപ്പനയെ ആശ്രയിച്ച്, ശബ്ദം GND-ന് കാരണമായേക്കാം, ഇത് റഫറൻസ് വോളിയമാണ്tage MCU, ഓൺബോർഡ് ഉപകരണങ്ങൾ, സാധ്യതകളിൽ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ, CTSU അളക്കൽ കൃത്യത കുറയുന്നു. GND പാറ്റേൺ രൂപകൽപ്പനയ്ക്കുള്ള ഇനിപ്പറയുന്ന സൂചനകൾ സാധ്യതയുള്ള ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ തടയാൻ സഹായിക്കും.

• ഒരു വലിയ ഉപരിതല വിസ്തീർണ്ണത്തിൽ ഇംപെഡൻസ് കുറയ്ക്കാൻ കഴിയുന്നത്ര സോളിഡ് GND പാറ്റേൺ ഉപയോഗിച്ച് ശൂന്യമായ ഇടങ്ങൾ മൂടുക.
• ഉയർന്ന കറൻ്റ് ലോഡുകളുള്ള MCU-വും ഉപകരണങ്ങളും തമ്മിലുള്ള അകലം വർദ്ധിപ്പിച്ച് GND പാറ്റേണിൽ നിന്ന് MCU-നെ വേർപെടുത്തിക്കൊണ്ട് GND ലൈൻ വഴി MCU-ലേക്ക് നുഴഞ്ഞുകയറുന്നത് തടയുന്ന ഒരു ബോർഡ് ലേഔട്ട് ഉപയോഗിക്കുക.

ചിത്രം 4-4 GND ലൈനിനായി നിരവധി ലേഔട്ടുകൾ കാണിക്കുന്നു. ഈ സാഹചര്യത്തിൽ, IC2 പ്രവർത്തനങ്ങളുടെ ഫലമായുണ്ടാകുന്ന ഉപഭോഗ നിലവിലെ ഏറ്റക്കുറച്ചിലാണിത്, Z എന്നത് പവർ സപ്ലൈ ലൈൻ ഇംപെഡൻസാണ്. Vn ആണ് വോള്യംtage GND ലൈൻ മുഖേന ജനറേറ്റുചെയ്യുന്നു, Vn = in×Z ആയി കണക്കാക്കാം. കോൺഫിഗറേഷനിൽ (a), MCU-ലേക്കുള്ള GND ലൈൻ ദൈർഘ്യമേറിയതാണ്, MCU-ൻ്റെ GND പിൻക്ക് സമീപമുള്ള IC2 GND ലൈനുമായി ലയിക്കുന്നു. IC2 പ്രവർത്തനത്തിലായിരിക്കുമ്പോൾ MCU-ൻ്റെ GND പൊട്ടൻഷ്യൽ Vn നോയിസിനു വിധേയമാകുമെന്നതിനാൽ ഈ കോൺഫിഗറേഷൻ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നില്ല. കോൺഫിഗറേഷനിൽ (b) GND ലൈനുകൾ പവർ സപ്ലൈ GND പിൻ റൂട്ടിൽ ലയിക്കുന്നു. MCU, Z എന്നിവയ്ക്കിടയിലുള്ള ഇടം കുറയ്ക്കുന്നതിന് MCU, IC2 എന്നിവയുടെ GND ലൈനുകൾ വേർതിരിക്കുന്നതിലൂടെ Vn-ൽ നിന്നുള്ള നോയിസ് ഇഫക്റ്റുകൾ കുറയ്ക്കാൻ കഴിയും. (c), (a) എന്നിവയുടെ സർക്യൂട്ട് ഡയഗ്രമുകൾ ഒന്നുതന്നെയാണെങ്കിലും, പാറ്റേൺ ഡിസൈനുകൾ വ്യത്യസ്തമാണ്. കോൺഫിഗറേഷൻ (സി) Z കുറയ്ക്കുന്നതിന് GND ലൈനിൻ്റെ ഉപരിതല വിസ്തീർണ്ണവും ലൈൻ വീതിയും വർദ്ധിപ്പിച്ച് Vn-ൻ്റെ പ്രഭാവം കുറയ്ക്കുന്നു.

MCU-ൻ്റെ VSS ടെർമിനലുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന GND സോളിഡ് പാറ്റേണിലേക്ക് TSCAP കപ്പാസിറ്ററിൻ്റെ GND കണക്റ്റുചെയ്യുക, അതുവഴി VSS ടെർമിനലിൻ്റെ അതേ സാധ്യതയുമുണ്ട്. MCU-യുടെ GND-യിൽ നിന്ന് TSCAP കപ്പാസിറ്ററിൻ്റെ GND-യെ വേർതിരിക്കരുത്. TSCAP കപ്പാസിറ്ററിൻ്റെ GND-യും MCU-യുടെ GND-യും തമ്മിലുള്ള ഇംപെഡൻസ് ഉയർന്നതാണെങ്കിൽ, TSCAP കപ്പാസിറ്ററിൻ്റെ ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി നോയ്‌സ് റിജക്ഷൻ പ്രകടനം കുറയും, ഇത് പവർ സപ്ലൈ നോയ്‌സിനും ബാഹ്യ ശബ്ദത്തിനും കൂടുതൽ ഇരയാകുന്നു.

ഉപയോഗിക്കാത്ത പിന്നുകൾ പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുന്നു
ഉപയോഗിക്കാത്ത പിന്നുകൾ ഉയർന്ന ഇംപെഡൻസ് അവസ്ഥയിൽ ഉപേക്ഷിക്കുന്നത് ഉപകരണത്തെ ബാഹ്യ ശബ്ദത്തിൻ്റെ സ്വാധീനത്തിന് വിധേയമാക്കുന്നു. ഓരോ പിന്നിൻ്റെയും അനുബന്ധ MCU ഫെയ്‌ലി ഹാർഡ്‌വെയർ മാനുവൽ പരാമർശിച്ചതിന് ശേഷം നിങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കാത്ത എല്ലാ പിന്നുകളും പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുന്നുണ്ടെന്ന് ഉറപ്പാക്കുക. മൗണ്ടിംഗ് ഏരിയയുടെ അഭാവം മൂലം ഒരു പുൾഡൗൺ റെസിസ്റ്റർ നടപ്പിലാക്കാൻ കഴിയുന്നില്ലെങ്കിൽ, പിൻ ഔട്ട്പുട്ട് ക്രമീകരണം കുറഞ്ഞ ഔട്ട്പുട്ടിലേക്ക് ശരിയാക്കുക.

റേഡിയേറ്റ് ചെയ്ത RF നോയിസ് കൗണ്ടർമെഷേഴ്സ്

ടിഎസ് പിൻ ഡിampപ്രതിരോധം
ഡിampടിഎസ് പിന്നുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന റെസിസ്റ്ററും ഇലക്‌ട്രോഡിൻ്റെ പാരാസിറ്റിക് കപ്പാസിറ്റൻസ് ഘടകം ലോ-പാസ് ഫിൽട്ടറായി പ്രവർത്തിക്കുന്നു. ഡി വർദ്ധിപ്പിക്കുന്നുamping റെസിസ്റ്റർ കട്ട്-ഓഫ് ഫ്രീക്വൻസി കുറയ്ക്കുന്നു, അങ്ങനെ ടിഎസ് പിന്നിലേക്ക് നുഴഞ്ഞുകയറുന്ന വികിരണം ചെയ്ത ശബ്ദത്തിൻ്റെ അളവ് കുറയ്ക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, കപ്പാസിറ്റീവ് മെഷർമെൻ്റ് ചാർജ് അല്ലെങ്കിൽ ഡിസ്ചാർജ് കറൻ്റ് കാലയളവ് വർദ്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ, സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ് ഫ്രീക്വൻസി കുറയ്ക്കണം, ഇത് ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ കൃത്യതയും കുറയ്ക്കുന്നു. ഡി മാറ്റുമ്പോൾ സെൻസിറ്റിവിറ്റി സംബന്ധിച്ച വിവരങ്ങൾക്ക്ampസെൽഫ്-കപ്പാസിറ്റൻസ് മെത്തേഡിലെ ing റെസിസ്റ്റർ, “5. സെൽഫ് കപ്പാസിറ്റൻസ് മെത്തേഡ് ബട്ടൺ പാറ്റേണുകളും സ്വഭാവ സവിശേഷതകളും" എന്നതിൽ CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389)

ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നൽ ശബ്ദം
ആശയവിനിമയം കൈകാര്യം ചെയ്യുന്ന ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നൽ വയറിംഗ്, എസ്പിഐ, ഐ2സി എന്നിവയും എൽഇഡി, ഓഡിയോ ഔട്ട്പുട്ടിനുള്ള പിഡബ്ല്യുഎം സിഗ്നലുകളും ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് സർക്യൂട്ടിനെ ബാധിക്കുന്ന വികിരണ ശബ്ദത്തിൻ്റെ ഉറവിടമാണ്. ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നലുകൾ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, ഡിസൈൻ സമയത്ത് ഇനിപ്പറയുന്ന നിർദ്ദേശങ്ങൾ പരിഗണിക്കുകtage.

• വയറിംഗിൽ വലത് കോണുകൾ (90 ഡിഗ്രി) ഉൾപ്പെടുത്തുമ്പോൾ, മൂർച്ചയുള്ള പോയിൻ്റുകളിൽ നിന്നുള്ള ശബ്ദ വികിരണം വർദ്ധിക്കും. ശബ്ദ വികിരണം കുറയ്ക്കുന്നതിന് വയറിംഗ് മൂലകൾ 45 ഡിഗ്രിയോ അതിൽ കുറവോ വളഞ്ഞതോ ആണെന്ന് ഉറപ്പാക്കുക.
• ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നൽ ലെവൽ മാറുമ്പോൾ, ഓവർഷൂട്ട് അല്ലെങ്കിൽ അണ്ടർഷൂട്ട് ഉയർന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ശബ്ദമായി വികിരണം ചെയ്യപ്പെടുന്നു. ഒരു പ്രതിരോധമെന്ന നിലയിൽ, പരസ്യം ചേർക്കുകampഓവർഷൂട്ട് അല്ലെങ്കിൽ അണ്ടർഷൂട്ട് അടിച്ചമർത്താൻ ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നൽ ലൈനിൽ ing റെസിസ്റ്റർ. ലൈനിനൊപ്പം ഒരു ഫെറൈറ്റ് ബീഡ് തിരുകുക എന്നതാണ് മറ്റൊരു രീതി.
• ഡിജിറ്റൽ സിഗ്നലുകൾക്കും ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് സർക്യൂട്ടിനുമുള്ള ലൈനുകൾ തൊടാതിരിക്കാൻ ലേഔട്ട് ചെയ്യുക. കോൺഫിഗറേഷന് ലൈനുകൾ സമാന്തരമായി പ്രവർത്തിക്കണമെങ്കിൽ, അവയ്ക്കിടയിൽ കഴിയുന്നത്ര അകലം പാലിക്കുകയും ഡിജിറ്റൽ ലൈനിനൊപ്പം ഒരു GND ഷീൽഡ് ചേർക്കുകയും ചെയ്യുക.
• MCU പിന്നിൽ ഉയർന്ന കറൻ്റ് ഉപഭോഗമുള്ള ഒരു ഉപകരണം പ്രവർത്തിപ്പിക്കുമ്പോൾ, ഒരു ട്രാൻസിസ്റ്റർ അല്ലെങ്കിൽ FET ഉപയോഗിക്കുക.

മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ്
CTSU2 ഉൾച്ചേർത്ത ഒരു MCU ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് ഉപയോഗിക്കുന്നത് ഉറപ്പാക്കുക. വിശദാംശങ്ങൾക്ക്, 3.3.1 മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് കാണുക.

ശബ്ദപ്രതിരോധ നടപടികൾ നടത്തി
MCU ബോർഡ് ഡിസൈനിനേക്കാൾ സിസ്റ്റം പവർ സപ്ലൈ ഡിസൈനിൽ നടത്തിയ ശബ്ദ പ്രതിരോധം പരിഗണിക്കുന്നത് പ്രധാനമാണ്. ആരംഭിക്കുന്നതിന്, വോളിയം വിതരണത്തിനായി വൈദ്യുതി വിതരണം രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുകtagബോർഡിൽ ഘടിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന ഉപകരണങ്ങൾക്ക് കുറഞ്ഞ ശബ്ദത്തോടെ ഇ. പവർ സപ്ലൈ ക്രമീകരണങ്ങളെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദാംശങ്ങൾക്ക്, 4.1.2 പവർ സപ്ലൈ ഡിസൈൻ കാണുക. ഈ വിഭാഗം പവർ സപ്ലൈയുമായി ബന്ധപ്പെട്ട ശബ്‌ദ പ്രതിരോധ നടപടികളും അതുപോലെ നടത്തിയ ശബ്ദ പ്രതിരോധശേഷി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിനായി നിങ്ങളുടെ MCU ബോർഡ് രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുമ്പോൾ പരിഗണിക്കേണ്ട CTSU ഫംഗ്‌ഷനുകളും വിവരിക്കുന്നു.

സാധാരണ മോഡ് ഫിൽട്ടർ
പവർ കേബിളിൽ നിന്ന് ബോർഡിലേക്ക് പ്രവേശിക്കുന്ന ശബ്ദം കുറയ്ക്കുന്നതിന് ഒരു പൊതു മോഡ് ഫിൽട്ടർ (കോമൺ മോഡ് ചോക്ക്, ഫെറൈറ്റ് കോർ) സ്ഥാപിക്കുക അല്ലെങ്കിൽ മൗണ്ട് ചെയ്യുക. ഒരു നോയ്‌സ് ടെസ്റ്റ് ഉപയോഗിച്ച് സിസ്റ്റത്തിൻ്റെ ഇടപെടൽ ആവൃത്തി പരിശോധിച്ച് ടാർഗെറ്റുചെയ്‌ത നോയ്‌സ് ബാൻഡ് കുറയ്ക്കുന്നതിന് ഉയർന്ന ഇംപെഡൻസുള്ള ഒരു ഉപകരണം തിരഞ്ഞെടുക്കുക. ഫിൽട്ടറിൻ്റെ തരം അനുസരിച്ച് ഇൻസ്റ്റലേഷൻ സ്ഥാനം വ്യത്യാസപ്പെട്ടിരിക്കുന്നതിനാൽ ബന്ധപ്പെട്ട ഇനങ്ങൾ കാണുക. ഓരോ തരം ഫിൽട്ടറും ബോർഡിൽ വ്യത്യസ്തമായി സ്ഥാപിച്ചിരിക്കുന്നു എന്നത് ശ്രദ്ധിക്കുക; വിശദാംശങ്ങൾക്ക് അനുബന്ധ വിശദീകരണം പരിശോധിക്കുക. ബോർഡിനുള്ളിൽ ശബ്ദം പുറപ്പെടുവിക്കാതിരിക്കാൻ ഫിൽട്ടർ ലേഔട്ട് എപ്പോഴും പരിഗണിക്കുക. ചിത്രം 4-5 ഒരു കോമൺ മോഡ് ഫിൽട്ടർ ലേഔട്ട് കാണിക്കുന്നു Example.

സാധാരണ മോഡ് ചോക്ക്
കോമൺ മോഡ് ചോക്ക് ബോർഡിൽ നടപ്പിലാക്കിയ ഒരു നോയിസ് കൗണ്ടർ മെഷർ ആയി ഉപയോഗിക്കുന്നു, ഇത് ബോർഡിലും സിസ്റ്റം ഡിസൈൻ ഘട്ടത്തിലും എംബഡ് ചെയ്യേണ്ടത് ആവശ്യമാണ്. ഒരു കോമൺ മോഡ് ചോക്ക് ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, വൈദ്യുതി വിതരണം ബോർഡുമായി ബന്ധിപ്പിച്ചിരിക്കുന്ന സ്ഥലത്തിന് ശേഷം ഉടൻ തന്നെ സാധ്യമായ ഏറ്റവും ചെറിയ വയറിംഗ് ഉപയോഗിക്കുന്നത് ഉറപ്പാക്കുക. ഉദാample, പവർ കേബിളും ബോർഡും ഒരു കണക്ടറുമായി ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ, കണക്ടറിന് തൊട്ടുപിന്നാലെ ബോർഡ് വശത്ത് ഒരു ഫിൽട്ടർ സ്ഥാപിക്കുന്നത് കേബിൾ വഴി പ്രവേശിക്കുന്ന ശബ്ദം ബോർഡിലുടനീളം വ്യാപിക്കുന്നത് തടയും.

ഫെറൈറ്റ് കോർ
കേബിൾ വഴി നടത്തുന്ന ശബ്ദം കുറയ്ക്കാൻ ഫെറൈറ്റ് കോർ ഉപയോഗിക്കുന്നു. സിസ്റ്റം അസംബ്ലിക്ക് ശേഷം ശബ്ദം ഒരു പ്രശ്നമാകുമ്പോൾ, ഒരു cl അവതരിപ്പിക്കുന്നുamp-ടൈപ്പ് ഫെറൈറ്റ് കോർ ബോർഡ് അല്ലെങ്കിൽ സിസ്റ്റം ഡിസൈൻ മാറ്റാതെ ശബ്ദം കുറയ്ക്കാൻ നിങ്ങളെ അനുവദിക്കുന്നു. ഉദാampലെ, ഒരു കണക്ടറുമായി കേബിളും ബോർഡും ബന്ധിപ്പിക്കുമ്പോൾ, ബോർഡിൻ്റെ വശത്ത് കണക്ടറിന് തൊട്ടുമുമ്പ് ഒരു ഫിൽട്ടർ സ്ഥാപിക്കുന്നത് ബോർഡിലേക്ക് പ്രവേശിക്കുന്ന ശബ്ദം കുറയ്ക്കും.

കപ്പാസിറ്റർ ലേഔട്ട്
MCU പവർ ലൈനിനോ ടെർമിനലിനോ സമീപം ഡീകൂപ്ലിംഗ് കപ്പാസിറ്ററുകളും ബൾക്ക് കപ്പാസിറ്ററുകളും രൂപകൽപ്പന ചെയ്ത് സ്ഥാപിച്ച് പവർ സപ്ലൈയിൽ നിന്നും സിഗ്നൽ കേബിളുകളിൽ നിന്നും ബോർഡിലേക്ക് പ്രവേശിക്കുന്ന പവർ സപ്ലൈ ശബ്ദവും അലകളുടെ ശബ്ദവും കുറയ്ക്കുക.

ഡീകൂപ്പിംഗ് കപ്പാസിറ്റർ
ഒരു ഡീകൂപ്പിംഗ് കപ്പാസിറ്ററിന് വോള്യം കുറയ്ക്കാൻ കഴിയുംtagMCU-ൻ്റെ നിലവിലെ ഉപഭോഗം കാരണം VCC അല്ലെങ്കിൽ VDD പവർ സപ്ലൈ പിൻ, VSS എന്നിവയ്ക്കിടയിലുള്ള ഇ ഡ്രോപ്പ്, CTSU അളവുകൾ സ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നു. MCU ഉപയോക്തൃ മാനുവലിൽ ലിസ്റ്റുചെയ്തിരിക്കുന്ന ശുപാർശിത കപ്പാസിറ്റൻസ് ഉപയോഗിക്കുക, കപ്പാസിറ്റർ പവർ സപ്ലൈ പിൻ, VSS പിൻ എന്നിവയ്ക്ക് സമീപം വയ്ക്കുക. ലഭ്യമാണെങ്കിൽ, ടാർഗെറ്റ് MCU കുടുംബത്തിനായുള്ള ഹാർഡ്‌വെയർ ഡിസൈൻ ഗൈഡ് പിന്തുടർന്ന് പാറ്റേൺ രൂപകൽപ്പന ചെയ്യുക എന്നതാണ് മറ്റൊരു ഓപ്ഷൻ.

ബൾക്ക് കപ്പാസിറ്റർ
ബൾക്ക് കപ്പാസിറ്ററുകൾ MCU-ൻ്റെ വോളിയത്തിൽ തരംഗങ്ങളെ സുഗമമാക്കുംtagഇ വിതരണ ഉറവിടം, വോളിയം സ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നുtage MCU ൻ്റെ പവർ പിന്നിനും VSS നും ഇടയിൽ, അങ്ങനെ CTSU അളവുകൾ സ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നു. വൈദ്യുതി വിതരണ രൂപകൽപ്പനയെ ആശ്രയിച്ച് കപ്പാസിറ്ററുകളുടെ കപ്പാസിറ്റൻസ് വ്യത്യാസപ്പെടും; ആന്ദോളനം അല്ലെങ്കിൽ വോളിയം സൃഷ്ടിക്കുന്നത് ഒഴിവാക്കാൻ നിങ്ങൾ ഉചിതമായ ഒരു മൂല്യം ഉപയോഗിക്കുന്നുണ്ടെന്ന് ഉറപ്പാക്കുകtagഇ ഡ്രോപ്പ്.

മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവ്
CTSU2-ൻ്റെ പ്രവർത്തനമായ മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ്, നടത്തിയ ശബ്ദ പ്രതിരോധശേഷി മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നതിന് ഫലപ്രദമാണ്. നടത്തിയ ശബ്ദ പ്രതിരോധം നിങ്ങളുടെ വികസനത്തിൽ ഒരു ആശങ്കയാണെങ്കിൽ, മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് ഫംഗ്‌ഷൻ ഉപയോഗിക്കുന്നതിന് CTSU2 സജ്ജീകരിച്ചിരിക്കുന്ന ഒരു MCU തിരഞ്ഞെടുക്കുക. വിശദാംശങ്ങൾക്ക്, 3.3.1 മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് കാണുക.

GND ഷീൽഡിനും ഇലക്ട്രോഡ് ദൂരത്തിനുമുള്ള പരിഗണനകൾ
ഇലക്ട്രോഡ് ഷീൽഡിൻ്റെ ചാലക ശബ്ദ കൂട്ടിച്ചേർക്കൽ പാത ഉപയോഗിച്ച് ശബ്ദം അടിച്ചമർത്തലിൻ്റെ ഒരു ചിത്രം ചിത്രം 1 കാണിക്കുന്നു. ഇലക്‌ട്രോഡിന് ചുറ്റും ഒരു ജിഎൻഡി ഷീൽഡ് സ്ഥാപിക്കുകയും ഇലക്‌ട്രോഡിന് ചുറ്റുമുള്ള ഷീൽഡ് ഇലക്‌ട്രോഡിനോട് അടുപ്പിക്കുകയും ചെയ്യുന്നത് വിരലിനും ഷീൽഡിനും ഇടയിലുള്ള കപ്പാസിറ്റീവ് കപ്ലിംഗിനെ ശക്തിപ്പെടുത്തുന്നു. ശബ്ദ ഘടകം (VNOISE) B-GND ലേക്ക് രക്ഷപ്പെടുന്നു, ഇത് CTSU മെഷർമെൻ്റ് കറൻ്റിലെ ഏറ്റക്കുറച്ചിലുകൾ കുറയ്ക്കുന്നു. ഷീൽഡ് ഇലക്‌ട്രോഡിനോട് അടുക്കുന്തോറും സിപി വലുതാകുകയും ടച്ച് സെൻസിറ്റിവിറ്റി കുറയുകയും ചെയ്യുന്നുവെന്നത് ശ്രദ്ധിക്കുക. ഷീൽഡും ഇലക്‌ട്രോഡും തമ്മിലുള്ള ദൂരം മാറ്റിയ ശേഷം, സെക്ഷൻ 5-ൽ സെൻസിറ്റിവിറ്റി സ്ഥിരീകരിക്കുക. സ്വയം കപ്പാസിറ്റൻസ് രീതി ബട്ടൺ പാറ്റേണുകളും സ്വഭാവ സവിശേഷതകളും CTSU കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്‌ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389).

സോഫ്റ്റ്വെയർ ഫിൽട്ടറുകൾ

CTSU ഡ്രൈവറും ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ സോഫ്റ്റ്‌വെയറും ഉപയോഗിച്ച് ഒരു സെൻസർ സ്പർശിച്ചിട്ടുണ്ടോ (ഓൺ അല്ലെങ്കിൽ ഓഫ്) എന്ന് നിർണ്ണയിക്കാൻ ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ കപ്പാസിറ്റൻസ് മെഷർമെൻ്റ് ഫലങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്നു. CTSU മൊഡ്യൂൾ കപ്പാസിറ്റൻസ് അളക്കൽ ഫലങ്ങളിൽ ശബ്ദം കുറയ്ക്കുകയും ടച്ച് നിർണ്ണയിക്കുന്ന ടച്ച് മൊഡ്യൂളിലേക്ക് ഡാറ്റ കൈമാറുകയും ചെയ്യുന്നു. CTSU ഡ്രൈവറിൽ IIR ചലിക്കുന്ന ശരാശരി ഫിൽട്ടർ സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഫിൽട്ടറായി ഉൾപ്പെടുന്നു. മിക്ക കേസുകളിലും, സ്റ്റാൻഡേർഡ് ഫിൽട്ടറിന് മതിയായ SNR ഉം പ്രതികരണശേഷിയും നൽകാൻ കഴിയും. എന്നിരുന്നാലും, ഉപയോക്തൃ സിസ്റ്റത്തെ ആശ്രയിച്ച് കൂടുതൽ ശക്തമായ നോയ്സ് റിഡക്ഷൻ പ്രോസസ്സിംഗ് ആവശ്യമായി വന്നേക്കാം. ചിത്രം 5-1, ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ വഴിയുള്ള ഡാറ്റ ഫ്ലോ കാണിക്കുന്നു. നോയ്സ് പ്രോസസ്സിംഗിനായി CTSU ഡ്രൈവറിനും ടച്ച് മൊഡ്യൂളിനും ഇടയിൽ ഉപയോക്തൃ ഫിൽട്ടറുകൾ സ്ഥാപിക്കാവുന്നതാണ്. ഒരു പ്രോജക്റ്റിലേക്ക് ഫിൽട്ടറുകൾ എങ്ങനെ സംയോജിപ്പിക്കാം എന്നതിനെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദമായ നിർദ്ദേശങ്ങൾക്ക് ചുവടെയുള്ള ആപ്ലിക്കേഷൻ കുറിപ്പ് പരിശോധിക്കുക file അതുപോലെ ഒരു സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഫിൽട്ടർ എസ്ample കോഡും ഉപയോഗവും exampലെ പദ്ധതി file. RA ഫാമിലി കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഫിൽട്ടർ എസ്ampലെ പ്രോഗ്രാം (R30AN0427)

ഈ വിഭാഗം ഓരോ EMC സ്റ്റാൻഡേർഡിനും ഫലപ്രദമായ ഫിൽട്ടറുകൾ അവതരിപ്പിക്കുന്നു.

പട്ടിക 5-1 EMC സ്റ്റാൻഡേർഡും അനുബന്ധ സോഫ്‌റ്റ്‌വെയർ ഫിൽട്ടറുകളും

EMC സ്റ്റാൻഡേർഡ്	പ്രതീക്ഷിച്ച ശബ്ദം	അനുബന്ധ സോഫ്റ്റ്വെയർ ഫിൽട്ടർ
ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧	ക്രമരഹിതമായ ശബ്ദം	IIR ഫിൽട്ടർ
റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധശേഷി,
ഇഎച്൬൦൬൦൧-൧-൧൧	ആനുകാലിക ശബ്ദം	FIR ഫിൽട്ടർ
നടത്തിയ പ്രതിരോധശേഷി

IIR ഫിൽട്ടർ
IIR ഫിൽട്ടറിന് (ഇൻഫിനൈറ്റ് ഇംപൾസ് റെസ്‌പോൺസ് ഫിൽട്ടർ) കുറച്ച് മെമ്മറി ആവശ്യമാണ്, കൂടാതെ ഒരു ചെറിയ കണക്കുകൂട്ടൽ ലോഡ് ഉണ്ട്, ഇത് കുറഞ്ഞ പവർ സിസ്റ്റങ്ങൾക്കും നിരവധി ബട്ടണുകളുള്ള ആപ്ലിക്കേഷനുകൾക്കും അനുയോജ്യമാക്കുന്നു. ലോ-പാസ് ഫിൽട്ടറായി ഇത് ഉപയോഗിക്കുന്നത് ഉയർന്ന ഫ്രീക്വൻസി ശബ്ദം കുറയ്ക്കാൻ സഹായിക്കുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, കട്ട്ഓഫ് ഫ്രീക്വൻസി കുറവായതിനാൽ, സെറ്റിൽ ചെയ്യാനുള്ള സമയം കൂടുതലായതിനാൽ, അത് ഓൺ/ഓഫ് വിധിപ്രക്രിയയെ വൈകിപ്പിക്കും. സിംഗിൾ-പോൾ ഫസ്റ്റ്-ഓർഡർ IIR ഫിൽട്ടർ ഇനിപ്പറയുന്ന ഫോർമുല ഉപയോഗിച്ചാണ് കണക്കാക്കുന്നത്, ഇവിടെ a, b എന്നിവ ഗുണകങ്ങളാണ്, xn എന്നത് ഇൻപുട്ട് മൂല്യമാണ്, yn എന്നത് ഔട്ട്പുട്ട് മൂല്യമാണ്, yn-1 എന്നത് തൊട്ടുമുമ്പത്തെ ഔട്ട്പുട്ട് മൂല്യമാണ്.

IIR ഫിൽട്ടർ ഒരു ലോ-പാസ് ഫിൽട്ടറായി ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, ഇനിപ്പറയുന്ന ഫോർമുല ഉപയോഗിച്ച് a, b ഗുണകങ്ങൾ കണക്കാക്കാം, അവിടെ sampലിംഗ് ഫ്രീക്വൻസി fs ആണ്, കട്ട്ഓഫ് ഫ്രീക്വൻസി fc ആണ്.

എഫ്ഐആർ ഫിൽട്ടർ
എഫ്ഐആർ ഫിൽട്ടർ (ഫിനൈറ്റ് ഇംപൾസ് റെസ്‌പോൺസ് ഫിൽട്ടർ) വളരെ സ്ഥിരതയുള്ള ഒരു ഫിൽട്ടറാണ്, ഇത് കണക്കുകൂട്ടൽ പിശകുകൾ കാരണം ഏറ്റവും കുറഞ്ഞ കൃത്യതാ തകർച്ചയ്ക്ക് കാരണമാകുന്നു. ഗുണകത്തെ ആശ്രയിച്ച്, ഇത് ഒരു ലോ-പാസ് ഫിൽട്ടറോ ബാൻഡ്-പാസ് ഫിൽട്ടറോ ആയി ഉപയോഗിക്കാം, ഇത് ആനുകാലിക ശബ്ദവും ക്രമരഹിതമായ ശബ്ദവും കുറയ്ക്കുന്നു, അങ്ങനെ SNR മെച്ചപ്പെടുത്തുന്നു. എന്നിരുന്നാലും, കാരണം എസ്ampഒരു നിശ്ചിത മുൻ കാലയളവിലെ les സംഭരിക്കുകയും കണക്കാക്കുകയും ചെയ്യുന്നു, മെമ്മറി ഉപയോഗവും കണക്കുകൂട്ടൽ ലോഡും ഫിൽട്ടർ ടാപ്പ് ദൈർഘ്യത്തിന് ആനുപാതികമായി വർദ്ധിക്കും. ഇനിപ്പറയുന്ന ഫോർമുല ഉപയോഗിച്ചാണ് FIR ഫിൽട്ടർ കണക്കാക്കുന്നത്, ഇവിടെ L, h0 മുതൽ hL-1 വരെയുള്ള ഗുണകങ്ങളാണ്, xn എന്നത് ഇൻപുട്ട് മൂല്യമാണ്, xn-I എന്നത് s-ന് മുമ്പുള്ള ഇൻപുട്ട് മൂല്യമാണ്.ample i, yn എന്നത് ഔട്ട്പുട്ട് മൂല്യമാണ്.

ഉപയോഗം Exampലെസ്
ഈ വിഭാഗം മുൻഭാഗം നൽകുന്നുampIIR, FIR ഫിൽട്ടറുകൾ ഉപയോഗിച്ച് ശബ്‌ദം നീക്കം ചെയ്യുന്നതിൽ കുറവ്. പട്ടിക 5-2 ഫിൽട്ടർ അവസ്ഥകൾ കാണിക്കുന്നു, ചിത്രം 5-2 ഒരു മുൻ കാണിക്കുന്നുampക്രമരഹിതമായ ശബ്ദ നീക്കം.

പട്ടിക 5-2 ഫിൽട്ടർ ഉപയോഗം ഉദാampലെസ്

ഫിൽട്ടർ ഫോർമാറ്റ്	വ്യവസ്ഥ 1	വ്യവസ്ഥ 2	അഭിപ്രായങ്ങൾ
സിംഗിൾ-പോൾ ഫസ്റ്റ്-ഓർഡർ IIR	b=0.5	b=0.75
എഫ്ഐആർ	L=4 h0~ hL-1=0.25	L=8 h0~ hL-1=0.125	ലളിതമായ ചലിക്കുന്ന ശരാശരി ഉപയോഗിക്കുക

മെഷർമെൻ്റ് സൈക്കിൾ സംബന്ധിച്ച ഉപയോഗ കുറിപ്പുകൾ
മെഷർമെൻ്റ് സൈക്കിളിൻ്റെ കൃത്യതയെ ആശ്രയിച്ച് സോഫ്റ്റ്വെയർ ഫിൽട്ടറുകളുടെ ഫ്രീക്വൻസി സവിശേഷതകൾ മാറുന്നു. കൂടാതെ, അളവെടുപ്പ് സൈക്കിളിലെ വ്യതിയാനങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ വ്യതിയാനങ്ങൾ കാരണം നിങ്ങൾക്ക് പ്രതീക്ഷിച്ച ഫിൽട്ടർ സവിശേഷതകൾ ലഭിച്ചേക്കില്ല. ഫിൽട്ടർ സ്വഭാവസവിശേഷതകളിൽ മുൻഗണന നൽകുന്നതിന്, പ്രധാന ക്ലോക്കായി ഒരു ഹൈ-സ്പീഡ് ഓൺ-ചിപ്പ് ഓസിലേറ്റർ (HOCO) അല്ലെങ്കിൽ ഒരു ബാഹ്യ ക്രിസ്റ്റൽ ഓസിലേറ്റർ ഉപയോഗിക്കുക. ഒരു ഹാർഡ്‌വെയർ ടൈമർ ഉപയോഗിച്ച് ടച്ച് മെഷർമെൻ്റ് എക്‌സിക്യൂഷൻ സൈക്കിളുകൾ നിയന്ത്രിക്കാനും ഞങ്ങൾ ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു.

ഗ്ലോസറി

കാലാവധി	നിർവ്വചനം
സി.ടി.എസ്.യു	കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് സെൻസിംഗ് യൂണിറ്റ്. CTSU1, CTSU2 എന്നിവയിലും ഉപയോഗിക്കുന്നു.
CTSU1	രണ്ടാം തലമുറ CTSU IP. CTSU1-ൽ നിന്ന് വേർതിരിച്ചറിയാൻ "2" ചേർത്തു.
CTSU2	മൂന്നാം തലമുറ CTSU IP.
CTSU ഡ്രൈവർ	CTSU ഡ്രൈവർ സോഫ്‌റ്റ്‌വെയർ റെനെസാസ് സോഫ്റ്റ്‌വെയർ പാക്കേജുകളിൽ ബണ്ടിൽ ചെയ്‌തിരിക്കുന്നു.
CTSU മൊഡ്യൂൾ	സ്മാർട്ട് കോൺഫിഗറേറ്റർ ഉപയോഗിച്ച് എംബഡ് ചെയ്യാവുന്ന CTSU ഡ്രൈവർ സോഫ്റ്റ്‌വെയറിൻ്റെ ഒരു യൂണിറ്റ്.
മിഡിൽവെയർ ടച്ച്	Renesas സോഫ്റ്റ്‌വെയർ പാക്കേജുകളിൽ ബണ്ടിൽ ചെയ്ത CTSU ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ ടച്ച് ഡിറ്റക്ഷൻ പ്രോസസ്സിംഗിനുള്ള മിഡിൽവെയർ.
ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ	സ്മാർട്ട് കോൺഫിഗറേറ്റർ ഉപയോഗിച്ച് ഉൾച്ചേർക്കാവുന്ന ടച്ച് മിഡിൽവെയറിൻ്റെ ഒരു യൂണിറ്റ്.
r_ctsu മൊഡ്യൂൾ	CTSU ഡ്രൈവർ സ്മാർട്ട് കോൺഫിഗറേറ്ററിൽ പ്രദർശിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു.
rm_touch മൊഡ്യൂൾ	സ്‌മാർട്ട് കോൺഫിഗറേറ്ററിൽ ടച്ച് മൊഡ്യൂൾ പ്രദർശിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നു
CCO	നിലവിലെ നിയന്ത്രണ ഓസിലേറ്റർ. കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് സെൻസറുകളിൽ നിലവിലെ നിയന്ത്രിത ഓസിലേറ്റർ ഉപയോഗിക്കുന്നു. ചില രേഖകളിൽ ICO എന്നും എഴുതിയിരിക്കുന്നു.
ICO	CCO പോലെ തന്നെ.
ടി‌എസ്‌സി‌എപി	CTSU ആന്തരിക വോള്യം സ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നതിനുള്ള ഒരു കപ്പാസിറ്റർtage.
Damping റെസിസ്റ്റർ	ബാഹ്യമായ ശബ്ദം മൂലമുള്ള പിൻ കേടുപാടുകൾ അല്ലെങ്കിൽ ഇഫക്റ്റുകൾ കുറയ്ക്കുന്നതിന് ഒരു റെസിസ്റ്റർ ഉപയോഗിക്കുന്നു. വിശദാംശങ്ങൾക്ക്, കപ്പാസിറ്റീവ് ടച്ച് ഇലക്ട്രോഡ് ഡിസൈൻ ഗൈഡ് (R30AN0389) കാണുക.
വി.ഡി.സി.	വാല്യംtagഇ ഡൗൺ കൺവെർട്ടർ. CTSU-യിൽ നിർമ്മിച്ച കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ അളക്കുന്നതിനുള്ള പവർ സപ്ലൈ സർക്യൂട്ട്.
മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളക്കൽ	ടച്ച് അളക്കാൻ വ്യത്യസ്ത ആവൃത്തികളുള്ള ഒന്നിലധികം സെൻസർ യൂണിറ്റ് ക്ലോക്കുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്ന ഒരു ഫംഗ്‌ഷൻ; മൾട്ടി-ക്ലോക്ക് മെഷർമെൻ്റ് ഫംഗ്ഷൻ സൂചിപ്പിക്കുന്നു.
സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസ്	സ്വിച്ചുചെയ്‌ത കപ്പാസിറ്ററിനെ നയിക്കുന്ന സിഗ്നൽ.
സിൻക്രണസ് ശബ്ദം	സെൻസർ ഡ്രൈവ് പൾസുമായി പൊരുത്തപ്പെടുന്ന ആവൃത്തിയിലുള്ള ശബ്ദം.
പുതിയവ	ഉപകരണങ്ങൾ പരിശോധനയിലാണ്. പരിശോധിക്കേണ്ട ഉപകരണത്തെ സൂചിപ്പിക്കുന്നു.
എൽ.ഡി.ഒ	കുറഞ്ഞ ഡ്രോപ്പ്ഔട്ട് റെഗുലേറ്റർ
പിഎസ്ആർആർ	പവർ സപ്ലൈ നിരസിക്കൽ റേഷൻ
എഫ്	ഫ്ലെക്സിബിൾ സോഫ്റ്റ്വെയർ പാക്കേജ്
FIT	ഫേംവെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ ടെക്നോളജി.
എസ്ഐഎസ്	സോഫ്റ്റ്വെയർ ഇൻ്റഗ്രേഷൻ സിസ്റ്റം

റിവിഷൻ ചരിത്രം

റവ.	തീയതി	വിവരണം
		പേജ്	സംഗ്രഹം
1.00	മെയ് 31, 2023	–	പ്രാരംഭ പുനരവലോകനം
2.00	25 ഡിസംബർ 2023	–	IEC61000-4-6-ന്
		6	2.2-ലേക്ക് കോമൺ മോഡ് നോയ്‌സ് ഇംപാക്ട് ചേർത്തു
		7	പട്ടിക 2-5-ലേക്ക് ഇനങ്ങൾ ചേർത്തു
		9	3.1 ലെ പുതുക്കിയ വാചകം, തിരുത്തിയ ചിത്രം 3-1
			3-2 ലെ പരിഷ്കരിച്ച വാചകം
		10	3.3.1-ൽ, ടെക്‌സ്‌റ്റ് തിരുത്തി ചിത്രം 3-4 ചേർത്തു. മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി അളവുകൾക്കുള്ള ക്രമീകരണങ്ങൾ എങ്ങനെ മാറ്റാം എന്നതിൻ്റെ ഇല്ലാതാക്കിയ വിശദീകരണവും മൾട്ടി-ഫ്രീക്വൻസി മെഷർമെൻ്റ് ഇൻ്റർഫറൻസ് ഫ്രീക്വൻസിയുടെ വിശദീകരണവും ചിത്രം 3-5e3-5.
		11	3.2.2-ലേക്ക് റഫറൻസ് പ്രമാണങ്ങൾ ചേർത്തു
		14	TSCAP കപ്പാസിറ്റർ GND കണക്ഷനുമായി ബന്ധപ്പെട്ട കുറിപ്പ് ചേർത്തു 4.1.2.2
		15	4.2.2-ലേക്ക് വയറിംഗ് കോർണർ ഡിസൈനിനെക്കുറിച്ചുള്ള കുറിപ്പ് ചേർത്തു
		16	4.3 നടത്തിയ നോയ്‌സ് കൗണ്ടർ മെഷറുകൾ ചേർത്തു
		18	പരിഷ്കരിച്ച വിഭാഗം 5.

മൈക്രോപ്രൊസസിംഗ് യൂണിറ്റും മൈക്രോകൺട്രോളർ യൂണിറ്റ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളും കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിനുള്ള പൊതുവായ മുൻകരുതലുകൾ

റെനെസാസിൽ നിന്നുള്ള എല്ലാ മൈക്രോപ്രൊസസിംഗ് യൂണിറ്റിനും മൈക്രോകൺട്രോളർ യൂണിറ്റ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്കും ഇനിപ്പറയുന്ന ഉപയോഗ കുറിപ്പുകൾ ബാധകമാണ്. ഈ ഡോക്യുമെൻ്റ് ഉൾക്കൊള്ളുന്ന ഉൽപ്പന്നങ്ങളെക്കുറിച്ചുള്ള വിശദമായ ഉപയോഗ കുറിപ്പുകൾക്കായി, പ്രമാണത്തിൻ്റെ പ്രസക്തമായ വിഭാഗങ്ങളും ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്കായി നൽകിയിട്ടുള്ള ഏതെങ്കിലും സാങ്കേതിക അപ്‌ഡേറ്റുകളും പരിശോധിക്കുക.

1. ഇലക്ട്രോസ്റ്റാറ്റിക് ഡിസ്ചാർജിനെതിരെയുള്ള മുൻകരുതൽ (ESD)
   ശക്തമായ ഒരു വൈദ്യുത മണ്ഡലം, CMOS ഉപകരണവുമായി സമ്പർക്കം പുലർത്തുമ്പോൾ, ഗേറ്റ് ഓക്സൈഡിനെ നശിപ്പിക്കുകയും ആത്യന്തികമായി ഉപകരണത്തിൻ്റെ പ്രവർത്തനത്തെ നശിപ്പിക്കുകയും ചെയ്യും. സ്റ്റാറ്റിക് വൈദ്യുതി ഉൽപ്പാദനം കഴിയുന്നത്ര നിർത്താനും അത് സംഭവിക്കുമ്പോൾ അത് വേഗത്തിൽ പിരിച്ചുവിടാനും നടപടികൾ കൈക്കൊള്ളണം. പാരിസ്ഥിതിക നിയന്ത്രണം മതിയായതായിരിക്കണം. ഉണങ്ങുമ്പോൾ, ഒരു ഹ്യുമിഡിഫയർ ഉപയോഗിക്കണം. സ്ഥിരമായ വൈദ്യുതി എളുപ്പത്തിൽ നിർമ്മിക്കാൻ കഴിയുന്ന ഇൻസുലേറ്ററുകൾ ഉപയോഗിക്കുന്നത് ഒഴിവാക്കാൻ ഇത് ശുപാർശ ചെയ്യുന്നു. അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ ഒരു ആൻ്റി-സ്റ്റാറ്റിക് കണ്ടെയ്നറിലോ സ്റ്റാറ്റിക് ഷീൽഡിംഗ് ബാഗിലോ ചാലക വസ്തുക്കളിലോ സൂക്ഷിക്കുകയും കൊണ്ടുപോകുകയും വേണം. വർക്ക് ബെഞ്ചുകളും നിലകളും ഉൾപ്പെടെ എല്ലാ ടെസ്റ്റ്, മെഷർമെൻ്റ് ടൂളുകളും ഗ്രൗണ്ട് ചെയ്തിരിക്കണം. ഒരു റിസ്റ്റ് സ്ട്രാപ്പ് ഉപയോഗിച്ച് ഓപ്പറേറ്ററും ഗ്രൗണ്ട് ചെയ്തിരിക്കണം. അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ വെറും കൈകൊണ്ട് തൊടാൻ പാടില്ല. മൗണ്ട് ചെയ്ത അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളുള്ള പ്രിൻ്റഡ് സർക്യൂട്ട് ബോർഡുകൾക്കും സമാനമായ മുൻകരുതലുകൾ എടുക്കണം.
2. പവർ-ഓണിൽ പ്രോസസ്സ് ചെയ്യുന്നു
   വൈദ്യുതി വിതരണം ചെയ്യുന്ന സമയത്ത് ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ അവസ്ഥ നിർവചിക്കപ്പെട്ടിട്ടില്ല. എൽഎസ്ഐയിലെ ഇൻ്റേണൽ സർക്യൂട്ടുകളുടെ അവസ്ഥകൾ അനിശ്ചിതത്വത്തിലാണ്, കൂടാതെ പവർ വിതരണം ചെയ്യുന്ന സമയത്ത് രജിസ്റ്റർ ക്രമീകരണങ്ങളുടെയും പിന്നുകളുടെയും അവസ്ഥകൾ നിർവചിക്കപ്പെട്ടിട്ടില്ല. എക്‌സ്‌റ്റേണൽ റീസെറ്റ് പിന്നിലേക്ക് റീസെറ്റ് സിഗ്നൽ പ്രയോഗിക്കുന്ന ഒരു പൂർത്തിയായ ഉൽപ്പന്നത്തിൽ, പവർ വിതരണം ചെയ്യുന്ന സമയം മുതൽ റീസെറ്റ് പ്രോസസ്സ് പൂർത്തിയാകുന്നതുവരെ പിന്നുകളുടെ അവസ്ഥകൾ ഉറപ്പുനൽകുന്നില്ല. അതുപോലെ, ഓൺ-ചിപ്പ് പവർ-ഓൺ റീസെറ്റ് ഫംഗ്‌ഷൻ ഉപയോഗിച്ച് റീസെറ്റ് ചെയ്യുന്ന ഒരു ഉൽപ്പന്നത്തിലെ പിന്നുകളുടെ അവസ്ഥകൾ പവർ വിതരണം ചെയ്യുന്ന സമയം മുതൽ റീസെറ്റിംഗ് വ്യക്തമാക്കിയ ലെവലിൽ എത്തുന്നതുവരെ ഉറപ്പുനൽകുന്നില്ല.
3. പവർ ഓഫ് അവസ്ഥയിൽ സിഗ്നലിന്റെ ഇൻപുട്ട്
   ഉപകരണം ഓഫായിരിക്കുമ്പോൾ സിഗ്നലുകളോ I/O പുൾ-അപ്പ് പവർ സപ്ലൈയോ നൽകരുത്. അത്തരമൊരു സിഗ്നൽ അല്ലെങ്കിൽ I/O പുൾ-അപ്പ് പവർ സപ്ലൈയുടെ ഇൻപുട്ടിൻ്റെ ഫലമായുണ്ടാകുന്ന നിലവിലെ കുത്തിവയ്പ്പ് തകരാറിന് കാരണമായേക്കാം, ഈ സമയത്ത് ഉപകരണത്തിൽ കടന്നുപോകുന്ന അസാധാരണ വൈദ്യുതധാര ആന്തരിക മൂലകങ്ങളുടെ അപചയത്തിന് കാരണമായേക്കാം. നിങ്ങളുടെ ഉൽപ്പന്ന ഡോക്യുമെൻ്റേഷനിൽ വിവരിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ പവർ ഓഫ് അവസ്ഥയിൽ ഇൻപുട്ട് സിഗ്നലിനുള്ള മാർഗ്ഗനിർദ്ദേശം പിന്തുടരുക.
4. ഉപയോഗിക്കാത്ത പിന്നുകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നു
   മാനുവലിൽ ഉപയോഗിക്കാത്ത പിന്നുകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിന് കീഴിൽ നൽകിയിരിക്കുന്ന നിർദ്ദേശങ്ങൾ അനുസരിച്ച് ഉപയോഗിക്കാത്ത പിന്നുകൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുക. CMOS ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ ഇൻപുട്ട് പിന്നുകൾ പൊതുവെ ഉയർന്ന ഇംപെഡൻസ് നിലയിലാണ്. ഓപ്പൺ-സർക്യൂട്ട് അവസ്ഥയിൽ ഉപയോഗിക്കാത്ത പിൻ ഉപയോഗിച്ച് പ്രവർത്തിക്കുമ്പോൾ, എൽഎസ്ഐയുടെ പരിസരത്ത് അധിക വൈദ്യുതകാന്തിക ശബ്‌ദം ഉണ്ടാകുന്നു, അനുബന്ധ ഷൂട്ട്-ത്രൂ കറണ്ട് ആന്തരികമായി ഒഴുകുന്നു, കൂടാതെ പിൻ അവസ്ഥയെ ഇൻപുട്ട് സിഗ്നലായി തെറ്റായി തിരിച്ചറിഞ്ഞതിനാൽ തകരാറുകൾ സംഭവിക്കുന്നു. സാധ്യമാകും.
5. ക്ലോക്ക് സിഗ്നലുകൾ
   ഒരു റീസെറ്റ് പ്രയോഗിച്ചതിന് ശേഷം, ഓപ്പറേറ്റിംഗ് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ സ്ഥിരമായതിന് ശേഷം മാത്രം റീസെറ്റ് ലൈൻ റിലീസ് ചെയ്യുക. പ്രോഗ്രാം എക്സിക്യൂഷൻ സമയത്ത് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ മാറുമ്പോൾ, ടാർഗെറ്റ് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ സ്ഥിരപ്പെടുത്തുന്നത് വരെ കാത്തിരിക്കുക. ഒരു റീസെറ്റ് സമയത്ത് ഒരു എക്സ്റ്റേണൽ റെസൊണേറ്റർ ഉപയോഗിച്ചോ അല്ലെങ്കിൽ ഒരു എക്സ്റ്റേണൽ ഓസിലേറ്ററിൽ നിന്നോ ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ സൃഷ്ടിക്കപ്പെടുമ്പോൾ, ക്ലോക്ക് സിഗ്നലിന്റെ പൂർണ്ണ സ്ഥിരതയ്ക്ക് ശേഷം മാത്രമേ റീസെറ്റ് ലൈൻ റിലീസ് ചെയ്യപ്പെടുകയുള്ളൂ എന്ന് ഉറപ്പാക്കുക. കൂടാതെ, ഒരു എക്സ്റ്റേണൽ റെസൊണേറ്റർ ഉപയോഗിച്ചോ ഒരു എക്സ്റ്റേണൽ ഓസിലേറ്റർ ഉപയോഗിച്ചോ നിർമ്മിക്കുന്ന ഒരു ക്ലോക്ക് സിഗ്നലിലേക്ക് മാറുമ്പോൾ, പ്രോഗ്രാം എക്സിക്യൂഷൻ പുരോഗമിക്കുമ്പോൾ, ടാർഗെറ്റ് ക്ലോക്ക് സിഗ്നൽ സ്ഥിരമാകുന്നതുവരെ കാത്തിരിക്കുക.
6. വാല്യംtagഇൻപുട്ട് പിന്നിൽ ഇ ആപ്ലിക്കേഷൻ തരംഗരൂപം
   ഇൻപുട്ട് ശബ്‌ദം മൂലമോ പ്രതിഫലിക്കുന്ന തരംഗമോ മൂലമുള്ള വേവ്‌ഫോം വക്രീകരണം തകരാറിന് കാരണമായേക്കാം. CMOS ഉപകരണത്തിന്റെ ഇൻപുട്ട് ശബ്ദം കാരണം VIL (പരമാവധി) VIH (മിനിറ്റ്) എന്നിവയ്‌ക്കിടയിലുള്ള സ്ഥലത്ത് നിലനിൽക്കുകയാണെങ്കിൽ, ഉദാഹരണത്തിന്ample, ഉപകരണം തകരാറിലായേക്കാം. ഇൻപുട്ട് ലെവൽ ഉറപ്പിക്കുമ്പോൾ, കൂടാതെ ഇൻപുട്ട് ലെവൽ VIL (മാക്സ്.) നും VIH (മിനി.) എന്നിവയ്ക്കിടയിലുള്ള പ്രദേശത്തിലൂടെ കടന്നുപോകുന്ന പരിവർത്തന കാലഘട്ടത്തിലും ചാറ്റിംഗ് ശബ്‌ദം ഉപകരണത്തിലേക്ക് പ്രവേശിക്കുന്നത് തടയാൻ ശ്രദ്ധിക്കുക.
7. റിസർവ് ചെയ്ത വിലാസങ്ങളിലേക്കുള്ള പ്രവേശന വിലക്ക്
   റിസർവ് ചെയ്ത വിലാസങ്ങളിലേക്കുള്ള പ്രവേശനം നിരോധിച്ചിരിക്കുന്നു. ഫംഗ്‌ഷനുകളുടെ ഭാവി വിപുലീകരണത്തിനായി റിസർവ് ചെയ്‌ത വിലാസങ്ങൾ നൽകിയിരിക്കുന്നു. എൽഎസ്ഐയുടെ ശരിയായ പ്രവർത്തനം ഉറപ്പില്ലാത്തതിനാൽ ഈ വിലാസങ്ങൾ ആക്സസ് ചെയ്യരുത്.
8. ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസങ്ങൾ
   ഒരു ഉൽപ്പന്നത്തിൽ നിന്ന് മറ്റൊന്നിലേക്ക് മാറുന്നതിന് മുമ്പ്, ഉദാഹരണത്തിന്ample, മറ്റൊരു പാർട്ട് നമ്പറുള്ള ഒരു ഉൽപ്പന്നത്തിലേക്ക്, മാറ്റം പ്രശ്നങ്ങളിലേക്ക് നയിക്കില്ലെന്ന് സ്ഥിരീകരിക്കുക. ഒരു മൈക്രോ പ്രോസസ്സിംഗ് യൂണിറ്റിൻ്റെയോ മൈക്രോകൺട്രോളർ യൂണിറ്റിൻ്റെയോ ഒരേ ഗ്രൂപ്പിലുള്ള ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ, എന്നാൽ വ്യത്യസ്ത പാർട്ട് നമ്പർ ഉള്ളത് ആന്തരിക മെമ്മറി ശേഷി, ലേഔട്ട് പാറ്റേൺ, മറ്റ് ഘടകങ്ങൾ എന്നിവയിൽ വ്യത്യാസപ്പെട്ടേക്കാം, ഇത് സ്വഭാവ മൂല്യങ്ങൾ പോലുള്ള വൈദ്യുത സ്വഭാവങ്ങളുടെ ശ്രേണിയെ ബാധിക്കും. , ഓപ്പറേറ്റിംഗ് മാർജിനുകൾ, ശബ്ദത്തിനെതിരായ പ്രതിരോധശേഷി, റേഡിയേറ്റ് ചെയ്ത ശബ്ദത്തിൻ്റെ അളവ്. മറ്റൊരു പാർട്ട് നമ്പറുള്ള ഒരു ഉൽപ്പന്നത്തിലേക്ക് മാറുമ്പോൾ, നൽകിയിരിക്കുന്ന ഉൽപ്പന്നത്തിനായി ഒരു സിസ്റ്റം മൂല്യനിർണ്ണയ പരിശോധന നടപ്പിലാക്കുക.

ശ്രദ്ധിക്കുക

1. ഈ ഡോക്യുമെന്റിലെ സർക്യൂട്ടുകളുടെയും സോഫ്‌റ്റ്‌വെയറിന്റെയും മറ്റ് അനുബന്ധ വിവരങ്ങളുടെയും വിവരണങ്ങൾ അർദ്ധചാലക ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെയും ആപ്ലിക്കേഷന്റെയും പ്രവർത്തനത്തെ ചിത്രീകരിക്കാൻ മാത്രമാണ് നൽകിയിരിക്കുന്നത്.ampലെസ്. നിങ്ങളുടെ ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെയോ സിസ്റ്റത്തിൻ്റെയോ രൂപകൽപ്പനയിൽ സർക്യൂട്ടുകൾ, സോഫ്‌റ്റ്‌വെയർ, വിവരങ്ങൾ എന്നിവയുടെ സംയോജനത്തിൻ്റെയോ മറ്റേതെങ്കിലും ഉപയോഗത്തിൻ്റെയോ പൂർണ്ണ ഉത്തരവാദിത്തം നിങ്ങൾക്കാണ്. ഈ സർക്യൂട്ടുകൾ, സോഫ്‌റ്റ്‌വെയർ അല്ലെങ്കിൽ വിവരങ്ങൾ എന്നിവയുടെ ഉപയോഗത്തിൽ നിന്ന് നിങ്ങൾക്കോ ​​മൂന്നാം കക്ഷികൾക്കോ ​​ഉണ്ടാകുന്ന നഷ്ടങ്ങൾക്കും നാശനഷ്ടങ്ങൾക്കും Renesas Electronics ബാധ്യത നിരാകരിക്കുന്നു.
2. Renesas Electronics, ഈ പ്രമാണത്തിൽ വിവരിച്ചിരിക്കുന്ന Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെയോ സാങ്കേതിക വിവരങ്ങളുടെയോ ഉപയോഗത്തിലൂടെയോ അല്ലെങ്കിൽ മൂന്നാം കക്ഷികളുടെ പേറ്റൻ്റുകൾ, പകർപ്പവകാശങ്ങൾ, അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് ബൗദ്ധിക സ്വത്തവകാശങ്ങൾ എന്നിവ ഉൾപ്പെടുന്ന മറ്റേതെങ്കിലും ക്ലെയിമുകൾക്കെതിരെയോ ലംഘനത്തിനുള്ള ബാധ്യതയോ വാറൻ്റികളോ ഇതിനാൽ വ്യക്തമായി നിരാകരിക്കുന്നു. ഉൽപ്പന്ന ഡാറ്റ, ഡ്രോയിംഗുകൾ, ചാർട്ടുകൾ, പ്രോഗ്രാമുകൾ, അൽഗോരിതങ്ങൾ, ആപ്ലിക്കേഷൻ എന്നിവയിൽ മാത്രം ഒതുങ്ങുന്നില്ലampലെസ്.
3. Renesas Electronics അല്ലെങ്കിൽ മറ്റുള്ളവരുടെ ഏതെങ്കിലും പേറ്റന്റുകൾ, പകർപ്പവകാശങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് ബൗദ്ധിക സ്വത്തവകാശങ്ങൾ എന്നിവയ്ക്ക് കീഴിൽ ഒരു ലൈസൻസും, എക്സ്പ്രസ്, സൂചിപ്പിക്കൽ, അല്ലെങ്കിൽ മറ്റെന്തെങ്കിലും അനുവദിക്കുന്നില്ല.
4. ഏതെങ്കിലും മൂന്നാം കക്ഷികളിൽ നിന്ന് എന്ത് ലൈസൻസുകൾ ആവശ്യമാണെന്ന് നിർണ്ണയിക്കുന്നതിനും ആവശ്യമെങ്കിൽ റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഉൾക്കൊള്ളുന്ന ഏതെങ്കിലും ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ നിയമാനുസൃതമായ ഇറക്കുമതി, കയറ്റുമതി, നിർമ്മാണം, വിൽപ്പന, ഉപയോഗം, വിതരണം അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് വിനിയോഗം എന്നിവയ്ക്കായി അത്തരം ലൈസൻസുകൾ നേടുന്നതിനും നിങ്ങൾ ഉത്തരവാദിയായിരിക്കും.
5. Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നം മുഴുവനായോ ഭാഗികമായോ നിങ്ങൾ മാറ്റുകയോ പരിഷ്ക്കരിക്കുകയോ പകർത്തുകയോ റിവേഴ്സ് എഞ്ചിനീയർ ചെയ്യുകയോ ചെയ്യരുത്. അത്തരം മാറ്റങ്ങൾ, പരിഷ്ക്കരണം, പകർത്തൽ അല്ലെങ്കിൽ റിവേഴ്സ് എഞ്ചിനീയറിംഗ് എന്നിവയിൽ നിന്ന് നിങ്ങൾക്കോ ​​മൂന്നാം കക്ഷികൾക്കോ ​​ഉണ്ടാകുന്ന നഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​നാശനഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​എന്തെങ്കിലും ബാധ്യത Renesas Electronics നിരാകരിക്കുന്നു.
6. Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഇനിപ്പറയുന്ന രണ്ട് ഗുണനിലവാര ഗ്രേഡുകൾ അനുസരിച്ച് തരം തിരിച്ചിരിക്കുന്നു: "സ്റ്റാൻഡേർഡ്", "ഉയർന്ന നിലവാരം". ഓരോ Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നത്തിനും വേണ്ടി ഉദ്ദേശിക്കുന്ന ആപ്ലിക്കേഷനുകൾ ചുവടെ സൂചിപ്പിച്ചിരിക്കുന്നതുപോലെ ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ ഗുണനിലവാര ഗ്രേഡിനെ ആശ്രയിച്ചിരിക്കുന്നു.
   "സ്റ്റാൻഡേർഡ്": കമ്പ്യൂട്ടറുകൾ; ഓഫീസ് ഉപകരണങ്ങൾ; ആശയവിനിമയ ഉപകരണങ്ങൾ; ടെസ്റ്റ്, മെഷർമെന്റ് ഉപകരണങ്ങൾ; ഓഡിയോ, വിഷ്വൽ ഉപകരണങ്ങൾ; വീട്ടുപകരണങ്ങൾ ഇലക്ട്രോണിക് വീട്ടുപകരണങ്ങൾ; യന്ത്ര ഉപകരണങ്ങൾ; വ്യക്തിഗത ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങൾ; വ്യാവസായിക റോബോട്ടുകൾ; തുടങ്ങിയവ.
   "ഉയർന്ന നിലവാരം": ഗതാഗത ഉപകരണങ്ങൾ (ഓട്ടോമൊബൈലുകൾ, ട്രെയിനുകൾ, കപ്പലുകൾ മുതലായവ); ട്രാഫിക് നിയന്ത്രണം (ട്രാഫിക് ലൈറ്റുകൾ); വലിയ തോതിലുള്ള ആശയവിനിമയ ഉപകരണങ്ങൾ; പ്രധാന സാമ്പത്തിക ടെർമിനൽ സംവിധാനങ്ങൾ; സുരക്ഷാ നിയന്ത്രണ ഉപകരണങ്ങൾ; തുടങ്ങിയവ.
   ഒരു റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഡാറ്റ ഷീറ്റിലോ മറ്റ് റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഡോക്യുമെൻ്റിലോ ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യതയുള്ള ഉൽപ്പന്നമോ കഠിനമായ അന്തരീക്ഷത്തിനുള്ള ഒരു ഉൽപ്പന്നമോ ആയി വ്യക്തമായി നിയുക്തമാക്കിയിട്ടില്ലെങ്കിൽ, റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ മനുഷ്യജീവന് നേരിട്ട് ഭീഷണിയാകുന്ന ഉൽപ്പന്നങ്ങളിലോ സിസ്റ്റങ്ങളിലോ ഉപയോഗിക്കാൻ ഉദ്ദേശിച്ചുള്ളതോ അംഗീകരിക്കപ്പെട്ടതോ അല്ല. അല്ലെങ്കിൽ ശാരീരിക പരിക്കുകൾ (കൃത്രിമ ലൈഫ് സപ്പോർട്ട് ഉപകരണങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ സംവിധാനങ്ങൾ; ശസ്ത്രക്രിയാ ഇംപ്ലാൻ്റേഷനുകൾ മുതലായവ) അല്ലെങ്കിൽ ഗുരുതരമായ സ്വത്ത് നാശത്തിന് കാരണമാകാം (സ്പേസ് സിസ്റ്റം; കടലിനടിയിലെ റിപ്പീറ്ററുകൾ; ആണവോർജ്ജ നിയന്ത്രണ സംവിധാനങ്ങൾ; വിമാന നിയന്ത്രണ സംവിധാനങ്ങൾ; പ്രധാന പ്ലാൻ്റ് സംവിധാനങ്ങൾ; സൈനിക ഉപകരണങ്ങൾ; മുതലായവ). Renesas Electronics ഡാറ്റ ഷീറ്റ്, ഉപയോക്തൃ മാനുവൽ അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് Renesas ഇലക്ട്രോണിക്സ് പ്രമാണം എന്നിവയുമായി പൊരുത്തപ്പെടാത്ത ഏതെങ്കിലും Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെ ഉപയോഗം മൂലം നിങ്ങൾക്കോ ​​അല്ലെങ്കിൽ ഏതെങ്കിലും മൂന്നാം കക്ഷികൾക്കോ ​​ഉണ്ടാകുന്ന ഏതെങ്കിലും നാശനഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​നഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​ഉള്ള ബാധ്യത Renesas Electronics നിരാകരിക്കുന്നു.
7. ഒരു അർദ്ധചാലക ഉൽപ്പന്നവും സുരക്ഷിതമല്ല. Renesas Electronics ഹാർഡ്‌വെയറിലോ സോഫ്റ്റ്‌വെയർ ഉൽപ്പന്നങ്ങളിലോ നടപ്പിലാക്കിയേക്കാവുന്ന ഏതെങ്കിലും സുരക്ഷാ നടപടികളോ സവിശേഷതകളോ ഉണ്ടായിരുന്നിട്ടും, Renesas Electronics-ന് ഏതെങ്കിലും തരത്തിലുള്ള അപകടസാധ്യതയോ സുരക്ഷാ ലംഘനമോ മൂലം ഉണ്ടാകുന്ന ഒരു ബാധ്യതയും ഉണ്ടായിരിക്കില്ല. റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നം ഉപയോഗിക്കുന്ന ഒരു സിസ്റ്റം. റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് ഉൽപന്നങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഉപയോഗിച്ച് സൃഷ്‌ടിച്ച ഏതെങ്കിലും സിസ്‌റ്റം എന്നിവയ്‌ക്ക് ദോഷകരമല്ലാത്തതോ സ്വതന്ത്രമോ ആയിരിക്കുമെന്ന് റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് വാറണ്ടോ ഉറപ്പോ നൽകുന്നില്ല ING, ഡാറ്റ നഷ്ടം അല്ലെങ്കിൽ മോഷണം, അല്ലെങ്കിൽ മറ്റ് സുരക്ഷാ കടന്നുകയറ്റം ("ദുർബലത പ്രശ്നങ്ങൾ") . ഏതെങ്കിലും അപകടസാധ്യത പ്രശ്‌നങ്ങളിൽ നിന്നോ ബന്ധപ്പെട്ടിരിക്കുന്നതോ ആയ എല്ലാ ഉത്തരവാദിത്തങ്ങളും ബാധ്യതകളും RENESAS ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് നിരാകരിക്കുന്നു. കൂടാതെ, ബാധകമായ നിയമം അനുവദനീയമായ പരിധി വരെ, ഈ ഡോക്യുമെൻ്റിനെയും ബന്ധപ്പെട്ടതുമായ ഏതെങ്കിലും വാറൻ്റികൾ, പ്രകടമാക്കുന്നതോ അല്ലെങ്കിൽ സൂചിപ്പിച്ചതോ ആയ എല്ലാ വാറൻ്റികളും നിരാകരിക്കുന്നു ക്ലൂഡിംഗ് എന്നാൽ വ്യാപാരത്തിൻ്റെ വ്യക്തമായ വാറൻ്റികളിൽ പരിമിതപ്പെടുത്തിയിട്ടില്ല, അല്ലെങ്കിൽ ഒരു പ്രത്യേക ഫിറ്റ്നസ് ഉദ്ദേശ്യം.
8. Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുമ്പോൾ, ഏറ്റവും പുതിയ ഉൽപ്പന്ന വിവരങ്ങൾ (ഡാറ്റ ഷീറ്റുകൾ, ഉപയോക്തൃ മാനുവലുകൾ, ആപ്ലിക്കേഷൻ കുറിപ്പുകൾ, വിശ്വാസ്യത ഹാൻഡ്‌ബുക്കിലെ "അർദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങൾ കൈകാര്യം ചെയ്യുന്നതിനും ഉപയോഗിക്കുന്നതിനുമുള്ള പൊതുവായ കുറിപ്പുകൾ" മുതലായവ) റഫർ ചെയ്യുക, കൂടാതെ ഉപയോഗ സാഹചര്യങ്ങൾ പരിധിക്കുള്ളിലാണെന്ന് ഉറപ്പാക്കുക. പരമാവധി റേറ്റിംഗുകൾ, ഓപ്പറേറ്റിംഗ് പവർ സപ്ലൈ വോളിയം സംബന്ധിച്ച് Renesas Electronics വ്യക്തമാക്കിയത്tagഇ ശ്രേണി, താപ വിസർജ്ജന സവിശേഷതകൾ, ഇൻസ്റ്റാളേഷൻ മുതലായവ. അത്തരം നിർദ്ദിഷ്ട ശ്രേണികൾക്ക് പുറത്തുള്ള റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ ഉപയോഗത്തിൽ നിന്ന് ഉണ്ടാകുന്ന എന്തെങ്കിലും തകരാറുകൾ, പരാജയങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ അപകടങ്ങൾ എന്നിവയ്ക്ക് റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഏതെങ്കിലും ബാധ്യത നിരാകരിക്കുന്നു.
9. Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ ഗുണനിലവാരവും വിശ്വാസ്യതയും മെച്ചപ്പെടുത്താൻ ശ്രമിക്കുന്നുണ്ടെങ്കിലും, അർദ്ധചാലക ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്ക് ഒരു നിശ്ചിത നിരക്കിൽ പരാജയം സംഭവിക്കുന്നതും ചില ഉപയോഗ സാഹചര്യങ്ങളിൽ തകരാറുകൾ സംഭവിക്കുന്നതും പോലുള്ള പ്രത്യേക സ്വഭാവസവിശേഷതകൾ ഉണ്ട്. റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഡാറ്റ ഷീറ്റിലോ മറ്റ് റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഡോക്യുമെൻ്റിലോ ഉയർന്ന വിശ്വാസ്യതയുള്ള ഉൽപ്പന്നമോ കഠിനമായ പരിതസ്ഥിതികൾക്കുള്ള ഉൽപ്പന്നമോ ആയി നിയുക്തമാക്കിയിട്ടില്ലെങ്കിൽ, റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ റേഡിയേഷൻ പ്രതിരോധ രൂപകൽപ്പനയ്ക്ക് വിധേയമല്ല. ഹാർഡ്‌വെയറിനായുള്ള സുരക്ഷാ ഡിസൈൻ പോലുള്ള റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെ തകരാർ അല്ലെങ്കിൽ തകരാർ സംഭവിച്ചാൽ, ശാരീരിക പരിക്കുകൾ, പരിക്കുകൾ അല്ലെങ്കിൽ തീ മൂലമുണ്ടാകുന്ന നാശനഷ്ടങ്ങൾ, കൂടാതെ/അല്ലെങ്കിൽ പൊതുജനങ്ങൾക്ക് അപകടസാധ്യത എന്നിവയ്‌ക്കെതിരെ പരിരക്ഷിക്കുന്നതിനുള്ള സുരക്ഷാ നടപടികൾ നടപ്പിലാക്കുന്നതിനുള്ള ഉത്തരവാദിത്തം നിങ്ങൾക്കാണ്. സോഫ്റ്റ്‌വെയർ, ആവർത്തനം, അഗ്നി നിയന്ത്രണം, തകരാറുകൾ തടയൽ, വാർദ്ധക്യത്തകർച്ചയ്‌ക്കുള്ള ഉചിതമായ ചികിത്സ അല്ലെങ്കിൽ മറ്റേതെങ്കിലും ഉചിതമായ നടപടികൾ എന്നിവ ഉൾപ്പെടെ എന്നാൽ അതിൽ മാത്രം പരിമിതപ്പെടുത്തരുത്. മൈക്രോകമ്പ്യൂട്ടർ സോഫ്‌റ്റ്‌വെയറിൻ്റെ മാത്രം മൂല്യനിർണ്ണയം വളരെ ബുദ്ധിമുട്ടുള്ളതും അപ്രായോഗികവുമായതിനാൽ, നിങ്ങൾ നിർമ്മിക്കുന്ന അന്തിമ ഉൽപ്പന്നങ്ങളുടെയോ സിസ്റ്റങ്ങളുടെയോ സുരക്ഷ വിലയിരുത്തുന്നതിന് നിങ്ങൾ ഉത്തരവാദിയാണ്.
10. ഓരോ Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നത്തിൻ്റെയും പാരിസ്ഥിതിക അനുയോജ്യത പോലുള്ള പാരിസ്ഥിതിക കാര്യങ്ങൾ സംബന്ധിച്ച വിശദാംശങ്ങൾക്ക് ദയവായി Renesas Electronics സെയിൽസ് ഓഫീസുമായി ബന്ധപ്പെടുക. നിയന്ത്രിത വസ്തുക്കളുടെ ഉൾപ്പെടുത്തൽ അല്ലെങ്കിൽ ഉപയോഗം നിയന്ത്രിക്കുന്ന, EU RoHS നിർദ്ദേശം, ഈ ബാധകമായ എല്ലാ നിയമങ്ങൾക്കും ചട്ടങ്ങൾക്കും അനുസൃതമായി Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ ഉപയോഗിക്കുന്നത് എന്നിവ ഉൾപ്പെടെ, ബാധകമായ നിയമങ്ങളും നിയന്ത്രണങ്ങളും ശ്രദ്ധാപൂർവ്വം, വേണ്ടത്ര അന്വേഷിക്കുന്നതിന് നിങ്ങൾക്ക് ഉത്തരവാദിത്തമുണ്ട്. ബാധകമായ നിയമങ്ങളും ചട്ടങ്ങളും നിങ്ങൾ പാലിക്കാത്തതിൻ്റെ ഫലമായി ഉണ്ടാകുന്ന നാശനഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​നഷ്ടങ്ങൾക്കോ ​​ഉള്ള ബാധ്യത Renesas Electronics നിരാകരിക്കുന്നു.
11. Renesas ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് ഉൽപ്പന്നങ്ങളും സാങ്കേതികവിദ്യകളും, ബാധകമായ ഏതെങ്കിലും ആഭ്യന്തര അല്ലെങ്കിൽ വിദേശ നിയമങ്ങൾ അല്ലെങ്കിൽ ചട്ടങ്ങൾ പ്രകാരം നിർമ്മാണം, ഉപയോഗം, അല്ലെങ്കിൽ വിൽപ്പന എന്നിവ നിരോധിച്ചിരിക്കുന്ന ഏതെങ്കിലും ഉൽപ്പന്നങ്ങൾക്കോ ​​സംവിധാനങ്ങൾക്കോ ​​വേണ്ടി ഉപയോഗിക്കാനോ സംയോജിപ്പിക്കാനോ പാടില്ല. കക്ഷികളുടെയോ ഇടപാടുകളുടെയോ അധികാരപരിധി ഉറപ്പിച്ചുകൊണ്ട് ഏതെങ്കിലും രാജ്യങ്ങളിലെ ഗവൺമെൻ്റുകൾ പ്രഖ്യാപിക്കുകയും നിയന്ത്രിക്കുകയും ചെയ്യുന്ന ബാധകമായ ഏതെങ്കിലും കയറ്റുമതി നിയന്ത്രണ നിയമങ്ങളും നിയന്ത്രണങ്ങളും നിങ്ങൾ പാലിക്കണം.
12. Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങൾ വാങ്ങുന്നയാളുടെയോ വിതരണക്കാരൻ്റെയോ അല്ലെങ്കിൽ മൂന്നാം കക്ഷിക്ക് ഉൽപ്പന്നം വിതരണം ചെയ്യുന്നതോ വിനിയോഗിക്കുന്നതോ വിൽക്കുന്നതോ കൈമാറ്റം ചെയ്യുന്നതോ ആയ മറ്റേതെങ്കിലും കക്ഷിയുടെ ഉത്തരവാദിത്തമാണ്, അത്തരം മൂന്നാം കക്ഷിയിൽ വിവരിച്ചിരിക്കുന്ന ഉള്ളടക്കങ്ങളും വ്യവസ്ഥകളും മുൻകൂട്ടി അറിയിക്കേണ്ടത്. ഈ പ്രമാണം.
13. Renesas Electronics-ൻ്റെ മുൻകൂർ രേഖാമൂലമുള്ള സമ്മതമില്ലാതെ ഈ പ്രമാണം ഒരു തരത്തിലും പൂർണ്ണമായോ ഭാഗികമായോ വീണ്ടും അച്ചടിക്കുകയോ പുനർനിർമ്മിക്കുകയോ ഡ്യൂപ്ലിക്കേറ്റ് ചെയ്യുകയോ ചെയ്യരുത്.
14. ഈ ഡോക്യുമെന്റിലോ Renesas Electronics ഉൽപ്പന്നങ്ങളിലോ അടങ്ങിയിരിക്കുന്ന വിവരങ്ങളെ കുറിച്ച് നിങ്ങൾക്ക് എന്തെങ്കിലും ചോദ്യങ്ങളുണ്ടെങ്കിൽ ദയവായി Renesas Electronics സെയിൽസ് ഓഫീസുമായി ബന്ധപ്പെടുക.

• (കുറിപ്പ് 1) ഈ ഡോക്യുമെന്റിൽ ഉപയോഗിച്ചിരിക്കുന്ന "Renesas Electronics" എന്നാൽ Renesas Electronics Corporation എന്നതിനർത്ഥം അതിന്റെ നേരിട്ടോ അല്ലാതെയോ നിയന്ത്രിത സബ്സിഡിയറികളും ഉൾപ്പെടുന്നു.
• (കുറിപ്പ് 2) "റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് ഉൽപ്പന്നം(കൾ)" എന്നാൽ റെനെസാസ് ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് വികസിപ്പിച്ചതോ നിർമ്മിക്കുന്നതോ ആയ ഏതെങ്കിലും ഉൽപ്പന്നം എന്നാണ് അർത്ഥമാക്കുന്നത്.

കോർപ്പറേറ്റ് ആസ്ഥാനം
ടൊയോസു ഫോറേഷ്യ, 3-2-24 ടോയോസു, കോട്ടോ-കു, ടോക്കിയോ 135-0061, ജപ്പാൻ www.renesas.com

വ്യാപാരമുദ്രകൾ
Renesas ഇലക്‌ട്രോണിക്‌സ് കോർപ്പറേഷൻ്റെ വ്യാപാരമുദ്രകളാണ് Renesas ഉം Renesas ലോഗോയും. എല്ലാ വ്യാപാരമുദ്രകളും രജിസ്റ്റർ ചെയ്ത വ്യാപാരമുദ്രകളും അവയുടെ ഉടമസ്ഥരുടെ സ്വത്താണ്.

ബന്ധപ്പെടാനുള്ള വിവരങ്ങൾ
ഒരു ഉൽപ്പന്നം, സാങ്കേതികവിദ്യ, ഒരു ഡോക്യുമെൻ്റിൻ്റെ ഏറ്റവും കാലികമായ പതിപ്പ് അല്ലെങ്കിൽ നിങ്ങളുടെ അടുത്തുള്ള സെയിൽസ് ഓഫീസ് എന്നിവയെ കുറിച്ചുള്ള കൂടുതൽ വിവരങ്ങൾക്ക് ദയവായി സന്ദർശിക്കുക www.renesas.com/contact/.

• 2023 റെനെസാസ് ഇലക്ട്രോണിക്സ് കോർപ്പറേഷൻ. എല്ലാ അവകാശങ്ങളും നിക്ഷിപ്തം.

പ്രമാണങ്ങൾ / വിഭവങ്ങൾ

RENESAS RA2E1 കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU [pdf] ഉപയോക്തൃ ഗൈഡ് RA2E1, RX ഫാമിലി, RA ഫാമിലി, RL78 ഫാമിലി, RA2E1 കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU, RA2E1, കപ്പാസിറ്റീവ് സെൻസർ MCU, സെൻസർ MCU

റഫറൻസുകൾ

• ഉപയോക്തൃ മാനുവൽ