MCU de sensor capacitivo RENESAS RA2E1

MCU de sensor capacitivo
Guia de imunidade a ruído de toque capacitivo

Introdução
A Unidade de Sensor de Toque Capacitivo (CTSU) da Renesas pode ser suscetível a ruídos em seu ambiente circundante porque pode detectar pequenas mudanças na capacitância, geradas por sinais elétricos espúrios indesejados (ruído). O efeito desse ruído pode depender do design do hardware. Portanto, tomar contramedidas no design stage levará a um CTSU MCU que é resiliente ao ruído ambiental e ao desenvolvimento eficaz do produto. Esta nota de aplicação descreve maneiras de melhorar a imunidade ao ruído para produtos que usam a Renesas Capacitive Touch Sensor Unit (CTSU) pelos padrões de imunidade ao ruído da IEC (IEC61000-4).

Dispositivo Alvo
Família RX, Família RA, MCUs da família RL78 e Renesas Synergy™ incorporando o CTSU (CTSU, CTSU2, CTSU2L, CTSU2La, CTSU2SL)

Normas abrangidas nesta nota de aplicação 

• Norma IEC-61000-4-3
• Norma IEC-61000-4-6

Sobreview

O CTSU mede a quantidade de eletricidade estática da carga elétrica quando um eletrodo é tocado. Se o potencial do eletrodo de toque mudar devido ao ruído durante a medição, a corrente de carga também muda, afetando o valor medido. Especificamente, uma grande flutuação no valor medido pode exceder o limite de toque, causando mau funcionamento do dispositivo. Pequenas flutuações no valor medido podem afetar aplicações que exigem medições lineares. O conhecimento sobre o comportamento de detecção de toque capacitivo do CTSU e o design da placa é essencial ao considerar a imunidade a ruído para sistemas de toque capacitivo do CTSU. Recomendamos que os usuários iniciantes do CTSU se familiarizem com os princípios do CTSU e do toque capacitivo estudando os seguintes documentos relacionados.

• Informações básicas sobre detecção de toque capacitivo e CTSU
• Guia do usuário do Capacitive Touch para MCUs de sensor capacitivo (R30AN0424)
• Informações sobre o design da placa de hardware
  Microcontroladores de sensor capacitivo – Guia de design de eletrodo de toque capacitivo CTSU (R30AN0389)
• Informações sobre o software do driver CTSU (módulo CTSU)
  Família RA Manual do usuário do pacote de software flexível Renesas (FSP) (Web Versão – HTML)
  Referência de API > Módulos > CapTouch > CTSU (r_ctsu)
  Sistema de integração de software do módulo CTSU da família RL78 (R11AN0484)
  Tecnologia de integração de firmware do módulo QE CTSU da família RX (R01AN4469)
• Informações sobre software de middleware de toque (módulo TOUCH)
  Família RA Manual do usuário do pacote de software flexível Renesas (FSP) (Web Versão – HTML)
  Referência de API > Módulos > CapTouch > Toque (rm_touch)
  Sistema de integração de software do módulo TOUCH da família RL78 (R11AN0485)
  Tecnologia de integração de firmware do módulo de toque QE da família RX (R01AN4470)
• Informações sobre QE para toque capacitivo (ferramenta de suporte ao desenvolvimento de aplicativos de toque capacitivo)
  Usando QE e FSP para desenvolver aplicações de toque capacitivo (R01AN4934)
  Usando QE e FIT para desenvolver aplicações de toque capacitivo (R01AN4516)
  Família RL78 usando QE e SIS para desenvolver aplicações de toque capacitivo (R01AN5512)
  Família RL78 usando a versão autônoma do QE para desenvolver aplicativos de toque capacitivo (R01AN6574)

Tipos de ruído e contramedidas

Padrões EMC
A Tabela 2-1 fornece uma lista de padrões EMC. O ruído pode influenciar as operações ao infiltrar o sistema através de espaços de ar e cabos de conexão. Esta lista apresenta os padrões IEC 61000 como examples para descrever os tipos de ruído que os desenvolvedores devem estar cientes para garantir operações adequadas para sistemas que usam o CTSU. Consulte a versão mais recente do IEC 61000 para obter mais detalhes.

Tabela 2-1 Padrões de teste de EMC (IEC 61000)

Descrição do teste	Sobreview	Padrão
Teste de imunidade irradiada	Teste de imunidade a ruído de RF de frequência relativamente alta	IEC61000-4-3
Teste de imunidade conduzido	Teste de imunidade a ruído de RF de frequência relativamente baixa	IEC61000-4-6
Teste de descarga eletrostática (ESD)	Teste de imunidade à descarga eletrostática	IEC61000-4-2
Teste de transiente elétrico rápido/explosão (EFT/B)	Teste de imunidade à resposta transitória pulsada contínua introduzida em linhas de alimentação elétrica, etc.	IEC61000-4-4

A Tabela 2-2 lista os critérios de desempenho para testes de imunidade. Os critérios de desempenho são especificados para testes de imunidade EMC, e os resultados são julgados com base na operação do equipamento durante o teste (EUT). Os critérios de desempenho são os mesmos para cada padrão.

Tabela 2-2 Critérios de desempenho para testes de imunidade

Critério de Desempenho	Descrição
A	O equipamento deverá continuar a operar conforme pretendido durante e após o teste. Nenhuma degradação de desempenho ou perda de função é permitida abaixo do nível de desempenho especificado pelo fabricante quando o equipamento é usado conforme pretendido.
B	O equipamento deverá continuar a operar conforme pretendido durante e após o teste. Nenhuma degradação de desempenho ou perda de função é permitida abaixo de um nível de desempenho especificado pelo fabricante quando o equipamento é usado conforme pretendido. Durante o teste, a degradação de desempenho é, no entanto, permitida. Nenhuma alteração do estado operacional real ou dos dados armazenados é permitida.
C	A perda temporária de função é permitida, desde que a função seja autorecuperável ou possa ser restaurada pela operação dos controles.

Contramedidas de ruído de RF

Ruído de RF indica ondas eletromagnéticas de radiofrequências usadas por transmissão de televisão e rádio, dispositivos móveis e outros equipamentos elétricos. Ruído de RF pode infiltrar-se diretamente em um PCB ou pode entrar pela linha de alimentação e outros cabos conectados. Contramedidas de ruído devem ser implementadas na placa para o primeiro e no nível do sistema para o último, como por meio da linha de alimentação. O CTSU mede a capacitância convertendo-a em um sinal elétrico. A mudança na capacitância devido ao toque é extremamente pequena, então para garantir a detecção normal do toque, o pino do sensor e a fonte de alimentação do próprio sensor devem ser protegidos contra ruído de RF. Dois testes com frequências de teste diferentes estão disponíveis para testar a imunidade ao ruído de RF: IEC 61000-4-3 e IEC 61000-4-6.

O IEC61000-4-3 é um teste de imunidade irradiada e é usado para avaliar a imunidade a ruídos aplicando diretamente um sinal do campo eletromagnético de radiofrequência ao EUT. O campo eletromagnético de RF varia de 80 MHz a 1 GHz ou mais, o que converte em comprimentos de onda de aproximadamente 3.7 m a 30 cm. Como esse comprimento de onda e o comprimento do PCB são semelhantes, o padrão pode atuar como uma antena, afetando adversamente os resultados da medição do CTSU. Além disso, se o comprimento da fiação ou a capacitância parasita diferir para cada eletrodo de toque, a frequência afetada pode diferir para cada terminal. Consulte a Tabela 2-3 para obter detalhes sobre o teste de imunidade irradiada.

Tabela 2-3 Teste de imunidade irradiada

Faixa de frequência	Nível de teste	Teste de força do campo
80 MHz-1 GHz Até 2.7 GHz ou até 6.0 GHz, dependendo da versão de teste	1	1 V/m
	2	3 V/m
	3	10 V/m
	4	30 V/m
	X	Especificado individualmente

O IEC 61000-4-6 é um teste de imunidade conduzido e é usado para avaliar frequências entre 150 kHz e 80 MHz, uma faixa menor do que a do teste de imunidade irradiada. Esta banda de frequência tem um comprimento de onda de vários metros ou mais, e o comprimento de onda de 150 kHz atinge cerca de 2 km. Como é difícil aplicar diretamente um campo eletromagnético de RF deste comprimento no EUT, um sinal de teste é aplicado a um cabo conectado diretamente ao EUT para avaliar o efeito de ondas de baixa frequência. Comprimentos de onda mais curtos afetam principalmente a fonte de alimentação e os cabos de sinal. Por ex.ampou seja, se uma banda de frequência causa ruído que afeta o cabo de alimentação e o volume da fonte de alimentaçãotage desestabiliza, os resultados da medição CTSU podem ser afetados por ruído em todos os pinos. A Tabela 2-4 fornece detalhes do teste de imunidade conduzido.

Tabela 2-4 Teste de imunidade conduzido

Faixa de frequência	Nível de teste	Teste de força do campo
150kHz-80MHz	1	1 Vrm
	2	3 Vrm
	3	10 Vrm
	X	Especificado individualmente

Em um projeto de fonte de alimentação CA em que o GND do sistema ou o terminal MCU VSS não está conectado a um terminal de aterramento de fonte de alimentação comercial, o ruído conduzido pode entrar diretamente na placa como ruído de modo comum, o que pode causar ruído nos resultados de medição do CTSU quando um botão é tocado.

A Figura 2-1 mostra o Caminho de Entrada de Ruído de Modo Comum e a Figura 2-2 mostra a Relação entre Ruído de Modo Comum e Corrente de Medição. Da perspectiva do GND da placa (B-GND), o ruído de modo comum parece flutuar conforme o ruído é sobreposto ao GND de terra (E-GND). Além disso, como o dedo (corpo humano) que toca o eletrodo de toque (PAD) é acoplado ao E-GND devido à capacitância parasita, o ruído de modo comum é transmitido e parece flutuar da mesma forma que o E-GND. Se o PAD for tocado neste ponto, o ruído (VNOISE) gerado pelo ruído de modo comum é aplicado à capacitância Cf formada pelo dedo e pelo PAD, fazendo com que a corrente de carga medida pelo CTSU flutue. Alterações na corrente de carga aparecem como valores digitais com ruído sobreposto. Se o ruído de modo comum incluir componentes de frequência que correspondem à frequência de pulso de acionamento do CTSU e seus harmônicos, os resultados da medição podem flutuar significativamente. A Tabela 2-5 fornece uma lista de contramedidas necessárias para melhorar a imunidade a ruído de RF. A maioria das contramedidas é comum à melhoria da imunidade irradiada e da imunidade conduzida. Consulte a seção de cada capítulo correspondente conforme listado para cada etapa do desenvolvimento.

Tabela 2-5 Lista de contramedidas necessárias para melhorias na imunidade ao ruído de RF

Etapa de desenvolvimento	Contramedidas necessárias no momento do projeto	Seções Correspondentes
Seleção de MCU (seleção de função CTSU)	É recomendado usar um MCU integrado ao CTSU2 quando a imunidade a ruídos for uma prioridade. · Habilitar funções de contramedidas antirruído CTSU2: ¾ Medição multifrequencial ¾ Escudo ativo ¾ Defina como saída de canal sem medição ao usar uma blindagem ativa   Or · Habilitar funções de contramedidas antirruído do CTSU: ¾ Função de deslocamento de fase aleatório ¾ Função de redução de ruído de alta frequência	3.3.1   Medição multifrequencial 3.3.2    Escudo Ativo 3.3.3    Canal de não medição Seleção de saída       3.2.1   Função de mudança de fase aleatória 3.2.2    Ruído de alta frequência Função de redução (dispersão função de espectro)
Design de hardware	· Projeto de placa usando padrão de eletrodo recomendado   · Use uma fonte de alimentação para saída de baixo ruído · Recomendação de projeto de padrão GND: em um sistema aterrado, use peças para uma contramedida de ruído de modo comum       · Reduza o nível de infiltração de ruído no pino do sensor ajustando o dampvalor do resistor de entrada. · Coloque dampresistor de entrada na linha de comunicação · Projetar e posicionar o capacitor apropriado na linha de alimentação do MCU	4.1.1 Padrão de eletrodo de toque Desenhos 4.1.2.1  Volumetage Design de Suprimento 4.1.2.2  Design de Padrão GND 4.3.1 Filtro de Modo Comum 4.3.4 Considerações para GND Distância entre o escudo e o eletrodo     4.2.1  Pino TS Damping Resistência 4.2.2  Ruído de sinal digital 4.3.4 Considerações para GND Distância entre o escudo e o eletrodo
Implementação de software	Ajuste o filtro do software para reduzir o efeito do ruído nos valores medidos · Média móvel IIR (eficaz para a maioria dos casos de ruído aleatório) · Média móvel FIR (para ruído periódico especificado)	5.1   Filtro IIR   5.2  Filtro FIR

Ruído ESD (descarga eletrostática)

Descarga eletrostática (ESD) é gerada quando dois objetos carregados estão em contato ou localizados próximos. A eletricidade estática acumulada dentro do corpo humano pode atingir eletrodos em um dispositivo, mesmo através de uma sobreposição. Dependendo da quantidade de energia eletrostática aplicada ao eletrodo, os resultados da medição CTSU podem ser afetados, causando danos ao próprio dispositivo. Portanto, contramedidas devem ser introduzidas no nível do sistema, como dispositivos de proteção no circuito da placa, sobreposições da placa e invólucro de proteção para o dispositivo. O padrão IEC 61000-4-2 é usado para testar a imunidade ESD. A Tabela 2-6 fornece detalhes do teste ESD. A aplicação alvo e as propriedades do produto determinarão o nível de teste necessário. Para mais detalhes, consulte o padrão IEC 61000-4-2. Quando a ESD atinge o eletrodo de toque, ela gera instantaneamente uma diferença de potencial de vários kV. Isso pode causar ruído de pulso no valor medido CTSU, reduzindo a precisão da medição, ou pode interromper a medição devido à detecção de sobretensão.tage ou sobrecorrente. Observe que dispositivos semicondutores não são projetados para suportar aplicação direta de ESD. Portanto, o teste de ESD deve ser conduzido no produto final com a placa protegida pelo gabinete do dispositivo. Contramedidas introduzidas na própria placa são medidas de segurança para proteger o circuito no caso raro de ESD, por algum motivo, entrar na placa.

Tabela 2-6 Teste ESD

Nível de teste	Vol de Testetage
	Descarga do contato	Descarga de ar
1	2 kV	2 kV
2	4 kV	4 kV
3	6 kV	8 kV
4	8 kV	15 kV
X	Especificado individualmente	Especificado individualmente

Ruído EFT (Transientes Elétricos Rápidos)
Produtos elétricos geram um fenômeno chamado Transientes Elétricos Rápidos (EFT), como uma força eletromotriz reversa quando a energia é ligada devido à configuração interna da fonte de alimentação ou ruído de vibração em interruptores de relé. Em ambientes onde vários produtos elétricos são conectados de alguma forma, como em filtros de linha, esse ruído pode viajar através de linhas de alimentação e afetar a operação de outros equipamentos. Até mesmo linhas de energia e linhas de sinal de produtos elétricos que não estão conectados a um filtro de linha compartilhado podem ser afetados pelo ar simplesmente por estarem próximos de linhas de energia ou linhas de sinal da fonte de ruído. O padrão IEC 61000-4-4 é usado para testar a imunidade EFT. O IEC 61000-4-4 avalia a imunidade injetando sinais EFT periódicos nas linhas de energia e sinal do EUT. O ruído EFT gera um pulso periódico nos resultados da medição CTSU, o que pode diminuir a precisão dos resultados ou causar detecção de toque falso. A Tabela 2-7 fornece detalhes do teste EFT/B (Electrical Fast Transient Burst).

Tabela 2-7 Teste EFT/B

Nível de teste	Vol. De teste de circuito abertotage (pico)		Frequência de repetição de pulso (PRF)
	Fonte de energia Fio de linha/terra	Linha de Sinal/Controle
1	0.5 kV	0.25 kV	5 kHz ou 100 kHz
2	1 kV	0.5 kV
3	2 kV	1 kV
4	4 kV	2 kV
X	Especificado individualmente		Especificado individualmente

Funções de contramedidas de ruído da CTSU

Os CTSUs são equipados com funções de contramedida de ruído, mas a disponibilidade de cada função difere dependendo da versão do MCU e do CTSU que você está usando. Sempre confirme as versões do MCU e do CTSU antes de desenvolver um novo produto. Este capítulo explica as diferenças nas funções de contramedida de ruído entre cada versão do CTSU.

Princípios de medição e efeito do ruído
O CTSU repete o carregamento e o descarregamento várias vezes para cada ciclo de medição. Os resultados da medição para cada corrente de carga ou descarga são acumulados e o resultado final da medição é armazenado no registro. Neste método, o número de medições por unidade de tempo pode ser aumentado aumentando a frequência do pulso de acionamento, melhorando assim a faixa dinâmica (DR) e realizando medições CTSU altamente sensíveis. Por outro lado, o ruído externo causa alterações na corrente de carga ou descarga. Em um ambiente onde o ruído periódico é gerado, o resultado da medição armazenado no Registro do Contador do Sensor é compensado devido a um aumento ou diminuição na quantidade de corrente em uma direção. Esses efeitos relacionados ao ruído diminuem a precisão da medição. A Figura 3-1 mostra uma imagem do erro de corrente de carga devido ao ruído periódico. As frequências que se apresentam como ruído periódico são aquelas que correspondem à frequência do pulso de acionamento do sensor e seu ruído harmônico. Os erros de medição são maiores quando a borda ascendente ou descendente do ruído periódico é sincronizada com o período SW1 ON. O CTSU é equipado com funções de contramedida de ruído em nível de hardware como proteção contra esse ruído periódico.

CTSU1
O CTSU1 é equipado com uma função de mudança de fase aleatória e uma função de redução de ruído de alta frequência (função de espectro espalhado). O efeito no valor medido pode ser reduzido quando os harmônicos fundamentais da frequência de pulso do acionamento do sensor e a frequência de ruído correspondem. O valor máximo de configuração da frequência de pulso do acionamento do sensor é 4.0 MHz.

Função de mudança de fase aleatória
A Figura 3-2 mostra uma imagem de dessincronização de ruído usando a função de mudança de fase aleatória. Ao alterar a fase do pulso de acionamento do sensor em 180 graus em tempo aleatório, o aumento/diminuição unidirecional na corrente devido ao ruído periódico pode ser randomizado e suavizado para melhorar a precisão da medição. Esta função está sempre habilitada no módulo CTSU e no módulo TOUCH.

Função de redução de ruído de alta frequência (função de espectro espalhado)
A função de redução de ruído de alta frequência mede a frequência de pulso do acionamento do sensor com vibração adicionada intencionalmente. Em seguida, ele randomiza o ponto de sincronização com o ruído síncrono para dispersar o pico do erro de medição e melhorar a precisão da medição. Esta função é sempre habilitada na saída do módulo CTSU e na saída do módulo TOUCH por geração de código.

CTSU2

Medição multifrequencial
A medição multifrequência usa múltiplas frequências de pulso de acionamento do sensor com frequências diferentes. O espectro espalhado não é usado para evitar interferência em cada frequência de pulso de acionamento. Esta função melhora a imunidade contra ruído de RF conduzido e irradiado porque é eficaz contra ruído síncrono na frequência de pulso de acionamento do sensor, bem como ruído introduzido através do padrão do eletrodo de toque. A Figura 3-3 mostra uma imagem de como os valores medidos são selecionados na medição multifrequência, e a Figura 3-4 mostra uma imagem de separação de frequências de ruído no mesmo método de medição. A medição multifrequência descarta os resultados de medição afetados pelo ruído do grupo de medições feitas em múltiplas frequências para melhorar a precisão da medição.

Em projetos de aplicação que incorporam o driver CTSU e os módulos de middleware TOUCH (consulte a documentação do FSP, FIT ou SIS), quando a fase de ajuste “QE para toque capacitivo” é executada, os parâmetros de medição multifrequência são gerados automaticamente e a medição multifrequência pode ser usada. Ao habilitar as configurações avançadas na fase de ajuste, os parâmetros podem ser definidos manualmente. Para obter detalhes sobre as configurações de medição multi-clock do modo avançado, consulte o Guia de parâmetros do modo avançado de toque capacitivo (R30AN0428EJ0100). A Figura 3-5 mostra um example de Frequência de Interferência na Medição Multifrequencial. Este example mostra a frequência de interferência que aparece quando a frequência de medição é definida como 1 MHz e o ruído de condução de modo comum é aplicado à placa enquanto o eletrodo de toque é tocado. O gráfico (a) mostra a configuração imediatamente após o ajuste automático; a frequência de medição é definida como +12.5% para a 2ª frequência e -12.5% para a 3ª frequência com base na 1ª frequência de 1 MHz. O gráfico confirma que cada frequência de medição interfere no ruído. O gráfico (b) mostra um example em que a frequência de medição é ajustada manualmente; a frequência de medição é definida como -20.3% para a 2ª frequência e +9.4% para a 3ª frequência com base na 1ª frequência de 1 MHz. Se um ruído de frequência específico aparecer nos resultados da medição e a frequência de ruído corresponder à frequência de medição, certifique-se de ajustar a medição multifrequencial enquanto avalia o ambiente real para evitar interferência entre a frequência de ruído e a frequência de medição.

Escudo Ativo
No método de autocapacitância CTSU2, uma blindagem ativa pode ser usada para acionar o padrão de blindagem na mesma fase de pulso que o pulso de acionamento do sensor. Para habilitar a blindagem ativa, no QE para configuração da interface Capacitive Touch, defina o pino que se conecta ao padrão de blindagem ativa como “pino de blindagem”. A blindagem ativa pode ser definida como um pino por configuração da interface Touch (método). Para uma explicação da operação da Active Shield, consulte o ”Guia do usuário do Capacitive Touch para MCUs de sensor capacitivo (R30AN0424)”. Para obter informações sobre o projeto de PCB, consulte o ”Guia de design de eletrodo de toque capacitivo CTSU (R30AN0389)“.

Seleção de saída de canal sem medição
No método de autocapacitância CTSU2, a saída de pulso na mesma fase que o pulso de acionamento do sensor pode ser definida como a saída do canal de não medição. No QE para configuração de interface de toque capacitivo (método), os canais de não medição (eletrodos de toque) são automaticamente definidos para a mesma saída de fase de pulso para métodos atribuídos com blindagem ativa.

Contramedidas de ruído de hardware

Contramedidas típicas de ruído

Desenhos de padrões de eletrodos de toque
O circuito do eletrodo de toque é muito suscetível a ruído, exigindo que a imunidade ao ruído seja considerada no projeto do hardware.tage. Para regras detalhadas de projeto de placa que abordam a imunidade ao ruído, consulte a versão mais recente do Guia de design de eletrodo de toque capacitivo CTSU (R30AN0389). A Figura 4-1 fornece um trecho do Guia mostrando umaview do projeto de padrão do método de autocapacitância, e a Figura 4-2 mostra o mesmo para o projeto de padrão do método de capacitância mútua.

1. Formato do eletrodo: quadrado ou círculo
2. Tamanho do eletrodo: 10 mm a 15 mm
3. Proximidade dos eletrodos: os eletrodos devem ser colocados em ampdistância para que não reajam simultaneamente à interface humana alvo (referida como “dedo” neste documento); intervalo sugerido: tamanho do botão x 0.8 ou mais
4. Largura do fio: aprox. 0.15 mm a 0.20 mm para placa impressa
5. Comprimento da fiação: Deixe a fiação o mais curta possível. Nos cantos, forme um ângulo de 45 graus, não um ângulo reto.
6. Espaçamento da fiação: (A) Faça o espaçamento o mais amplo possível para evitar detecção falsa por eletrodos vizinhos. (B) Passo de 1.27 mm
7. Largura do padrão GND hachurado: 5 mm
8. Padrão GND hachurado e espaçamento de botão/fiação (A) área ao redor dos eletrodos: 5 mm (B) área ao redor da fiação: 3 mm ou mais sobre a área do eletrodo, bem como a fiação e a superfície oposta com um padrão hachurado. Além disso, coloque um padrão hachurado nos espaços vazios e conecte as 2 superfícies dos padrões hachurados por meio de vias. Consulte a seção “2.5 Projetos de padrão de layout antirruído” para dimensões de padrão hachurado, blindagem ativa (somente CTSU2) e outras contramedidas antirruído.
9. Capacitância do eletrodo + fiação: 50pF ou menos
10. Resistência do eletrodo + fiação: 2K0 ou menos (incluindo dampresistor de entrada com valor de referência de 5600)

Figura 4-1 Recomendações de projeto de padrões para o método de autocapacitância (trecho)

1. Formato do eletrodo: quadrado (eletrodo transmissor TX e eletrodo receptor RX combinados)
2. Tamanho do eletrodo: 10 mm ou maior Proximidade do eletrodo: Os eletrodos devem ser colocados em ampdistância para que não reajam simultaneamente ao objeto tocado (dedo, etc.), (intervalo sugerido: tamanho do botão x 0.8 ou mais)
   • Largura do fio: O fio mais fino capaz de passar pela produção em massa; aprox. 0.15 mm a 0.20 mm para placa impressa
3. Comprimento da fiação: Deixe a fiação o mais curta possível. Nos cantos, forme um ângulo de 45 graus, não um ângulo reto.
4. Espaçamento da fiação:
   • Deixe o espaçamento o mais amplo possível para evitar detecção falsa por eletrodos vizinhos.
   • Quando os eletrodos são separados: passo de 1.27 mm
   • 20 mm ou mais para evitar a geração de capacitância de acoplamento entre Tx e Rx.
5. Proximidade do padrão GND (proteção de blindagem) hachurado Como a capacitância parasita do pino no padrão de botão recomendado é comparativamente pequena, a capacitância parasita aumenta quanto mais próximos os pinos estiverem do GND.
   • R: 4 mm ou mais ao redor dos eletrodos. Também recomendamos um padrão de plano GND com hachura de aproximadamente 2 mm de largura entre os eletrodos.
   • B: 1.27 mm ou mais ao redor da fiação
6. Capacitância parasita Tx, Rx: 20pF ou menos
7. Resistência do eletrodo + fiação: 2kQ ou menos (incluindo dampresistor de entrada com valor de referência de 5600)
8. Não coloque o padrão GND diretamente sob os eletrodos ou a fiação. A função de blindagem ativa não pode ser usada para o método de capacitância mútua.

Figura 4-2 Recomendações de projeto de padrões para o método de capacitância mútua (trecho)

Projeto de Fonte de Alimentação
O CTSU é um módulo periférico analógico que manipula sinais elétricos minúsculos. Quando o ruído se infiltra no volumetage fornecido ao MCU ou padrão GND, ele causa flutuação potencial no pulso de acionamento do sensor e diminui a precisão da medição. Recomendamos fortemente adicionar um dispositivo de contramedida de ruído à linha de alimentação ou um circuito de alimentação de bordo para fornecer energia com segurança ao MCU.

Volumetage Design de Suprimento
Deve-se tomar medidas ao projetar a fonte de alimentação para o sistema ou dispositivo de bordo para evitar infiltração de ruído através do pino de fonte de alimentação do MCU. As seguintes recomendações relacionadas ao projeto podem ajudar a evitar infiltração de ruído.

• Mantenha o cabo de alimentação do sistema e a fiação interna o mais curto possível para minimizar a impedância.
• Coloque e insira um filtro de ruído (núcleo de ferrite, esfera de ferrite, etc.) para bloquear ruídos de alta frequência.
• Minimize a ondulação na fonte de alimentação do MCU. Recomendamos usar um regulador linear no vol do MCUtage fornecimento. Selecione um regulador linear com saída de baixo ruído e características de PSRR alto.
• Quando há vários dispositivos com altas cargas de corrente na placa, recomendamos inserir uma fonte de alimentação separada para o MCU. Se isso não for possível, separe o padrão na raiz da fonte de alimentação.
• Ao executar um dispositivo com alto consumo de corrente no pino MCU, use um transistor ou FET.

A Figura 4-3 mostra vários layouts para a linha de alimentação. Vo é o vol da fonte de alimentaçãotage, é a flutuação da corrente de consumo resultante das operações do IC2, e Z é a impedância da linha de alimentação. Vn é o voltage gerado pela linha de alimentação e pode ser calculado como Vn = in×Z. O padrão GND pode ser considerado da mesma forma. Para mais detalhes sobre o padrão GND, consulte 4.1.2.2 Projeto do Padrão GND. Na configuração (a), a linha de alimentação para o MCU é longa, e as linhas de alimentação IC2 se ramificam perto da fonte de alimentação do MCU. Esta configuração não é recomendada, pois o vol do MCUtagA fonte de alimentação é suscetível a ruído Vn quando o IC2 está em operação. Os diagramas de circuito (b) e (c) de (b) e (c) são os mesmos de (a), mas os projetos de padrões são diferentes. (b) ramifica a linha de alimentação da raiz da fonte de alimentação, e o efeito do ruído Vn é reduzido minimizando Z entre a fonte de alimentação e o MCU. (c) também reduz o efeito de Vn aumentando a área de superfície e a largura da linha de alimentação para minimizar Z.

Design de Padrão GND
Dependendo do design do padrão, o ruído pode causar o GND, que é o volume de referênciatage para o MCU e dispositivos de bordo, para flutuar em potencial, diminuindo a precisão da medição CTSU. As dicas a seguir para o design do padrão GND ajudarão a suprimir a flutuação potencial.

• Cubra os espaços vazios com um padrão GND sólido o máximo possível para minimizar a impedância em uma grande área de superfície.
• Use um layout de placa que impeça a infiltração de ruído no MCU através da linha GND, aumentando a distância entre o MCU e dispositivos com altas cargas de corrente e separando o MCU do padrão GND.

A Figura 4-4 mostra vários layouts para a linha GND. Neste caso, é a flutuação da corrente de consumo resultante das operações do IC2, e Z é a impedância da linha de alimentação. Vn é o voltage gerado pela linha GND e pode ser calculado como Vn = in×Z. Na configuração (a), a linha GND para o MCU é longa e se funde com a linha GND do IC2 perto do pino GND do MCU. Esta configuração não é recomendada, pois o potencial GND do MCU é suscetível ao ruído Vn quando o IC2 está em operação. Na configuração (b), as linhas GND se fundem na raiz do pino GND da fonte de alimentação. Os efeitos de ruído de Vn podem ser reduzidos separando as linhas GND do MCU e do IC2 para minimizar o espaço entre o MCU e Z. Embora os diagramas de circuito de (c) e (a) sejam os mesmos, os designs de padrão diferem. A configuração (c) reduz o efeito de Vn aumentando a área de superfície e a largura da linha GND para minimizar Z.

Conecte o GND do capacitor TSCAP ao padrão sólido GND que está conectado ao terminal VSS do MCU para que ele tenha o mesmo potencial que o terminal VSS. Não separe o GND do capacitor TSCAP do GND do MCU. Se a impedância entre o GND do capacitor TSCAP e o GND do MCU for alta, o desempenho de rejeição de ruído de alta frequência do capacitor TSCAP diminuirá, tornando-o mais suscetível a ruído da fonte de alimentação e ruído externo.

Processando Pins Não Utilizados
Deixar pinos não utilizados em um estado de alta impedância torna o dispositivo suscetível aos efeitos de ruído externo. Certifique-se de processar todos os pinos não utilizados após consultar o manual de hardware MCU Faily correspondente de cada pino. Se um resistor pulldown não puder ser implementado devido à falta de área de montagem, conserte a configuração de saída do pino para saída baixa.

Contramedidas de ruído de RF irradiado

Pino TS DampResistência à Inclinação
O dampresistor de entrada conectado ao pino TS e o componente de capacitância parasita do eletrodo funcionam como um filtro passa-baixa. Aumentando o dampO resistor de corte reduz a frequência de corte, reduzindo assim o nível de ruído irradiado que se infiltra no pino TS. No entanto, quando o período de corrente de carga ou descarga de medição capacitiva é prolongado, a frequência de pulso de acionamento do sensor deve ser reduzida, o que também reduz a precisão da detecção de toque. Para obter informações sobre a sensibilidade ao alterar o dampresistor de entrada no método de autocapacitância, consulte “5. Padrões de botão do método de autocapacitância e dados de características” no Guia de design de eletrodo de toque capacitivo CTSU (R30AN0389)

Ruído de sinal digital
A fiação de sinal digital que lida com comunicação, como SPI e I2C, e sinais PWM para LED e saída de áudio é uma fonte de ruído irradiado que afeta o circuito do eletrodo de toque. Ao usar sinais digitais, considere as seguintes sugestões durante o projeto stage.

• Quando a fiação inclui cantos em ângulo reto (90 graus), a radiação de ruído dos pontos mais afiados aumentará. Certifique-se de que os cantos da fiação sejam de 45 graus ou menos, ou curvados, para reduzir a radiação de ruído.
• Quando o nível do sinal digital muda, o overshoot ou undershoot é irradiado como ruído de alta frequência. Como contramedida, insira um anúncioampresistor de entrada na linha de sinal digital para suprimir o overshoot ou undershoot. Outro método é inserir uma conta de ferrite ao longo da linha.
• Disponha as linhas para sinais digitais e o circuito do eletrodo de toque de modo que não se toquem. Se a configuração exigir que as linhas sejam executadas em paralelo, mantenha a maior distância possível entre elas e insira uma blindagem GND ao longo da linha digital.
• Ao executar um dispositivo com alto consumo de corrente no pino MCU, use um transistor ou FET.

Medição multifrequencial
Ao usar um MCU incorporado com CTSU2, certifique-se de usar medição multifrequência. Para detalhes, veja 3.3.1 Medição multifrequência.

Contramedidas de ruído conduzido
A consideração da imunidade ao ruído conduzido é mais importante no projeto de fornecimento de energia do sistema do que no projeto da placa MCU. Para começar, projete a fonte de alimentação para fornecer voltage com baixo ruído para os dispositivos montados na placa. Para detalhes sobre as configurações da fonte de alimentação, consulte 4.1.2 Projeto da fonte de alimentação. Esta seção descreve contramedidas de ruído relacionadas à fonte de alimentação, bem como funções CTSU a serem consideradas ao projetar sua placa MCU para melhorar a imunidade a ruído conduzido.

Filtro de Modo Comum
Coloque ou monte um filtro de modo comum (choke de modo comum, núcleo de ferrite) para reduzir o ruído que entra na placa a partir do cabo de alimentação. Inspecione a frequência de interferência do sistema com um teste de ruído e selecione um dispositivo com alta impedância para reduzir a banda de ruído alvo. Consulte os respectivos itens, pois a posição de instalação difere dependendo do tipo de filtro. Observe que cada tipo de filtro é colocado de forma diferente na placa; consulte a explicação correspondente para obter detalhes. Sempre considere o layout do filtro para evitar a irradiação de ruído dentro da placa. A Figura 4-5 mostra um Layout de Filtro de Modo Comum Exampeu.

Choke de Modo Comum
O choke de modo comum é usado como uma contramedida de ruído implementada na placa, exigindo que seja incorporado durante a fase de projeto da placa e do sistema. Ao usar um choke de modo comum, certifique-se de usar a fiação mais curta possível imediatamente após o ponto onde a fonte de alimentação é conectada à placa. Por ex.ampou seja, ao conectar o cabo de alimentação e a placa com um conector, colocar um filtro imediatamente após o conector no lado da placa evitará que o ruído que entra pelo cabo se espalhe pela placa.

Núcleo de ferrite
O núcleo de ferrite é usado para reduzir o ruído conduzido pelo cabo. Quando o ruído se torna um problema após a montagem do sistema, introduzindo um clamp- núcleo de ferrite tipo permite reduzir o ruído sem alterar o design da placa ou do sistema. Por ex.ampou seja, ao conectar o cabo e a placa com um conector, colocar um filtro logo antes do conector no lado da placa minimizará o ruído que entra na placa.

Layout do capacitor
Reduza o ruído da fonte de alimentação e o ruído de ondulação que entra na placa a partir dos cabos de alimentação e de sinal projetando e posicionando capacitores de desacoplamento e capacitores de massa próximos à linha de alimentação ou aos terminais do MCU.

Capacitor de desacoplamento
Um capacitor de desacoplamento pode reduzir o volumetage queda entre o pino de alimentação VCC ou VDD e VSS devido ao consumo de corrente do MCU, estabilizando as medições CTSU. Use a capacitância recomendada listada no Manual do Usuário do MCU, colocando o capacitor próximo ao pino de alimentação e ao pino VSS. Outra opção é projetar o padrão seguindo o guia de design de hardware para a família MCU alvo, se disponível.

Capacitor em massa
Capacitores em massa suavizarão ondulações no volume do MCUtage fonte de alimentação, estabilizando o volumetage entre o pino de alimentação do MCU e o VSS, estabilizando assim as medições do CTSU. A capacitância dos capacitores irá variar dependendo do projeto da fonte de alimentação; certifique-se de usar um valor apropriado para evitar gerar oscilação ou voltage gota.

Medição multifrequencial
A medição multifrequência, uma função do CTSU2, é eficaz para melhorar a imunidade ao ruído conduzido. Se a imunidade ao ruído conduzido for uma preocupação em seu desenvolvimento, selecione um MCU equipado com CTSU2 para fazer uso da função de medição multifrequência. Para detalhes, consulte 3.3.1 Medição multifrequência.

Considerações sobre a blindagem GND e a distância do eletrodo
A Figura 1 mostra uma imagem de supressão de ruído usando o caminho de adição de ruído de condução da blindagem do eletrodo. Colocar uma blindagem GND ao redor do eletrodo e aproximar a blindagem que envolve o eletrodo do eletrodo fortalece o acoplamento capacitivo entre o dedo e a blindagem. O componente de ruído (VNOISE) escapa para B-GND, reduzindo as flutuações na corrente de medição CTSU. Observe que quanto mais próxima a blindagem estiver do eletrodo, maior será o CP, resultando em sensibilidade ao toque reduzida. Após alterar a distância entre a blindagem e o eletrodo, confirme a sensibilidade na seção 5. Padrões e características do botão do método de autocapacitância Dados de Guia de design de eletrodo de toque capacitivo CTSU (R30AN0389).

Filtros de software

A detecção de toque usa resultados de medição de capacitância para determinar se um sensor foi tocado ou não (ON ou OFF) usando o driver CTSU e o software do módulo TOUCH. O módulo CTSU realiza redução de ruído nos resultados de medição de capacitância e passa os dados para o módulo TOUCH que determina o toque. O driver CTSU inclui o filtro de média móvel IIR como filtro padrão. Na maioria dos casos, o filtro padrão pode fornecer SNR e capacidade de resposta suficientes. No entanto, um processamento de redução de ruído mais potente pode ser necessário dependendo do sistema do usuário. A Figura 5-1 mostra o fluxo de dados por meio da detecção de toque. Os filtros do usuário podem ser colocados entre o driver CTSU e o módulo TOUCH para processamento de ruído. Consulte a nota de aplicação abaixo para obter instruções detalhadas sobre como incorporar filtros em um projeto file bem como um filtro de software sampo código e uso exampo projeto file. Filtro de software de toque capacitivo da família RA Sampo Programa (R30AN0427)

Esta seção apresenta filtros eficazes para cada padrão EMC.

Tabela 5-1 Padrão EMC e filtros de software correspondentes

EMC Padrão	Ruído esperado	Filtro de software correspondente
IEC61000-4-3	Ruído aleatório	Filtro IIR
Imunidade irradiada,
IEC61000-4-6	ruído periódico	Filtro FIR
Imunidade conduzida

Filtro IIR
O filtro IIR (Infinite Impulse Response filter) requer menos memória e ostenta uma pequena carga de cálculo, tornando-o ideal para sistemas de baixa potência e aplicações com muitos botões. Usar isso como um filtro passa-baixa ajuda a reduzir o ruído de alta frequência. No entanto, deve-se tomar cuidado, pois quanto menor a frequência de corte, maior o tempo de estabilização, o que atrasará o processo de julgamento ON/OFF. O filtro IIR de primeira ordem unipolar é calculado usando a seguinte fórmula, onde a e b são coeficientes, xn é o valor de entrada, yn é o valor de saída e yn-1 é o valor de saída imediatamente anterior.

Quando o filtro IIR é usado como um filtro passa-baixa, os coeficientes a e b podem ser calculados usando a seguinte fórmula, onde sampA frequência de corte é fs e a frequência de corte é fc.

Filtro FIR
O filtro FIR (Finite Impulse Response filter) é um filtro altamente estável que incorre em deterioração mínima da precisão devido a erros de cálculo. Dependendo do coeficiente, ele pode ser usado como um filtro passa-baixa ou passa-banda, reduzindo tanto o ruído periódico quanto o ruído aleatório, melhorando assim o SNR. No entanto, como samparquivos de um determinado período anterior são armazenados e calculados, o uso da memória e a carga de cálculo aumentarão em proporção ao comprimento do filtro. O filtro FIR é calculado usando a seguinte fórmula, onde L e h0 a hL-1 são coeficientes, xn é o valor de entrada, xn-I é o valor de entrada anterior a sample i, e yn é o valor de saída.

Uso Exampos
Esta seção fornece exampde remoção de ruído usando filtros IIR e FIR. A Tabela 5-2 mostra as condições do filtro e a Figura 5-2 mostra um exemploample de remoção de ruído aleatório.

Tabela 5-2 Uso do filtro Exampos

Formato do filtro	Condição 1	Condição 2	Observações
IIR unipolar de primeira ordem	b=0.5	b=0.75
ABETO	L=4 h0~ hL-1=0.25	L=8 h0~ hL-1=0.125	Use uma média móvel simples

Notas de uso sobre o ciclo de medição
As características de frequência dos filtros de software mudam dependendo da precisão do ciclo de medição. Além disso, você pode não obter as características de filtro esperadas devido a desvios ou variações no ciclo de medição. Para focar a prioridade nas características do filtro, use um oscilador de chip de alta velocidade (HOCO) ou um oscilador de cristal externo como o relógio principal. Também recomendamos gerenciar os ciclos de execução de medição de toque com um temporizador de hardware.

Glossário

Prazo	Definição
Universidade Católica do Sul	Unidade de detecção de toque capacitiva. Também usada em CTSU1 e CTSU2.
CTSU1	CTSU IP de segunda geração. “1” é adicionado para diferenciar do CTSU2.
CTSU2	CTSU IP de terceira geração.
Motorista CTSU	Software de driver CTSU incluído nos pacotes de software Renesas.
Módulo CTSU	Uma unidade de software de driver CTSU que pode ser incorporada usando o Smart Configurator.
Middleware TOUCH	Middleware para processamento de detecção de toque ao usar CTSU incluído em pacotes de software Renesas.
Módulo TOUCH	Uma unidade de middleware TOUCH que pode ser incorporada usando o Smart Configurator.
módulo r_ctsu	O driver CTSU é exibido no Smart Configurator.
módulo rm_touch	O módulo TOUCH exibido no Smart Configurator
Diretor de Operações	Oscilador de controle de corrente. O oscilador controlado por corrente é usado em sensores de toque capacitivos. Também escrito como ICO em alguns documentos.
ICO	O mesmo que CCO.
TSCAP	Um capacitor para estabilizar o volume interno do CTSUtage.
Dampresistor de entrada	Um resistor é usado para reduzir danos ou efeitos de pinos devido a ruído externo. Para detalhes, consulte o Capacitive Touch Electrode Design Guide (R30AN0389).
VDC	Volumetage Down Converter. Circuito de alimentação para medição de sensor capacitivo integrado ao CTSU.
Medição multifrequencial	Uma função que usa vários relógios de unidades de sensor com frequências diferentes para medir o toque; indica a função de medição de vários relógios.
Pulso de acionamento do sensor	Sinal que aciona o capacitor chaveado.
Ruído síncrono	Ruído na frequência que corresponde ao pulso de acionamento do sensor.
ESE	Equipamento em teste. Indica o dispositivo a ser testado.
LDO	Regulador de baixa queda
PSRR	Taxa de rejeição da fonte de alimentação
FSP	Pacote de software flexível
AJUSTAR	Tecnologia de integração de firmware.
SIS	Sistema de Integração de Software

Histórico de revisão

Rev.	Data	Descrição
		Página	Resumo
1.00	31 de maio de 2023	–	Revisão inicial
2.00	25 de dezembro de 2023	–	Para IEC61000-4-6
		6	Adicionado impacto de ruído de modo comum ao 2.2
		7	Itens adicionados à Tabela 2-5
		9	Texto revisado em 3.1, Figura 3-1 corrigida
			Texto revisado em 3-2
		10	Em 3.3.1, texto revisado e Figura 3-4 adicionada. Explicação excluída de como alterar as configurações para medições multifrequenciais e explicação adicionada da frequência de interferência da medição multifrequencial Figura 3-5e3-5.
		11	Adicionados documentos de referência para 3.2.2
		14	Nota adicionada sobre a conexão GND do capacitor TSCAP 4.1.2.2
		15	Adicionada nota sobre o design do canto da fiação para 4.2.2
		16	Adicionadas 4.3 Contramedidas de Ruído Conduzido
		18	Seção 5 revisada.

Precauções gerais no manuseio de unidades de microprocessamento e produtos da unidade de microcontrolador

As seguintes notas de uso se aplicam a todos os produtos de unidade de microprocessamento e unidade de microcontrolador da Renesas. Para notas de uso detalhadas sobre os produtos abrangidos por este documento, consulte as seções relevantes do documento, bem como quaisquer atualizações técnicas que tenham sido emitidas para os produtos.

1. Precaução contra descarga eletrostática (ESD)
   Um campo elétrico forte, quando exposto a um dispositivo CMOS, pode destruir o óxido de porta e, finalmente, degradar a operação do dispositivo. Medidas devem ser tomadas para interromper a geração de eletricidade estática o máximo possível e dissipá-la rapidamente quando ocorrer. O controle ambiental deve ser adequado. Quando estiver seco, um umidificador deve ser usado. Isso é recomendado para evitar o uso de isoladores que podem facilmente acumular eletricidade estática. Dispositivos semicondutores devem ser armazenados e transportados em um recipiente antiestático, bolsa de blindagem estática ou material condutor. Todas as ferramentas de teste e medição, incluindo bancadas de trabalho e pisos, devem ser aterradas. O operador também deve ser aterrado usando uma pulseira. Dispositivos semicondutores não devem ser tocados com as mãos nuas. Precauções semelhantes devem ser tomadas para placas de circuito impresso com dispositivos semicondutores montados.
2. Processando ao ligar
   O estado do produto é indefinido no momento em que a energia é fornecida. Os estados dos circuitos internos no LSI são indeterminados e os estados das configurações de registro e pinos são indefinidos no momento em que a energia é fornecida. Em um produto acabado onde o sinal de reinicialização é aplicado ao pino de reinicialização externo, os estados dos pinos não são garantidos do momento em que a energia é fornecida até que o processo de reinicialização seja concluído. Da mesma forma, os estados dos pinos em um produto que é reiniciado por uma função de reinicialização de energia no chip não são garantidos do momento em que a energia é fornecida até que a energia atinja o nível em que a reinicialização é especificada.
3. Entrada de sinal durante o estado de desligamento
   Não insira sinais ou uma fonte de alimentação pull-up de E/S enquanto o dispositivo estiver desligado. A injeção de corrente que resulta da entrada de tal sinal ou fonte de alimentação pull-up de E/S pode causar mau funcionamento e a corrente anormal que passa no dispositivo neste momento pode causar degradação de elementos internos. Siga a diretriz para sinal de entrada durante o estado desligado, conforme descrito na documentação do seu produto.
4. Manuseio de pinos não utilizados
   Manuseie pinos não utilizados seguindo as instruções fornecidas em manuseio de pinos não utilizados no manual. Os pinos de entrada de produtos CMOS geralmente estão no estado de alta impedância. Em operação com um pino não utilizado no estado de circuito aberto, ruído eletromagnético extra é induzido na vizinhança do LSI, uma corrente de passagem associada flui internamente e mau funcionamento ocorre devido ao falso reconhecimento do estado do pino como um sinal de entrada se torna possível.
5. Sinais de relógio
   Após aplicar um reset, libere a linha de reset somente depois que o sinal do relógio operacional se tornar estável. Ao alternar o sinal do relógio durante a execução do programa, espere até que o sinal do relógio alvo esteja estabilizado. Quando o sinal de clock é gerado com um ressonador externo ou de um oscilador externo durante uma reinicialização, certifique-se de que a linha de reinicialização só seja liberada após a estabilização total do sinal de clock. Além disso, ao alternar para um sinal de clock produzido com um ressonador externo ou por um oscilador externo enquanto a execução do programa está em andamento, espere até que o sinal de clock alvo esteja estável.
6. Volumetage forma de onda do aplicativo no pino de entrada
   A distorção da forma de onda devido ao ruído de entrada ou uma onda refletida pode causar mau funcionamento. Se a entrada do dispositivo CMOS permanecer na área entre VIL (Max.) E VIH (Min.) Devido ao ruído, por example, o dispositivo pode funcionar mal. Tome cuidado para evitar que ruído de vibração entre no dispositivo quando o nível de entrada é fixo e também no período de transição quando o nível de entrada passa pela área entre VIL (Máx.) E VIH (Mín.).
7. Proibição de acesso a endereços reservados
   O acesso a endereços reservados é proibido. Os endereços reservados são fornecidos para uma possível expansão futura das funções. Não acesse esses endereços, pois a operação correta do LSI não é garantida.
8. Diferenças entre produtos
   Antes de mudar de um produto para outro, por ex.ample, para um produto com um número de peça diferente, confirme que a mudança não levará a problemas. As características de uma unidade de microprocessamento ou unidade de microcontrolador de produtos no mesmo grupo, mas com um número de peça diferente, podem diferir em termos de capacidade de memória interna, padrão de layout e outros fatores, que podem afetar as faixas de características elétricas, como valores característicos, margens operacionais, imunidade a ruído e quantidade de ruído irradiado. Ao mudar para um produto com um número de peça diferente, implemente um teste de avaliação do sistema para o produto fornecido.

Perceber

1. Descrições de circuitos, software e outras informações relacionadas neste documento são fornecidas apenas para ilustrar a operação de produtos semicondutores e aplicações examples. Você é totalmente responsável pela incorporação ou qualquer outro uso dos circuitos, software e informações no design do seu produto ou sistema. A Renesas Electronics se isenta de qualquer responsabilidade por quaisquer perdas e danos incorridos por você ou terceiros decorrentes do uso desses circuitos, software ou informações.
2. A Renesas Electronics expressamente se isenta de quaisquer garantias e responsabilidades por infrações ou quaisquer outras reivindicações envolvendo patentes, direitos autorais ou outros direitos de propriedade intelectual de terceiros, por ou decorrentes do uso de produtos da Renesas Electronics ou informações técnicas descritas neste documento, incluindo, mas não se limitando a, dados do produto, desenhos, gráficos, programas, algoritmos e aplicações ex.amples.
3. Nenhuma licença, expressa, implícita ou de outra forma, é concedida por meio deste documento sob quaisquer patentes, direitos autorais ou outros direitos de propriedade intelectual da Renesas Electronics ou de outros.
4. Você será responsável por determinar quais licenças são necessárias de terceiros e obter tais licenças para importação, exportação, fabricação, vendas, utilização, distribuição ou outro descarte legal de quaisquer produtos que incorporem produtos da Renesas Electronics, se necessário.
5. Você não deve alterar, modificar, copiar ou fazer engenharia reversa de nenhum produto da Renesas Electronics, seja no todo ou em parte. A Renesas Electronics se isenta de qualquer responsabilidade por quaisquer perdas ou danos incorridos por você ou terceiros decorrentes de tal alteração, modificação, cópia ou engenharia reversa.
6. Os produtos da Renesas Electronics são classificados de acordo com os dois graus de qualidade a seguir: “Padrão” e “Alta Qualidade”. As aplicações pretendidas para cada produto Renesas Electronics dependem do grau de qualidade do produto, conforme indicado abaixo.
   “Padrão”: Computadores; equipamento de escritório; equipamentos de comunicação; equipamento de teste e medição; equipamentos audiovisuais; aparelhos eletrônicos domésticos; máquinas-ferramentas; equipamentos eletrônicos pessoais; robôs industriais; etc.
   “Alta Qualidade”: Equipamentos de transporte (automóveis, trens, navios, etc.); controle de tráfego (semáforos); equipamentos de comunicação em grande escala; principais sistemas de terminais financeiros; equipamentos de controle de segurança; etc.
   A menos que expressamente designado como um produto de alta confiabilidade ou um produto para ambientes severos em uma ficha técnica da Renesas Electronics ou outro documento da Renesas Electronics, os produtos da Renesas Electronics não são destinados ou autorizados para uso em produtos ou sistemas que possam representar uma ameaça direta à vida humana ou ferimentos corporais (dispositivos ou sistemas de suporte de vida artificial; implantes cirúrgicos; etc.) ou que possam causar sérios danos à propriedade (sistema espacial; repetidores submarinos; sistemas de controle de energia nuclear; sistemas de controle de aeronaves; sistemas de usinas-chave; equipamento militar; etc.). A Renesas Electronics se isenta de qualquer responsabilidade por quaisquer danos ou perdas incorridos por você ou terceiros decorrentes do uso de qualquer produto da Renesas Electronics que seja inconsistente com qualquer ficha técnica da Renesas Electronics, manual do usuário ou outro documento da Renesas Electronics.
7. Nenhum produto semicondutor é seguro. Não obstante quaisquer medidas ou recursos de segurança que possam ser implementados em produtos de hardware ou software da Renesas Electronics, a Renesas Electronics não terá nenhuma responsabilidade decorrente de qualquer vulnerabilidade ou violação de segurança, incluindo, mas não se limitando a qualquer acesso não autorizado ou uso de um produto da Renesas Electronics ou um sistema que use um produto da Renesas Electronics. A RENESAS ELECTRONICS NÃO GARANTE QUE OS PRODUTOS DA RENESAS ELECTRONICS OU QUAISQUER SISTEMAS CRIADOS USANDO PRODUTOS DA RENESAS ELECTRONICS SERÃO INVULNERÁVEIS OU LIVRES DE CORRUPÇÃO, ATAQUE, VÍRUS, INTERFERÊNCIA, HACKING, PERDA OU ROUBO DE DADOS OU OUTRA INTRUSÃO DE SEGURANÇA ("Problemas de Vulnerabilidade"). A RENESAS ELECTRONICS SE ISENTA DE TODA E QUALQUER RESPONSABILIDADE OU OBRIGAÇÃO DECORRENTE DE OU RELACIONADA A QUAISQUER PROBLEMAS DE VULNERABILIDADE. ALÉM DISSO, ATÉ O LIMITE PERMITIDO PELA LEI APLICÁVEL, A RENESAS ELECTRONICS SE ISENTA DE TODAS E QUAISQUER GARANTIAS, EXPRESSAS OU IMPLÍCITAS, RELATIVAS A ESTE DOCUMENTO E QUALQUER SOFTWARE OU HARDWARE RELACIONADO OU ACOMPANHANTE, INCLUINDO, MAS NÃO SE LIMITANDO ÀS GARANTIAS IMPLÍCITAS DE COMERCIALIZAÇÃO OU ADEQUAÇÃO A UM DETERMINADO FIM.
8. Ao usar produtos Renesas Electronics, consulte as informações mais recentes sobre o produto (folhas de dados, manuais do usuário, notas de aplicação, “Notas gerais para manuseio e uso de dispositivos semicondutores” no manual de confiabilidade, etc.) e certifique-se de que as condições de uso estejam dentro das faixas especificadas pela Renesas Electronics em relação às classificações máximas, volume da fonte de alimentação operacionaltage alcance, características de dissipação de calor, instalação, etc. A Renesas Electronics se isenta de qualquer responsabilidade por qualquer mau funcionamento, falha ou acidente decorrente do uso de produtos Renesas Electronics fora de tais intervalos especificados.
9. Embora a Renesas Electronics se esforce para melhorar a qualidade e a confiabilidade dos produtos Renesas Electronics, os produtos semicondutores têm características específicas, como a ocorrência de falhas em uma determinada taxa e mau funcionamento sob certas condições de uso. A menos que sejam designados como um produto de alta confiabilidade ou um produto para ambientes severos em uma folha de dados da Renesas Electronics ou outro documento da Renesas Electronics, os produtos Renesas Electronics não estão sujeitos ao design de resistência à radiação. Você é responsável por implementar medidas de segurança para proteger contra a possibilidade de ferimentos corporais, ferimentos ou danos causados ​​por incêndio e/ou perigo ao público em caso de falha ou mau funcionamento dos produtos Renesas Electronics, como design de segurança para hardware e software, incluindo, mas não se limitando a redundância, controle de incêndio e prevenção de mau funcionamento, tratamento apropriado para degradação por envelhecimento ou quaisquer outras medidas apropriadas. Como a avaliação do software de microcomputador por si só é muito difícil e impraticável, você é responsável por avaliar a segurança dos produtos ou sistemas finais fabricados por você.
10. Entre em contato com um escritório de vendas da Renesas Electronics para obter detalhes sobre questões ambientais, como a compatibilidade ambiental de cada produto da Renesas Electronics. Você é responsável por investigar cuidadosa e suficientemente as leis e regulamentações aplicáveis ​​que regulam a inclusão ou o uso de substâncias controladas, incluindo, sem limitação, a Diretiva RoHS da UE, e usar os produtos da Renesas Electronics em conformidade com todas essas leis e regulamentações aplicáveis. A Renesas Electronics se isenta de qualquer responsabilidade por danos ou perdas que ocorram como resultado de sua não conformidade com as leis e regulamentações aplicáveis.
11. Os produtos e tecnologias da Renesas Electronics não devem ser usados ​​ou incorporados em quaisquer produtos ou sistemas cuja fabricação, uso ou venda seja proibida sob quaisquer leis ou regulamentos nacionais ou estrangeiros aplicáveis. Você deve cumprir com quaisquer leis e regulamentos de controle de exportação aplicáveis ​​promulgados e administrados pelos governos de quaisquer países que afirmem jurisdição sobre as partes ou transações.
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• (Nota 1) “Renesas Electronics” conforme usado neste documento significa Renesas Electronics Corporation e também inclui suas subsidiárias direta ou indiretamente controladas.
• (Nota 2) “Produto (s) da Renesas Electronics” significa qualquer produto desenvolvido ou fabricado por ou para a Renesas Electronics.

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Documentos / Recursos

MCU de sensor capacitivo RENESAS RA2E1 [pdf] Guia do Usuário RA2E1, Família RX, Família RA, Família RL78, MCU de sensor capacitivo RA2E1, RA2E1, MCU de sensor capacitivo, MCU de sensor

Referências

• Manual do usuário