Microcontrôleur à capteur capacitif RENESAS RA2E1

Capteur capacitif MCU
Guide d'immunité au bruit tactile capacitif

Introduction
L'unité de capteur tactile capacitif (CTSU) de Renesas peut être sensible au bruit dans son environnement car elle peut détecter des changements infimes de capacité, générés par des signaux électriques parasites indésirables (bruit). L'effet de ce bruit peut dépendre de la conception du matériel. Par conséquent, la prise de contre-mesures au niveau de la conceptiontagCela conduira à un microcontrôleur CTSU résistant au bruit environnemental et au développement efficace de produits. Cette note d'application décrit les moyens d'améliorer l'immunité au bruit des produits utilisant l'unité de capteur tactile capacitif Renesas (CTSU) conformément aux normes d'immunité au bruit de la CEI (CEI61000-4).

Dispositif cible
Famille de microcontrôleurs RX, famille RA, famille RL78 et Renesas Synergy™ intégrant le CTSU (CTSU, CTSU2, CTSU2L, CTSU2La, CTSU2SL)

Normes couvertes dans cette note d'application 

• CEI-61000-4-3
• CEI-61000-4-6

Surview

Le CTSU mesure la quantité d'électricité statique de la charge électrique lorsqu'une électrode est touchée. Si le potentiel de l'électrode tactile change en raison du bruit pendant la mesure, le courant de charge change également, affectant la valeur mesurée. Plus précisément, une grande fluctuation de la valeur mesurée peut dépasser le seuil tactile, provoquant un dysfonctionnement de l'appareil. Des fluctuations mineures de la valeur mesurée peuvent affecter les applications qui nécessitent des mesures linéaires. La connaissance du comportement de détection tactile capacitive CTSU et de la conception de la carte est essentielle pour envisager l'immunité au bruit des systèmes tactiles capacitifs CTSU. Nous recommandons aux nouveaux utilisateurs de CTSU de se familiariser avec le CTSU et les principes tactiles capacitifs en étudiant les documents connexes suivants.

• Informations de base sur la détection tactile capacitive et CTSU
• Guide d'utilisation du capteur tactile capacitif pour microcontrôleurs à capteur capacitif (R30AN0424)
• Informations sur la conception de la carte matérielle
  Microcontrôleurs à capteur capacitif – Guide de conception d'électrode tactile capacitive CTSU (R30AN0389)
• Informations sur le logiciel du pilote CTSU (module CTSU)
  Famille RA Manuel d'utilisation du progiciel flexible Renesas (FSP) (Web Version – HTML)
  Référence API > Modules > CapTouch > CTSU (r_ctsu)
  Système d'intégration logicielle du module CTSU de la famille RL78 (R11AN0484)
  Technologie d'intégration du micrologiciel du module QE CTSU de la famille RX (R01AN4469)
• Informations sur le logiciel middleware tactile (module TOUCH)
  Famille RA Manuel d'utilisation du progiciel flexible Renesas (FSP) (Web Version – HTML)
  Référence API > Modules > CapTouch > Toucher (rm_touch)
  Système d'intégration logicielle du module tactile de la famille RL78 (R11AN0485)
  Technologie d'intégration du micrologiciel du module tactile QE de la famille RX (R01AN4470)
• Informations concernant QE pour Capacitive Touch (outil de support de développement d'applications tactiles capacitives)
  Utilisation de QE et FSP pour développer des applications tactiles capacitives (R01AN4934)
  Utilisation de QE et FIT pour développer des applications tactiles capacitives (R01AN4516)
  Famille RL78 utilisant QE et SIS pour développer des applications tactiles capacitives (R01AN5512)
  Famille RL78 utilisant la version autonome de QE pour développer des applications tactiles capacitives (R01AN6574)

Types de bruit et contre-mesures

Normes CEM
Le tableau 2-1 fournit une liste des normes CEM. Le bruit peut influencer le fonctionnement en s'infiltrant dans le système via les entrefers et les câbles de connexion. Cette liste présente les normes CEI 61000 comme exempleamples pour décrire les types de bruit dont les développeurs doivent être conscients pour assurer un fonctionnement correct des systèmes utilisant le CTSU. Veuillez vous référer à la dernière version de la norme IEC 61000 pour plus de détails.

Tableau 2-1 Normes de test CEM (CEI 61000)

Description du test	Surview	Standard
Test d'immunité aux radiations	Test d'immunité au bruit RF à fréquence relativement élevée	IEC61000-4-3
Test d'immunité effectué	Test d'immunité au bruit RF à fréquence relativement basse	IEC61000-4-6
Test de décharge électrostatique (ESD)	Test d'immunité aux décharges électrostatiques	IEC61000-4-2
Test de transitoires électriques rapides/en rafale (EFT/B)	Test d'immunité aux réponses transitoires pulsées continues introduites dans les lignes d'alimentation électrique, etc.	IEC61000-4-4

Le tableau 2-2 répertorie les critères de performance pour les tests d'immunité. Les critères de performance sont spécifiés pour les tests d'immunité CEM et les résultats sont jugés en fonction du fonctionnement de l'équipement pendant le test (EUT). Les critères de performance sont les mêmes pour chaque norme.

Tableau 2-2 Critères de performance pour les tests d'immunité

Critère de performance	Description
A	L’équipement doit continuer à fonctionner comme prévu pendant et après l’essai. Aucune dégradation des performances ou perte de fonction n'est autorisée en dessous d'un niveau de performance spécifié par le fabricant lorsque l'équipement est utilisé comme prévu.
B	L’équipement doit continuer à fonctionner comme prévu pendant et après l’essai. Aucune dégradation des performances ou perte de fonction n'est autorisée en dessous du niveau de performance spécifié par le fabricant lorsque l'équipement est utilisé comme prévu. Pendant le test, une dégradation des performances est toutefois autorisée. Aucune modification de l'état de fonctionnement réel ou des données enregistrées n'est autorisée.
C	Une perte temporaire de fonction est autorisée, à condition que la fonction soit auto-récupérable ou puisse être restaurée par le fonctionnement des commandes.

Mesures de lutte contre le bruit RF

Le bruit RF désigne les ondes électromagnétiques des fréquences radio utilisées par la télévision et la radiodiffusion, les appareils mobiles et d'autres équipements électriques. Le bruit RF peut s'infiltrer directement dans un circuit imprimé ou pénétrer par la ligne d'alimentation et d'autres câbles connectés. Des contre-mesures contre le bruit doivent être mises en œuvre sur la carte pour le premier et au niveau du système pour le second, par exemple via la ligne d'alimentation. Le CTSU mesure la capacité en la convertissant en signal électrique. La variation de capacité due au toucher est extrêmement faible, donc pour assurer une détection tactile normale, la broche du capteur et l'alimentation du capteur lui-même doivent être protégées du bruit RF. Deux tests avec des fréquences de test différentes sont disponibles pour tester l'immunité au bruit RF : IEC 61000-4-3 et IEC 61000-4-6.

La norme IEC61000-4-3 est un test d'immunité aux rayonnements qui permet d'évaluer l'immunité au bruit en appliquant directement un signal du champ électromagnétique radiofréquence à l'EUT. Le champ électromagnétique RF s'étend de 80 MHz à 1 GHz ou plus, ce qui correspond à des longueurs d'onde d'environ 3.7 m à 30 cm. Comme cette longueur d'onde et la longueur du PCB sont similaires, le motif peut agir comme une antenne, ce qui affecte négativement les résultats de mesure CTSU. De plus, si la longueur du câblage ou la capacité parasite diffère pour chaque électrode tactile, la fréquence affectée peut différer pour chaque borne. Reportez-vous au tableau 2-3 pour plus de détails concernant le test d'immunité aux rayonnements.

Tableau 2-3 Test d'immunité aux rayonnements

Gamme de fréquences	Niveau de test	Testez l'intensité du champ
80 MHz à 1 GHz Jusqu'à 2.7 GHz ou jusqu'à 6.0 GHz, selon la version de test	1	1 V/m
	2	3 V/m
	3	10 V/m
	4	30 V/m
	X	Spécifié individuellement

La norme IEC 61000-4-6 est un test d'immunité conduite et est utilisé pour évaluer les fréquences entre 150 kHz et 80 MHz, une gamme inférieure à celle du test d'immunité rayonnée. Cette bande de fréquences a une longueur d'onde de plusieurs mètres ou plus, et la longueur d'onde de 150 kHz atteint environ 2 km. Comme il est difficile d'appliquer directement un champ électromagnétique RF de cette longueur sur l'EUT, un signal de test est appliqué à un câble directement connecté à l'EUT pour évaluer l'effet des ondes basse fréquence. Les longueurs d'onde plus courtes affectent principalement les câbles d'alimentation et de signal. Par exempleample, si une bande de fréquence provoque un bruit qui affecte le câble d'alimentation et le volume d'alimentationtage se déstabilise, les résultats de mesure CTSU peuvent être affectés par le bruit sur toutes les broches. Le tableau 2-4 fournit des détails sur le test d'immunité effectué.

Tableau 2-4 Test d'immunité conduite

Gamme de fréquences	Niveau de test	Testez l'intensité du champ
150 kHz à 80 MHz	1	1 V rms
	2	3 V rms
	3	10 V rms
	X	Spécifié individuellement

Dans une conception d'alimentation CA où le terminal GND du système ou le terminal MCU VSS n'est pas connecté à un terminal de terre d'alimentation commerciale, le bruit conduit peut pénétrer directement dans la carte sous forme de bruit en mode commun, ce qui peut provoquer du bruit dans les résultats de mesure CTSU lorsqu'un bouton est touché.

La figure 2-1 montre le chemin d'entrée du bruit en mode commun et la figure 2-2 montre la relation entre le bruit en mode commun et le courant de mesure. Du point de vue de la masse de la carte (B-GND), le bruit en mode commun semble fluctuer lorsque le bruit se superpose à la masse de terre (E-GND). De plus, comme le doigt (corps humain) qui touche l'électrode tactile (PAD) est couplé à E-GND en raison de la capacité parasite, le bruit en mode commun est transmis et semble fluctuer de la même manière que E-GND. Si le PAD est touché à ce point, le bruit (VNOISE) généré par le bruit en mode commun est appliqué à la capacité Cf formée par le doigt et le PAD, ce qui provoque la fluctuation du courant de charge mesuré par le CTSU. Les variations du courant de charge apparaissent sous forme de valeurs numériques avec du bruit superposé. Si le bruit en mode commun comprend des composants de fréquence qui correspondent à la fréquence d'impulsion d'entraînement du CTSU et à ses harmoniques, les résultats de mesure peuvent fluctuer de manière significative. Le tableau 2-5 fournit une liste de contre-mesures nécessaires pour améliorer l'immunité au bruit RF. La plupart des contre-mesures sont communes à l'amélioration de l'immunité rayonnée et de l'immunité conduite. Veuillez vous reporter à la section de chaque chapitre correspondant à chaque étape de développement.

Tableau 2-5 Liste des contre-mesures requises pour améliorer l'immunité au bruit RF

Étape de développement	Contre-mesures requises au moment de la conception	Sections correspondantes
Sélection MCU (sélection de la fonction CTSU)	L’utilisation d’un MCU intégré avec CTSU2 est recommandée lorsque l’immunité au bruit est une priorité. · Activer les fonctions de contre-mesure anti-bruit CTSU2 : ¾ Mesure multifréquence ¾ Bouclier actif ¾ Régler sur la sortie du canal sans mesure lors de l'utilisation d'un blindage actif   Or · Activer les fonctions de contre-mesure anti-bruit CTSU : ¾ Fonction de déphasage aléatoire ¾ Fonction de réduction du bruit haute fréquence	3.3.1   Mesure multifréquence 3.3.2    Bouclier actif 3.3.3    Canal sans mesure Sélection de sortie       3.2.1   Fonction de déphasage aléatoire 3.2.2    Bruit à haute fréquence Fonction de réduction (étalement) fonction spectrale)
Conception matérielle	· Conception de la carte à l'aide du modèle d'électrode recommandé   · Utilisez une source d'alimentation pour une sortie à faible bruit · Recommandation de conception du modèle GND : dans un système mis à la terre, utilisez des pièces pour une contre-mesure du bruit en mode commun       · Réduisez le niveau d'infiltration du bruit au niveau de la broche du capteur en ajustant le dampvaleur de la résistance. · Lieu damprésistance sur la ligne de communication · Concevoir et placer un condensateur approprié sur la ligne d'alimentation du MCU	4.1.1 Modèle d'électrode tactile Dessins 4.1.2.1  VoltagConception de l'approvisionnement électronique 4.1.2.2  Conception du modèle GND 4.3.1 Filtre en mode commun 4.3.4 Considérations pour GND Distance entre le blindage et l'électrode     4.2.1  Broche D du TSamping Résistance 4.2.2  Bruit du signal numérique 4.3.4 Considérations pour GND Distance entre le blindage et l'électrode
Mise en œuvre du logiciel	Ajustez le filtre logiciel pour réduire l'effet du bruit sur les valeurs mesurées · Moyenne mobile IIR (efficace pour la plupart des cas de bruit aléatoire) · Moyenne mobile FIR (pour un bruit périodique spécifié)	5.1   Filtre IIR   5.2  Filtre FIR

Bruit ESD (décharge électrostatique)

Une décharge électrostatique (ESD) est générée lorsque deux objets chargés sont en contact ou situés à proximité. L'électricité statique accumulée dans le corps humain peut atteindre les électrodes d'un appareil même à travers un revêtement. En fonction de la quantité d'énergie électrostatique appliquée à l'électrode, les résultats de mesure CTSU peuvent être affectés, entraînant des dommages à l'appareil lui-même. Par conséquent, des contre-mesures doivent être introduites au niveau du système, telles que des dispositifs de protection sur le circuit imprimé, des revêtements de carte et un boîtier de protection pour l'appareil. La norme IEC 61000-4-2 est utilisée pour tester l'immunité ESD. Le tableau 2-6 fournit des détails sur le test ESD. L'application cible et les propriétés du produit détermineront le niveau de test requis. Pour plus de détails, reportez-vous à la norme IEC 61000-4-2. Lorsque l'ESD atteint l'électrode tactile, elle génère instantanément une différence de potentiel de plusieurs kV. Cela peut provoquer un bruit d'impulsion dans la valeur mesurée CTSU, réduisant la précision de la mesure, ou peut arrêter la mesure en raison de la détection d'une surtensiontage ou surintensité. Notez que les semi-conducteurs ne sont pas conçus pour résister à une application directe de décharges électrostatiques. Par conséquent, le test ESD doit être effectué sur le produit fini, la carte étant protégée par le boîtier de l'appareil. Les contre-mesures introduites sur la carte elle-même sont des mesures de sécurité intégrées pour protéger le circuit dans le cas rare où des décharges électrostatiques pénètrent, pour une raison quelconque, dans la carte.

Tableau 2-6 Essai ESD

Niveau de test	Vol d'essaitage
	Décharge de contact	Décharge d'air
1	2 kV	2 kV
2	4 kV	4 kV
3	6 kV	8 kV
4	8 kV	15 kV
X	Spécifié individuellement	Spécifié individuellement

Bruit EFT (transitoires électriques rapides)
Les produits électriques génèrent un phénomène appelé transitoires électriques rapides (EFT), comme une force contre-électromotrice lors de la mise sous tension en raison de la configuration interne de l'alimentation ou du bruit de claquement sur les commutateurs de relais. Dans les environnements où plusieurs produits électriques sont connectés d'une manière ou d'une autre, comme sur des multiprises, ce bruit peut se propager via les lignes d'alimentation et affecter le fonctionnement d'autres équipements. Même les lignes électriques et les lignes de signal des produits électriques qui ne sont pas branchés sur une multiprise partagée peuvent être affectées par voie aérienne simplement en étant à proximité des lignes électriques ou des lignes de signal de la source de bruit. La norme IEC 61000-4-4 est utilisée pour tester l'immunité aux EFT. La norme IEC 61000-4-4 évalue l'immunité en injectant des signaux EFT périodiques dans les lignes d'alimentation et de signal de l'EUT. Le bruit EFT génère une impulsion périodique dans les résultats de mesure CTSU, ce qui peut réduire la précision des résultats ou provoquer une fausse détection de contact. Le tableau 2-7 fournit des détails sur le test EFT/B (Electrical Fast Transient Burst).

Tableau 2-7 Test EFT/B

Niveau de test	Vol de test en circuit ouverttage (pic)		Fréquence de répétition des impulsions (PRF)
	Alimentation électrique Fil de ligne/terre	Ligne de signal/commande
1	0.5 kV	0.25 kV	5 kHz ou 100 kHz
2	1 kV	0.5 kV
3	2 kV	1 kV
4	4 kV	2 kV
X	Spécifié individuellement		Spécifié individuellement

Fonctions de contre-mesure du bruit CTSU

Les CTSU sont équipés de fonctions de contre-mesure du bruit, mais la disponibilité de chaque fonction diffère selon la version du MCU et du CTSU que vous utilisez. Confirmez toujours les versions du MCU et du CTSU avant de développer un nouveau produit. Ce chapitre explique les différences entre les fonctions de contre-mesure du bruit de chaque version de CTSU.

Principes de mesure et effet du bruit
Le CTSU répète la charge et la décharge plusieurs fois pour chaque cycle de mesure. Les résultats de mesure pour chaque courant de charge ou de décharge sont accumulés et le résultat de mesure final est stocké dans le registre. Dans cette méthode, le nombre de mesures par unité de temps peut être augmenté en augmentant la fréquence d'impulsion d'entraînement, améliorant ainsi la plage dynamique (DR) et réalisant des mesures CTSU très sensibles. D'autre part, le bruit externe provoque des changements dans le courant de charge ou de décharge. Dans un environnement où un bruit périodique est généré, le résultat de mesure stocké dans le registre du compteur de capteur est décalé en raison d'une augmentation ou d'une diminution de la quantité de courant dans une direction. De tels effets liés au bruit diminuent finalement la précision de mesure. La figure 3-1 montre une image de l'erreur de courant de charge due au bruit périodique. Les fréquences qui se présentent comme du bruit périodique sont celles qui correspondent à la fréquence d'impulsion d'entraînement du capteur et à son bruit harmonique. Les erreurs de mesure sont plus importantes lorsque le front montant ou descendant du bruit périodique est synchronisé avec la période ON du SW1. Le CTSU est équipé de fonctions de contre-mesure du bruit au niveau matériel comme protection contre ce bruit périodique.

CTSU1
Le CTSU1 est équipé d'une fonction de déphasage aléatoire et d'une fonction de réduction du bruit haute fréquence (fonction d'étalement du spectre). L'effet sur la valeur mesurée peut être réduit lorsque les harmoniques fondamentales de la fréquence d'impulsion d'entraînement du capteur et la fréquence du bruit correspondent. La valeur de réglage maximale de la fréquence d'impulsion d'entraînement du capteur est de 4.0 MHz.

Fonction de déphasage aléatoire
La figure 3-2 montre une image de désynchronisation du bruit à l'aide de la fonction de décalage de phase aléatoire. En modifiant la phase de l'impulsion de commande du capteur de 180 degrés à un moment aléatoire, l'augmentation/diminution unidirectionnelle du courant due au bruit périodique peut être randomisée et lissée pour améliorer la précision de la mesure. Cette fonction est toujours activée dans le module CTSU et le module TOUCH.

Fonction de réduction du bruit haute fréquence (fonction d'étalement du spectre)
La fonction de réduction du bruit haute fréquence mesure la fréquence d'impulsion du capteur avec un broutage intentionnellement ajouté. Elle randomise ensuite le point de synchronisation avec le bruit synchrone pour disperser le pic de l'erreur de mesure et améliorer la précision de la mesure. Cette fonction est toujours activée dans la sortie du module CTSU et la sortie du module TOUCH par génération de code.

CTSU2

Mesure multifréquence
La mesure multifréquence utilise plusieurs fréquences d'impulsions de commande de capteur avec des fréquences différentes. Le spectre étalé n'est pas utilisé pour éviter les interférences à chaque fréquence d'impulsion de commande. Cette fonction améliore l'immunité contre le bruit RF conduit et rayonné car elle est efficace contre le bruit synchrone sur la fréquence d'impulsion de commande du capteur, ainsi que contre le bruit introduit par le motif de l'électrode tactile. La Figure 3-3 montre une image de la manière dont les valeurs mesurées sont sélectionnées dans la mesure multifréquence, et la Figure 3-4 montre une image de la séparation des fréquences de bruit dans la même méthode de mesure. La mesure multifréquence élimine les résultats de mesure affectés par le bruit du groupe de mesures prises à plusieurs fréquences pour améliorer la précision de la mesure.

Dans les projets d'application qui intègrent le pilote CTSU et les modules middleware TOUCH (consultez la documentation FSP, FIT ou SIS), lorsque la phase de réglage « QE pour Capacitive Touch » est exécutée, les paramètres de mesure multifréquence sont automatiquement générés et la mesure multifréquence peut être utilisée. En activant les paramètres avancés dans la phase de réglage, les paramètres peuvent ensuite être définis manuellement. Pour plus de détails sur les paramètres de mesure multi-horloge en mode avancé, reportez-vous à la Guide des paramètres du mode avancé tactile capacitif (R30AN0428EJ0100). La figure 3-5 montre un exempleampde fréquence d'interférence sur la mesure multifréquence. Cet exempleampLe graphique (a) montre la fréquence d'interférence qui apparaît lorsque la fréquence de mesure est réglée sur 1 MHz et que le bruit de conduction en mode commun est appliqué à la carte pendant que l'électrode tactile est touchée. Le graphique (a) montre le réglage immédiatement après l'auto-réglage ; la fréquence de mesure est réglée sur +12.5 % pour la 2e fréquence et -12.5 % pour la 3e fréquence en fonction de la 1ère fréquence de 1 MHz. Le graphique confirme que chaque fréquence de mesure interfère avec le bruit. Le graphique (b) montre un exempleample dans lequel la fréquence de mesure est réglée manuellement ; la fréquence de mesure est réglée à -20.3 % pour la 2e fréquence et à +9.4 % pour la 3e fréquence sur la base de la 1ère fréquence de 1 MHz. Si un bruit de fréquence spécifique apparaît dans les résultats de mesure et que la fréquence de bruit correspond à la fréquence de mesure, assurez-vous d'ajuster la mesure multifréquence tout en évaluant l'environnement réel pour éviter toute interférence entre la fréquence de bruit et la fréquence de mesure.

Bouclier actif
Dans la méthode d'auto-capacité CTSU2, un blindage actif peut être utilisé pour piloter le motif de blindage dans la même phase d'impulsion que l'impulsion de commande du capteur. Pour activer le blindage actif, dans la configuration de l'interface tactile capacitive QE, définissez la broche qui se connecte au motif de blindage actif sur « broche de blindage ». Le blindage actif peut être défini sur une broche par configuration d'interface tactile (méthode). Pour une explication du fonctionnement du blindage actif, reportez-vous à la section «Guide d'utilisation du capteur tactile capacitif pour microcontrôleurs à capteur capacitif (R30AN0424)Pour plus d'informations sur la conception des PCB, reportez-vous au "Guide de conception des électrodes tactiles capacitives CTSU (R30AN0389)« .

Sélection de sortie de canal sans mesure
Dans la méthode d'auto-capacité CTSU2, la sortie d'impulsion dans la même phase que l'impulsion de commande du capteur peut être définie comme sortie de canal non-mesure. Dans la configuration d'interface QE pour Capacitive Touch (méthode), les canaux non-mesure (électrodes tactiles) sont automatiquement définis sur la même sortie de phase d'impulsion pour les méthodes affectées à un blindage actif.

Mesures de lutte contre le bruit matériel

Mesures de lutte contre le bruit typiques

Modèles de modèles d'électrodes tactiles
Le circuit de l'électrode tactile est très sensible au bruit, ce qui nécessite de prendre en compte l'immunité au bruit lors de la conception du matériel.tage. Pour des règles de conception de cartes détaillées qui abordent l'immunité au bruit, veuillez vous référer à la dernière version du Guide de conception des électrodes tactiles capacitives CTSU (R30AN0389). La figure 4-1 fournit un extrait du Guide montrant une vue d'ensembleview de la conception du modèle de méthode d'auto-capacité, et la figure 4-2 montre la même chose pour la conception du modèle de méthode de capacité mutuelle.

1. Forme de l'électrode : carrée ou circulaire
2. Taille de l'électrode : 10 mm à 15 mm
3. Proximité des électrodes : les électrodes doivent être placées à ampla distance afin qu'ils ne réagissent pas simultanément à l'interface humaine cible (appelée « doigt » dans ce document) ; intervalle suggéré : taille du bouton x 0.8 ou plus
4. Largeur du fil : environ 0.15 mm à 0.20 mm pour les circuits imprimés
5. Longueur du câblage : faites en sorte que le câblage soit le plus court possible. Dans les coins, formez un angle de 45 degrés, pas un angle droit.
6. Espacement des câbles : (A) Faites en sorte que l'espacement soit aussi large que possible pour éviter toute fausse détection par les électrodes voisines. (B) Pas de 1.27 mm
7. Largeur du motif GND hachuré : 5 mm
8. Motif GND hachuré et espacement bouton/câblage (A) zone autour des électrodes : 5 mm (B) zone autour du câblage : 3 mm ou plus sur la zone des électrodes ainsi que sur le câblage et la surface opposée avec un motif hachuré. Placez également un motif hachuré dans les espaces vides et connectez les 2 surfaces des motifs hachurés par des vias. Reportez-vous à la section « 2.5 Conceptions de motifs de disposition antibruit » pour connaître les dimensions du motif hachuré, le blindage actif (CTSU2 uniquement) et d'autres contre-mesures antibruit.
9. Capacité de l'électrode + du câblage : 50 pF ou moins
10. Résistance de l'électrode + du câblage : 2K0 ou moins (y compris damprésistance de référence avec une valeur de référence de 5600)

Figure 4-1 Recommandations de conception de modèle pour la méthode d'auto-capacité (extrait)

1. Forme de l'électrode : carrée (électrode émettrice TX et électrode réceptrice RX combinées)
2. Taille de l'électrode : 10 mm ou plus Proximité de l'électrode : Les électrodes doivent être placées à ampla distance afin qu'ils ne réagissent pas simultanément à l'objet tactile (doigt, etc.), (intervalle suggéré : taille du bouton x 0.8 ou plus)
   • Largeur du fil : Le fil le plus fin possible grâce à la production de masse ; environ 0.15 mm à 0.20 mm pour les circuits imprimés
3. Longueur du câblage : faites en sorte que le câblage soit le plus court possible. Dans les coins, formez un angle de 45 degrés, pas un angle droit.
4. Espacement des câbles :
   • Réglez l'espacement le plus large possible pour éviter toute fausse détection par les électrodes voisines.
   • Lorsque les électrodes sont séparées : un pas de 1.27 mm
   • 20 mm ou plus pour éviter la génération de capacité de couplage entre Tx et Rx.
5. Motif GND hachuré (protection de blindage) de proximité Étant donné que la capacité parasite des broches dans le motif de bouton recommandé est relativement faible, la capacité parasite augmente à mesure que les broches sont proches de GND.
   • A : 4 mm ou plus autour des électrodes Nous recommandons également un motif de plan GND hachuré d'environ 2 mm de large entre les électrodes.
   • B : 1.27 mm ou plus autour du câblage
6. Capacité parasite Tx, Rx : 20 pF ou moins
7. Résistance de l'électrode + du câblage : 2 kQ ou moins (y compris damprésistance de référence avec une valeur de référence de 5600)
8. Ne placez pas le motif GND directement sous les électrodes ou le câblage. La fonction de blindage actif ne peut pas être utilisée pour la méthode de capacité mutuelle.

Figure 4-2 Recommandations de conception de modèle pour la méthode de capacité mutuelle (extrait)

Conception de l'alimentation
Le CTSU est un module périphérique analogique qui gère les signaux électriques minuscules. Lorsque le bruit s'infiltre dans le volumetagSi le signal fourni au MCU ou au modèle GND est incorrect, cela provoque une fluctuation potentielle de l'impulsion de commande du capteur et diminue la précision de la mesure. Nous vous suggérons fortement d'ajouter un dispositif de contre-mesure du bruit à la ligne d'alimentation ou à un circuit d'alimentation embarqué pour alimenter le MCU en toute sécurité.

VoltagConception de l'approvisionnement électronique
Lors de la conception de l'alimentation électrique du système ou du périphérique embarqué, des mesures doivent être prises pour empêcher l'infiltration de bruit via la broche d'alimentation du MCU. Les recommandations suivantes relatives à la conception peuvent aider à prévenir l'infiltration de bruit.

• Gardez le câble d’alimentation du système et le câblage interne aussi courts que possible pour minimiser l’impédance.
• Placer et insérer un filtre anti-bruit (noyau de ferrite, perle de ferrite, etc.) pour bloquer le bruit haute fréquence.
• Réduisez l'ondulation sur l'alimentation du MCU. Nous vous recommandons d'utiliser un régulateur linéaire sur le volume du MCU.tagSélectionnez un régulateur linéaire avec une sortie à faible bruit et des caractéristiques PSRR élevées.
• Lorsque plusieurs appareils avec des charges de courant élevées sont présents sur la carte, nous recommandons d'insérer une alimentation séparée pour le MCU. Si cela n'est pas possible, séparez le motif à la racine de l'alimentation.
• Lorsque vous exécutez un appareil avec une consommation de courant élevée sur la broche MCU, utilisez un transistor ou un FET.

La figure 4-3 montre plusieurs configurations pour la ligne d'alimentation électrique. Vo est le volume d'alimentationtage, c'est la fluctuation du courant de consommation résultant des opérations IC2, et Z est l'impédance de la ligne d'alimentation. Vn est le voltagLe schéma GND est généré par la ligne d'alimentation et peut être calculé comme Vn = in×Z. Le schéma GND peut être considéré de la même manière. Pour plus de détails sur le schéma GND, reportez-vous à 4.1.2.2 Conception du schéma GND. Dans la configuration (a), la ligne d'alimentation du MCU est longue et les lignes d'alimentation IC2 se ramifient près de l'alimentation du MCU. Cette configuration n'est pas recommandée car le vol du MCUtagL'alimentation est sensible au bruit Vn lorsque l'IC2 est en fonctionnement. (b) et (c) les schémas de circuit de (b) et (c) sont les mêmes que (a), mais les conceptions de motifs diffèrent. (b) ramifie la ligne d'alimentation à partir de la racine de l'alimentation, et l'effet du bruit Vn est réduit en minimisant Z entre l'alimentation et le MCU. (c) réduit également l'effet de Vn en augmentant la surface et la largeur de ligne de la ligne d'alimentation pour minimiser Z.

Conception du modèle GND
Selon la conception du motif, le bruit peut provoquer le GND, qui est le volume de référencetage pour le MCU et les appareils embarqués, pour fluctuer en potentiel, diminuant la précision de mesure CTSU. Les conseils suivants pour la conception du modèle GND aideront à supprimer les fluctuations de potentiel.

• Couvrez autant que possible les espaces vides avec un motif GND solide pour minimiser l'impédance sur une grande surface.
• Utilisez une disposition de carte qui empêche le bruit de s'infiltrer dans le MCU via la ligne GND en augmentant la distance entre le MCU et les appareils avec des charges de courant élevées et en séparant le MCU du modèle GND.

La figure 4-4 montre plusieurs configurations pour la ligne GND. Dans ce cas, il s'agit de la fluctuation du courant de consommation résultant des opérations IC2, et Z est l'impédance de la ligne d'alimentation. Vn est le voltagLe potentiel GND généré par la ligne GND peut être calculé comme Vn = in×Z. Dans la configuration (a), la ligne GND vers le MCU est longue et fusionne avec la ligne GND IC2 près de la broche GND du MCU. Cette configuration n'est pas recommandée car le potentiel GND du MCU est sensible au bruit Vn lorsque l'IC2 est en fonctionnement. Dans la configuration (b), les lignes GND fusionnent à la racine de la broche GND de l'alimentation. Les effets du bruit de Vn peuvent être réduits en séparant les lignes GND du MCU et de l'IC2 pour minimiser l'espace entre le MCU et Z. Bien que les schémas de circuit de (c) et (a) soient les mêmes, les conceptions de motifs diffèrent. La configuration (c) réduit l'effet de Vn en augmentant la surface et la largeur de ligne de la ligne GND pour minimiser Z.

Connectez la masse du condensateur TSCAP au motif solide GND connecté à la borne VSS du MCU afin qu'il ait le même potentiel que la borne VSS. Ne séparez pas la masse du condensateur TSCAP de la masse du MCU. Si l'impédance entre la masse du condensateur TSCAP et la masse du MCU est élevée, les performances de rejet du bruit haute fréquence du condensateur TSCAP diminueront, le rendant plus sensible au bruit de l'alimentation et au bruit externe.

Traitement des broches inutilisées
Laisser les broches inutilisées dans un état d'impédance élevée rend l'appareil sensible aux effets du bruit externe. Assurez-vous de traiter toutes les broches inutilisées après avoir consulté le manuel matériel MCU Faily correspondant à chaque broche. Si une résistance de rappel ne peut pas être mise en œuvre en raison du manque de zone de montage, fixez le paramètre de sortie de la broche sur une sortie faible.

Mesures de lutte contre le bruit RF rayonné

Broche D du TSampRésistance à la traction
Le dampLa résistance connectée à la broche TS et le composant de capacité parasite de l'électrode fonctionnent comme un filtre passe-bas. L'augmentation de la dampLa résistance de contact abaisse la fréquence de coupure, réduisant ainsi le niveau de bruit rayonné s'infiltrant dans la broche TS. Cependant, lorsque la période de charge ou de décharge du courant de mesure capacitive est allongée, la fréquence d'impulsion de commande du capteur doit être abaissée, ce qui réduit également la précision de la détection tactile. Pour plus d'informations sur la sensibilité lors du changement de la résistance de contact, reportez-vous à la section « Sensibilité du capteur ».ampPour plus d'informations sur la résistance de la méthode d'auto-capacité, reportez-vous à « 5. Modèles de boutons et données caractéristiques de la méthode d'auto-capacité » dans le Guide de conception des électrodes tactiles capacitives CTSU (R30AN0389)

Bruit du signal numérique
Le câblage des signaux numériques qui gère la communication, comme SPI et I2C, et les signaux PWM pour les sorties LED et audio sont une source de bruit rayonné qui affecte le circuit de l'électrode tactile. Lorsque vous utilisez des signaux numériques, tenez compte des suggestions suivantes lors de la conceptiontage.

• Lorsque le câblage comprend des angles droits (90 degrés), le rayonnement du bruit provenant des points les plus pointus augmente. Assurez-vous que les angles du câblage sont à 45 degrés ou moins, ou courbés, pour réduire le rayonnement du bruit.
• Lorsque le niveau du signal numérique change, le dépassement ou le sous-dépassement est émis sous forme de bruit haute fréquence. Pour contrer ce phénomène, insérez une annonceamprésistance de mise en place sur la ligne de signal numérique pour supprimer le dépassement ou le sous-dépassement. Une autre méthode consiste à insérer une perle de ferrite le long de la ligne.
• Disposez les lignes pour les signaux numériques et le circuit d'électrode tactile de manière à ce qu'elles ne se touchent pas. Si la configuration nécessite que les lignes soient parallèles, maintenez la plus grande distance possible entre elles et insérez un blindage GND le long de la ligne numérique.
• Lorsque vous exécutez un appareil avec une consommation de courant élevée sur la broche MCU, utilisez un transistor ou un FET.

Mesure multifréquence
Lorsque vous utilisez un MCU intégré avec CTSU2, veillez à utiliser une mesure multifréquence. Pour plus de détails, voir 3.3.1 Mesure multifréquence.

Mesures de lutte contre le bruit conduit
La prise en compte de l'immunité au bruit conduit est plus importante dans la conception de l'alimentation du système que dans la conception de la carte MCU. Pour commencer, concevez l'alimentation pour fournir un volumetage avec un faible bruit pour les appareils montés sur la carte. Pour plus de détails sur les paramètres d'alimentation, reportez-vous à 4.1.2 Conception de l'alimentation. Cette section décrit les contre-mesures contre le bruit liées à l'alimentation ainsi que les fonctions CTSU à prendre en compte lors de la conception de votre carte MCU pour améliorer l'immunité au bruit conduit.

Filtre en mode commun
Placez ou montez un filtre en mode commun (bobine en mode commun, noyau en ferrite) pour réduire le bruit entrant dans la carte à partir du câble d'alimentation. Inspectez la fréquence d'interférence du système avec un test de bruit et sélectionnez un appareil à haute impédance pour réduire la bande de bruit ciblée. Reportez-vous aux éléments respectifs car la position d'installation diffère selon le type de filtre. Notez que chaque type de filtre est placé différemment sur la carte ; reportez-vous à l'explication correspondante pour plus de détails. Tenez toujours compte de la disposition du filtre pour éviter de diffuser du bruit dans la carte. La figure 4-5 montre un exemple de disposition de filtre en mode communample.

Choke en mode commun
La self de mode commun est utilisée comme contre-mesure de bruit implémentée sur la carte, ce qui nécessite son intégration lors de la phase de conception de la carte et du système. Lorsque vous utilisez une self de mode commun, veillez à utiliser le câblage le plus court possible immédiatement après le point où l'alimentation est connectée à la carte. Par exempleample, lors de la connexion du câble d'alimentation et de la carte avec un connecteur, le placement d'un filtre immédiatement après le connecteur côté carte empêchera le bruit entrant par le câble de se propager sur la carte.

Noyau de ferrite
Le noyau de ferrite est utilisé pour réduire le bruit transmis par le câble. Lorsque le bruit devient un problème après l'assemblage du système, l'introduction d'unampLe noyau de ferrite de type 1000 permet de réduire le bruit sans modifier la conception de la carte ou du système. Par exempleample, lors de la connexion du câble et de la carte avec un connecteur, placer un filtre juste avant le connecteur côté carte minimisera le bruit entrant dans la carte.

Disposition des condensateurs
Réduisez le bruit de l'alimentation et le bruit d'ondulation qui pénètre dans la carte à partir des câbles d'alimentation et de signal en concevant et en plaçant des condensateurs de découplage et des condensateurs en vrac à proximité de la ligne d'alimentation ou des bornes du MCU.

Condensateur de découplage
Un condensateur de découplage peut réduire le voltagLa chute de tension entre la broche d'alimentation VCC ou VDD et VSS en raison de la consommation de courant du MCU, stabilisant les mesures CTSU. Utilisez la capacité recommandée répertoriée dans le manuel d'utilisation du MCU, en plaçant le condensateur près de la broche d'alimentation et de la broche VSS. Une autre option consiste à concevoir le modèle en suivant le guide de conception matérielle de la famille de MCU cible, s'il est disponible.

Condensateur en vrac
Les condensateurs en vrac lissent les ondulations dans le volume du MCUtagsource d'approvisionnement, stabilisant le voltage entre la broche d'alimentation du MCU et VSS, et stabilisant ainsi les mesures CTSU. La capacité des condensateurs varie en fonction de la conception de l'alimentation ; assurez-vous d'utiliser une valeur appropriée pour éviter de générer des oscillations ou des voltage goutte.

Mesure multifréquence
La mesure multifréquence, une fonction de CTSU2, est efficace pour améliorer l'immunité au bruit conduit. Si l'immunité au bruit conduit est une préoccupation dans votre développement, sélectionnez un MCU équipé de CTSU2 pour utiliser la fonction de mesure multifréquence. Pour plus de détails, reportez-vous à 3.3.1 Mesure multifréquence.

Considérations relatives au blindage GND et à la distance des électrodes
La figure 1 montre une image de suppression du bruit utilisant le chemin d'ajout de bruit de conduction du blindage de l'électrode. Placer un blindage GND autour de l'électrode et rapprocher le blindage entourant l'électrode de l'électrode renforce le couplage capacitif entre le doigt et le blindage. La composante de bruit (VNOISE) s'échappe vers B-GND, réduisant les fluctuations du courant de mesure CTSU. Notez que plus le blindage est proche de l'électrode, plus le CP est grand, ce qui réduit la sensibilité tactile. Après avoir modifié la distance entre le blindage et l'électrode, confirmez la sensibilité dans la section 5. Méthode d'auto-capacité Motifs et caractéristiques des boutons Données de Guide de conception des électrodes tactiles capacitives CTSU (R30AN0389).

Filtres logiciels

La détection tactile utilise les résultats de mesure de capacité pour déterminer si un capteur a été touché ou non (ON ou OFF) à l'aide du pilote CTSU et du logiciel du module TOUCH. Le module CTSU effectue une réduction du bruit sur les résultats de mesure de capacité et transmet les données au module TOUCH qui détermine le contact. Le pilote CTSU inclut le filtre à moyenne mobile IIR comme filtre standard. Dans la plupart des cas, le filtre standard peut fournir un rapport signal/bruit et une réactivité suffisants. Cependant, un traitement de réduction du bruit plus puissant peut être requis en fonction du système utilisateur. La figure 5-1 montre le flux de données via la détection tactile. Des filtres utilisateur peuvent être placés entre le pilote CTSU et le module TOUCH pour le traitement du bruit. Reportez-vous à la note d'application ci-dessous pour obtenir des instructions détaillées sur la façon d'intégrer des filtres dans un projet file ainsi qu'un filtre logiciel sample code et l'utilisation example projet file. Filtre logiciel tactile capacitif de la famille RA Sample Programme (R30AN0427)

Cette section présente les filtres efficaces pour chaque norme CEM.

Tableau 5-1 Norme CEM et filtres logiciels correspondants

Norme CEM	Bruit attendu	Filtre logiciel correspondant
IEC61000-4-3	Bruit aléatoire	Filtre IIR
Immunité aux radiations,
IEC61000-4-6	Bruit périodique	Filtre FIR
Immunité conduite

Filtre IIR
Le filtre IIR (filtre à réponse impulsionnelle infinie) nécessite moins de mémoire et présente une faible charge de calcul, ce qui le rend idéal pour les systèmes à faible consommation et les applications avec de nombreux boutons. L'utiliser comme filtre passe-bas permet de réduire le bruit haute fréquence. Cependant, il faut faire attention car plus la fréquence de coupure est basse, plus le temps de stabilisation est long, ce qui retardera le processus de jugement ON/OFF. Le filtre IIR unipolaire du premier ordre est calculé à l'aide de la formule suivante, où a et b sont des coefficients, xn est la valeur d'entrée, yn est la valeur de sortie et yn-1 est la valeur de sortie immédiatement précédente.

Lorsque le filtre IIR est utilisé comme filtre passe-bas, les coefficients a et b peuvent être calculés à l'aide de la formule suivante, où sampLa fréquence de coupure est fs et la fréquence de coupure est fc.

Filtre FIR
Le filtre FIR (Finite Impulse Response filter) est un filtre très stable qui subit une détérioration minimale de la précision due aux erreurs de calcul. Selon le coefficient, il peut être utilisé comme filtre passe-bas ou filtre passe-bande, réduisant à la fois le bruit périodique et le bruit aléatoire, améliorant ainsi le rapport signal/bruit. Cependant, comme sampLes fichiers d'une certaine période précédente sont stockés et calculés, l'utilisation de la mémoire et la charge de calcul augmenteront proportionnellement à la longueur de prise du filtre. Le filtre FIR est calculé à l'aide de la formule suivante, où L et h0 à hL-1 sont des coefficients, xn est la valeur d'entrée, xn-I est la valeur d'entrée antérieure à sample i, et yn est la valeur de sortie.

Utilisation Examples
Cette section fournit exampde suppression du bruit à l'aide de filtres IIR et FIR. Le tableau 5-2 montre les conditions de filtrage et la figure 5-2 montre un exempleample de suppression du bruit aléatoire.

Tableau 5-2 Utilisation du filtre Examples

Format de filtre	Condition 1	Condition 2	Remarques
IIR unipolaire du premier ordre	b=0.5	b=0.75
SAPIN	L=4 h0~ hL-1=0.25	L=8 h0~ hL-1=0.125	Utiliser une moyenne mobile simple

Notes d'utilisation concernant le cycle de mesure
Les caractéristiques de fréquence des filtres logiciels varient en fonction de la précision du cycle de mesure. De plus, vous risquez de ne pas obtenir les caractéristiques de filtre attendues en raison d'écarts ou de variations dans le cycle de mesure. Pour donner la priorité aux caractéristiques du filtre, utilisez un oscillateur sur puce à grande vitesse (HOCO) ou un oscillateur à cristal externe comme horloge principale. Nous recommandons également de gérer les cycles d'exécution des mesures tactiles avec un temporisateur matériel.

Glossaire

Terme	Définition
Université de technologie de CTSU	Unité de détection tactile capacitive. Également utilisée dans CTSU1 et CTSU2.
CTSU1	IP CTSU de deuxième génération. « 1 » est ajouté pour différencier de CTSU2.
CTSU2	IP CTSU de troisième génération.
Conducteur CTSU	Logiciel pilote CTSU fourni dans les packages logiciels Renesas.
Module CTSU	Une unité de logiciel de pilote CTSU qui peut être intégrée à l'aide du Smart Configurator.
Intergiciel TOUCH	Middleware pour le traitement de détection tactile lors de l'utilisation de CTSU fourni dans les packages logiciels Renesas.
Module TACTILE	Une unité de middleware TOUCH qui peut être intégrée à l'aide du Smart Configurator.
Module r_ctsu	Le pilote CTSU est affiché dans le Smart Configurator.
Module rm_touch	Le module TOUCH affiché dans le Smart Configurator
CCO	Oscillateur à contrôle de courant. L'oscillateur à contrôle de courant est utilisé dans les capteurs tactiles capacitifs. Également écrit ICO dans certains documents.
ICO	Identique au CCO.
TSCAP	Un condensateur pour stabiliser le volume interne du CTSUtage.
Damprésistance de traction	Une résistance est utilisée pour réduire les dommages aux broches ou les effets dus au bruit externe. Pour plus de détails, reportez-vous au Guide de conception des électrodes tactiles capacitives (R30AN0389).
VDC	Voltage Down Converter. Circuit d'alimentation pour mesure de capteur capacitif intégré au CTSU.
Mesure multifréquence	Une fonction qui utilise plusieurs horloges d'unité de capteur avec des fréquences différentes pour mesurer le toucher ; indique la fonction de mesure multi-horloge.
Impulsion de commande du capteur	Signal qui pilote le condensateur commuté.
Bruit synchrone	Bruit à la fréquence qui correspond à l'impulsion d'entraînement du capteur.
EUT	Équipement testé. Indique l'appareil à tester.
LDO	Régulateur de faible chute
PSRR	Taux de rejet de l'alimentation électrique
FSP	Pack logiciel flexible
AJUSTER	Technologie d'intégration du micrologiciel.
S.I.S.	Système d'intégration de logiciels

Historique des révisions

Tour.	Date	Description
		Page	Résumé
1.00	31 mai 2023	–	Révision initiale
2.00	25 décembre 2023	–	Pour IEC61000-4-6
		6	Ajout de l'impact du bruit en mode commun à 2.2
		7	Ajout d'éléments au tableau 2-5
		9	Texte révisé dans 3.1, corrigé Figure 3-1
			Texte révisé en 3-2
		10	Dans la section 3.3.1, texte révisé et figure 3-4 ajoutée. Explication supprimée sur la façon de modifier les paramètres pour les mesures multifréquences et explication ajoutée sur la fréquence d'interférence des mesures multifréquences Figure 3-5e3-5.
		11	Ajout de documents de référence à la version 3.2.2
		14	Note ajoutée concernant la connexion GND du condensateur TSCAP à 4.1.2.2
		15	Ajout d'une note concernant la conception des coins de câblage à la section 4.2.2
		16	Ajout de la section 4.3 Contre-mesures contre le bruit transmis
		18	Section 5 révisée.

Précautions générales à prendre lors de la manipulation des produits de l'unité de microprocesseur et de l'unité de microcontrôleur

Les notes d'utilisation suivantes s'appliquent à tous les produits de microprocesseurs et de microcontrôleurs de Renesas. Pour des notes d'utilisation détaillées sur les produits couverts par ce document, reportez-vous aux sections correspondantes du document ainsi qu'à toutes les mises à jour techniques qui ont été publiées pour les produits.

1. Précaution contre les décharges électrostatiques (ESD)
   Un champ électrique puissant, lorsqu'il est exposé à un dispositif CMOS, peut détruire l'oxyde de grille et finalement dégrader le fonctionnement du dispositif. Des mesures doivent être prises pour arrêter autant que possible la génération d'électricité statique et la dissiper rapidement lorsqu'elle se produit. Le contrôle environnemental doit être adéquat. Lorsqu'il est sec, un humidificateur doit être utilisé. Cela est recommandé pour éviter d'utiliser des isolants qui peuvent facilement accumuler de l'électricité statique. Les dispositifs semi-conducteurs doivent être stockés et transportés dans un conteneur antistatique, un sac de protection statique ou un matériau conducteur. Tous les outils de test et de mesure, y compris les établis et les sols, doivent être mis à la terre. L'opérateur doit également être mis à la terre à l'aide d'un bracelet antistatique. Les dispositifs semi-conducteurs ne doivent pas être touchés à mains nues. Des précautions similaires doivent être prises pour les cartes de circuits imprimés avec des dispositifs semi-conducteurs montés.
2. Traitement à la mise sous tension
   L'état du produit est indéfini au moment de la mise sous tension. Les états des circuits internes du LSI sont indéterminés et les états des paramètres de registre et des broches sont indéfinis au moment de la mise sous tension. Dans un produit fini où le signal de réinitialisation est appliqué à la broche de réinitialisation externe, les états des broches ne sont pas garantis à partir du moment où l'alimentation est fournie jusqu'à ce que le processus de réinitialisation soit terminé. De même, les états des broches d'un produit qui est réinitialisé par une fonction de réinitialisation à la mise sous tension sur puce ne sont pas garantis à partir du moment où l'alimentation est fournie jusqu'à ce que l'alimentation atteigne le niveau auquel la réinitialisation est spécifiée.
3. Entrée du signal pendant l'état de mise hors tension
   N'entrez pas de signaux ou d'alimentation de rappel d'E/S lorsque l'appareil est hors tension. L'injection de courant résultant de l'entrée d'un tel signal ou d'une alimentation de rappel d'E/S peut provoquer un dysfonctionnement et le courant anormal qui passe dans l'appareil à ce moment peut provoquer une dégradation des éléments internes. Suivez les instructions relatives au signal d'entrée pendant l'état hors tension, comme décrit dans la documentation de votre produit.
4. Manipulation des broches non utilisées
   Manipulez les broches inutilisées en suivant les instructions fournies dans la section "Manipulation des broches inutilisées" du manuel. Les broches d'entrée des produits CMOS sont généralement à l'état haute impédance. En cas de fonctionnement avec une broche inutilisée à l'état de circuit ouvert, un bruit électromagnétique supplémentaire est induit à proximité du LSI, un courant de fuite associé circule en interne et des dysfonctionnements peuvent survenir en raison de la fausse reconnaissance de l'état de la broche comme signal d'entrée.
5. Signaux d'horloge
   Après avoir appliqué une réinitialisation, ne relâchez la ligne de réinitialisation qu'une fois que le signal d'horloge de fonctionnement est devenu stable. Lors de la commutation du signal d'horloge pendant l'exécution du programme, attendez que le signal d'horloge cible soit stabilisé. Lorsque le signal d'horloge est généré avec un résonateur externe ou à partir d'un oscillateur externe pendant une réinitialisation, assurez-vous que la ligne de réinitialisation n'est libérée qu'après une stabilisation complète du signal d'horloge. De plus, lors du passage à un signal d'horloge produit avec un résonateur externe ou par un oscillateur externe alors que l'exécution du programme est en cours, attendez que le signal d'horloge cible soit stable.
6. Voltage forme d'onde d'application à la broche d'entrée
   La distorsion de la forme d'onde due au bruit d'entrée ou à une onde réfléchie peut entraîner un dysfonctionnement. Si l'entrée du dispositif CMOS reste dans la zone entre VIL (Max.) et VIH (Min.) à cause du bruit, par ex.ample, l'appareil peut mal fonctionner. Veillez à éviter que des bruits de broutage n'entrent dans l'appareil lorsque le niveau d'entrée est fixe, ainsi que pendant la période de transition lorsque le niveau d'entrée passe par la zone comprise entre VIL (Max.) et VIH (Min.).
7. Interdiction d'accès aux adresses réservées
   L'accès aux adresses réservées est prohibé. Les adresses réservées sont fournies pour une éventuelle extension future des fonctions. N'accédez pas à ces adresses car le bon fonctionnement du LSI n'est pas garanti.
8. Différences entre les produits
   Avant de passer d'un produit à un autre, par exampSi vous passez à un produit portant un numéro de pièce différent, assurez-vous que le changement n'entraînera pas de problèmes. Les caractéristiques d'une unité de microprocesseur ou d'une unité de microcontrôleur appartenant au même groupe mais portant un numéro de pièce différent peuvent différer en termes de capacité de mémoire interne, de modèle de disposition et d'autres facteurs, qui peuvent affecter les plages de caractéristiques électriques, telles que les valeurs caractéristiques, les marges de fonctionnement, l'immunité au bruit et la quantité de bruit rayonné. Lorsque vous passez à un produit portant un numéro de pièce différent, effectuez un test d'évaluation du système pour le produit donné.

Avis

1. Les descriptions des circuits, des logiciels et d'autres informations connexes dans ce document sont fournies uniquement pour illustrer le fonctionnement des produits semi-conducteurs et l'application ex.ampVous êtes entièrement responsable de l'incorporation ou de toute autre utilisation des circuits, logiciels et informations dans la conception de votre produit ou système. Renesas Electronics décline toute responsabilité pour les pertes et dommages subis par vous ou des tiers résultant de l'utilisation de ces circuits, logiciels ou informations.
2. Renesas Electronics décline expressément par la présente toute garantie et responsabilité en cas de violation ou de toute autre réclamation impliquant des brevets, des droits d'auteur ou d'autres droits de propriété intellectuelle de tiers, par ou découlant de l'utilisation des produits Renesas Electronics ou des informations techniques décrites dans ce document, y compris, mais sans s'y limiter, les données du produit, les dessins, les graphiques, les programmes, les algorithmes et les exemples d'application.amples.
3. Aucune licence, expresse, implicite ou autre, n'est accordée par les présentes en vertu de brevets, droits d'auteur ou autres droits de propriété intellectuelle de Renesas Electronics ou d'autres.
4. Vous serez responsable de déterminer quelles licences sont requises auprès de tiers et d'obtenir ces licences pour l'importation, l'exportation, la fabrication, la vente, l'utilisation, la distribution ou toute autre élimination légale de tout produit incorporant des produits Renesas Electronics, si nécessaire.
5. Vous ne devez pas altérer, modifier, copier ou procéder à une rétro-ingénierie d'un produit Renesas Electronics, que ce soit en tout ou en partie. Renesas Electronics décline toute responsabilité pour toute perte ou tout dommage subi par vous ou des tiers résultant d'une telle altération, modification, copie ou rétro-ingénierie.
6. Les produits Renesas Electronics sont classés selon les deux niveaux de qualité suivants : « Standard » et « Haute Qualité ». Les applications prévues pour chaque produit Renesas Electronics dépendent du niveau de qualité du produit, comme indiqué ci-dessous.
   « Standard » : Ordinateurs ; matériel de bureau; matériel de communication; équipement de test et de mesure; équipement audio et visuel; appareils électroniques domestiques; des machines-outils; équipement électronique personnel; robots industriels; etc.
   « Haute Qualité » : Matériel de transport (automobiles, trains, bateaux, etc.) ; contrôle de la circulation (feux de signalisation); équipement de communication à grande échelle; principaux systèmes de terminaux financiers ; équipement de contrôle de sécurité; etc.
   Sauf mention expresse dans une fiche technique ou un autre document de Renesas Electronics comme produit de haute fiabilité ou produit pour environnements difficiles, les produits Renesas Electronics ne sont pas destinés ou autorisés à être utilisés dans des produits ou systèmes pouvant constituer une menace directe pour la vie humaine ou des blessures corporelles (dispositifs ou systèmes de survie artificielle, implantations chirurgicales, etc.) ou pouvant causer de graves dommages matériels (système spatial, répéteurs sous-marins, systèmes de contrôle de l'énergie nucléaire, systèmes de contrôle des aéronefs, systèmes d'usines clés, équipements militaires, etc.). Renesas Electronics décline toute responsabilité pour tout dommage ou perte subi par vous ou par des tiers découlant de l'utilisation de tout produit Renesas Electronics qui n'est pas conforme à une fiche technique, un manuel d'utilisation ou un autre document de Renesas Electronics.
7. Aucun produit semi-conducteur n'est sécurisé. Nonobstant les mesures ou fonctionnalités de sécurité qui peuvent être mises en œuvre dans les produits matériels ou logiciels de Renesas Electronics, Renesas Electronics ne sera pas responsable d'une quelconque vulnérabilité ou violation de sécurité, y compris, mais sans s'y limiter, tout accès ou utilisation non autorisés d'un produit Renesas Electronics ou d'un système qui utilise un produit Renesas Electronics. RENESAS ELECTRONICS NE GARANTIT PAS QUE LES PRODUITS RENESAS ELECTRONICS OU TOUT SYSTÈME CRÉÉ À L'AIDE DES PRODUITS RENESAS ELECTRONICS SERONT INVULNÉRABLES OU EXEMPTS DE CORRUPTION, D'ATTAQUE, DE VIRUS, D'INTERFÉRENCE, DE PIRATAGE, DE PERTE OU DE VOL DE DONNÉES OU D'AUTRES INTRUSIONS DE SÉCURITÉ (« Problèmes de vulnérabilité »). RENESAS ELECTRONICS DÉCLINE TOUTE RESPONSABILITÉ DÉCOULANT DE TOUT PROBLÈME DE VULNÉRABILITÉ. EN OUTRE, DANS LA MESURE PERMISE PAR LA LOI APPLICABLE, RENESAS ELECTRONICS DÉCLINE TOUTE GARANTIE, EXPRESSE OU IMPLICITE, CONCERNANT CE DOCUMENT ET TOUT LOGICIEL OU MATÉRIEL ASSOCIÉ OU ACCOMPAGNANT, Y COMPRIS, MAIS SANS S'Y LIMITER, LES GARANTIES IMPLICITES DE QUALITÉ MARCHANDE OU D'ADÉQUATION À UN USAGE PARTICULIER.
8. Lors de l'utilisation des produits Renesas Electronics, reportez-vous aux informations les plus récentes sur les produits (fiches techniques, manuels d'utilisation, notes d'application, « Notes générales pour la manipulation et l'utilisation des dispositifs à semi-conducteurs » dans le manuel de fiabilité, etc.) et assurez-vous que les conditions d'utilisation sont dans les plages spécifiées par Renesas Electronics concernant les valeurs nominales maximales, la tension d'alimentation de fonctionnement et la consommation d'énergie.tagRenesas Electronics décline toute responsabilité en cas de dysfonctionnement, de panne ou d'accident résultant de l'utilisation des produits Renesas Electronics en dehors des plages spécifiées.
9. Bien que Renesas Electronics s'efforce d'améliorer la qualité et la fiabilité des produits Renesas Electronics, les produits semi-conducteurs présentent des caractéristiques spécifiques, telles que l'apparition de pannes à un certain rythme et des dysfonctionnements dans certaines conditions d'utilisation. À moins qu'ils ne soient désignés comme produit à haute fiabilité ou produit pour environnements difficiles dans une fiche technique Renesas Electronics ou un autre document Renesas Electronics, les produits Renesas Electronics ne sont pas soumis à une conception de résistance aux radiations. Vous êtes responsable de la mise en œuvre de mesures de sécurité pour vous prémunir contre la possibilité de blessures corporelles, de blessures ou de dommages causés par un incendie et/ou de danger pour le public en cas de panne ou de dysfonctionnement des produits Renesas Electronics, telles que la conception de sécurité du matériel et des logiciels, y compris, mais sans s'y limiter, la redondance, le contrôle des incendies et la prévention des dysfonctionnements, le traitement approprié de la dégradation due au vieillissement ou toute autre mesure appropriée. Étant donné que l'évaluation des logiciels de micro-ordinateurs à elle seule est très difficile et peu pratique, vous êtes responsable de l'évaluation de la sécurité des produits ou systèmes finaux que vous fabriquez.
10. Veuillez contacter un bureau de vente Renesas Electronics pour obtenir des informations détaillées sur les questions environnementales telles que la compatibilité environnementale de chaque produit Renesas Electronics. Vous êtes responsable d'examiner soigneusement et suffisamment les lois et réglementations applicables qui régissent l'inclusion ou l'utilisation de substances contrôlées, y compris, sans limitation, la directive RoHS de l'UE, et d'utiliser les produits Renesas Electronics conformément à toutes ces lois et réglementations applicables. Renesas Electronics décline toute responsabilité pour les dommages ou pertes résultant de votre non-respect des lois et réglementations applicables.
11. Les produits et technologies de Renesas Electronics ne doivent pas être utilisés ou intégrés dans des produits ou systèmes dont la fabrication, l'utilisation ou la vente sont interdites par les lois ou réglementations nationales ou étrangères en vigueur. Vous devez vous conformer à toutes les lois et réglementations en vigueur en matière de contrôle des exportations promulguées et administrées par les gouvernements de tout pays exerçant sa juridiction sur les parties ou les transactions.
12. Il est de la responsabilité de l'acheteur ou du distributeur des produits Renesas Electronics, ou de toute autre partie qui distribue, dispose ou vend ou transfère le produit à un tiers, d'informer ce tiers à l'avance du contenu et des conditions décrites dans ce document.
13. Ce document ne doit pas être réimprimé, reproduit ou dupliqué sous quelque forme que ce soit, en tout ou en partie, sans le consentement écrit préalable de Renesas Electronics.
14. Veuillez contacter un bureau de vente Renesas Electronics si vous avez des questions concernant les informations contenues dans ce document ou les produits Renesas Electronics.

• (Note 1) « Renesas Electronics » tel qu'utilisé dans ce document désigne Renesas Electronics Corporation et inclut également ses filiales contrôlées directement ou indirectement.
• (Note 2) « produit(s) Renesas Electronics » désigne tout produit développé ou fabriqué par ou pour Renesas Electronics.

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Documents / Ressources

Microcontrôleur à capteur capacitif RENESAS RA2E1 [pdf] Guide de l'utilisateur RA2E1, famille RX, famille RA, famille RL78, microcontrôleur à capteur capacitif RA2E1, RA2E1, microcontrôleur à capteur capacitif, microcontrôleur à capteur

Références

• Manuel d'utilisation