RENESAS RA2E1 Sensor Kapacitive MCU

Sensorê kapasîtîf ​​MCU
Rêbernameya Immunity Noise Touch Capacitive

Pêşkêş
Yekîneya Sensora Têkilî ya Capacitive Renesas (CTSU) dikare li hawîrdora xwe ya hawîrdorê ji dengbêjiyê re têkildar be ji ber ku ew dikare guheztinên hûrdemî yên di kapasîteyê de, ku ji hêla îşaretên elektrîkî yên xapînok ên nedilxwaz (deng) ve hatî çêkirin, tespît bike. Bandora vê deng dikare bi sêwirana hardware ve girêdayî be. Ji ber vê yekê, di sêwiranê de tedbîrên dijber digirintage dê bibe sedema CTSU MCU ku ji dengê hawîrdorê û pêşkeftina hilbera bandorker re berxwedêr e. Vê nîşeya serîlêdanê awayên çêtirkirina nesaxiya dengî ji bo hilberên ku bi karanîna Yekîneya Sensora Têkilî ya Kapacitive Renesas (CTSU) ji hêla standardên berevaniya dengî yên IEC-ê ve (IEC61000-4) bikar tînin vedibêje.

Amûra Target
Malbata RX, Malbata RA, MCU-yên Malbatê yên RL78 û Renesas Synergy™ ku CTSU vedihewînin (CTSU, CTSU2, CTSU2L, CTSU2La, CTSU2SL)

Standardên ku di vê nota serîlêdanê de cih digirin 

• IEC-61000-4-3
• IEC-61000-4-6

Serview

CTSU mîqdara elektrîka statîk a ji barê elektrîkê dema ku elektrodek tê destgirtin dipîve. Ger di dema pîvandinê de potansiyela elektroda destikê ji ber dengiyê biguhezîne, herika barkirinê jî diguhere, ku bandorê li nirxa pîvandî dike. Bi taybetî, guheztinek mezin di nirxa pîvandinê de dibe ku ji sînorê destikê derbas bibe, dibe sedema xirabûna amûrê. Guherînên piçûk di nirxa pîvandî de dibe ku bandorê li ser sepanên ku pîvandinên xêzik hewce dikin bandor bike. Dema ku ji bo pergalên pêwendiya kapasîteyê ya CTSU-ê bêtengiya deng tê hesibandin, zanîna di derbarê behreya vedîtina desta kapasîtîf ​​a CTSU û sêwirana panelê de pêdivî ye. Em ji bikarhênerên CTSU yên yekem-car re pêşniyar dikin ku bi xwendina belgeyên têkildar ên jêrîn xwe bi prensîbên CTSU û pêwendiya kapasîteyê re iliar bikin.

• Agahdariya bingehîn di derbarê vedîtina desta kapasît û CTSU de
• Rêbernameya Bikarhêner Touch Capacitive ji bo MCU-yên Sensorê Kapacitive (R30AN0424)
• Agahdariya li ser sêwirana panelê ya hardware
  Mîkrokontrollerên Sensorê Kapacîtîv - Rêbernameya sêwirana elektrodê pêça Kapacitive CTSU (R30AN0389)
• Agahdarî di derbarê nermalava ajokerê CTSU (modula CTSU).
  Malbata RA Pirtûka Bikarhêner a Renesas Flexible Software Package (FSP) (Web Versiyon - HTML)
  Referansa API> Modul> CapTouch> CTSU (r_ctsu)
  RL78 Malbata CTSU Pergala Yekkirina Nermalava Modula (R11AN0484)
  Teknolojiya Yekbûna Firmware ya Modula RX Family QE CTSU (R01AN4469)
• Agahdarî di derbarê nermalava navîn (modula TOUCH) de
  Malbata RA Pirtûka Bikarhêner a Renesas Flexible Software Package (FSP) (Web Versiyon - HTML)
  Referansa API> Modul> CapTouch> Têkilî (rm_touch)
  RL78 Family TOUCH Modula Nermalava Pergala Yekbûnê (R11AN0485)
  Teknolojiya Yekkirina Firmware ya Modula Têkilî ya RX Family QE (R01AN4470)
• Agahdariya li ser QE ji bo Têkiliya Capacitive (alava piştevaniya pêşkeftina serîlêdana pêwendiya kapasîtîf)
  Bikaranîna QE û FSP-ê ji bo Pêşxistina Serlêdanên Têkiliya Kapacitive (R01AN4934)
  Bikaranîna QE û FIT-ê ji bo Pêşxistina Serlêdanên Têkiliya Kapacitive (R01AN4516)
  Malbata RL78 QE û SIS-ê bikar tîne Ji bo Pêşxistina Serlêdanên Têkiliya Kapacitive (R01AN5512)
  Malbata RL78 Guhertoya Serbixwe ya QE bikar tîne da ku Serlêdanên Têkiliya Kapacitive Pêşde bixe (R01AN6574)

Cureyên deng û tedbîrên dijber

Standardên EMC
Tablo 2-1 navnîşek standardên EMC peyda dike. Deng dikare bandorê li operasyonan bike bi ketina pergalê bi navberên hewayê û kabloyên girêdanê. Ev navnîş standardên IEC 61000 wekî berê destnîşan dikeampJi bo danasîna cûreyên dengbêjan divê pêşdebiran hay ji xwe hebin da ku ji bo pergalên ku CTSU bikar tînin operasyonên rast piştrast bikin. Ji kerema xwe ji bo hûrguliyên bêtir li guhertoya herî dawî ya IEC 61000 binihêrin.

Tablo 2-1 Standardên Testkirina EMC (IEC 61000)

Danasîna Testê	Serview	Rêzan
Testa Immunity Radyated	Ji bo nesaxiyê li hember dengê RF-ya bi frekansa bilind test bikin	IEC61000-4-3
Testa Immunity pêk hat	Ji bo nesaxiyê li hember dengê RF-ya frekansa nizm test bikin	IEC61000-4-6
Testa Daxistina Elektrostatîk (ESD)	Test ji bo parastinê li hember dakêşana elektrostatîk	IEC61000-4-2
Testa Veguhastina Bilez a Elektrîkê/Teqîqê (EFT/B)	Test ji bo nesaxiyê li hember bersiva paşîn a domdar a ku di xetên dabînkirina hêzê de, hwd.	IEC61000-4-4

Tabloya 2-2 pîvana performansê ya ji bo ceribandina parastinê destnîşan dike. Pîvanên performansê ji bo ceribandinên bêparastinê yên EMC têne destnîşan kirin, û encam li ser bingeha xebata amûrê di dema ceribandinê de (EUT) têne darizandin. Pîvanên performansê ji bo her standard yek in.

Tablo 2-2 Pîvanên Performansê yên Ji bo Testkirina Parastinê

Pîvana Performansê	Terîf
A	Amûr dê di dema ceribandinê û piştî ceribandinê de wekî ku tê xwestin berdewam bike. Dema ku amûr wekî mebest tê bikar anîn di binê asta performansê ya ku ji hêla çêker ve hatî destnîşan kirin de çu xirabkirina performansê an windakirina fonksiyonê nayê destûr kirin.
B	Amûr dê di dema ceribandinê û piştî ceribandinê de wekî ku tê xwestin berdewam bike. Dema ku amûr wekî mebest tê bikar anîn di binê asta performansê ya ku ji hêla çêker ve hatî destnîşan kirin de çu xirabkirina performansê an windakirina fonksiyonê nayê destûr kirin. Lêbelê, di dema ceribandinê de, hilweşandina performansê destûr e. Guhertina rewşa xebatê ya rastîn an daneyên hilanîn nayê destûr kirin.
C	Wendakirina fonksiyonê ya demkî destûr tê dayîn, bi şertê ku fonksiyon bixwe vegere an jî bi operasyona kontrolê ve were vegerandin.

RF Noise Counterted

Dengê RF pêlên elektromagnetîk ên frekansên radyoyê yên ku ji hêla weşana televîzyon û radyoyê, cîhazên mobîl û alavên din ên elektrîkê ve têne bikar anîn destnîşan dike. Dengê RF-ê dibe ku rasterast têkeve nav PCB-ê an jî dibe ku di xeta dabînkirina hêzê û kabloyên din ên girêdayî re têkeve hundur. Pêdivî ye ku tedbîrên berevajî deng li ser panelê ji bo ya pêşîn û di asta pergalê de ji bo ya paşîn, wek mînak bi riya xeta dabînkirina hêzê ve, werin bicîh kirin. CTSU kapasîteyê bi veguheztina wê li sînyalek elektrîkê dipîve. Guhertina kapasîteyê ya ji ber destikê zehf piçûk e, ji ber vê yekê ji bo ku vedîtina destikê normal were misoger kirin, pêdivî ye ku pina sensor û dabînkirina hêzê ya sensor bixwe ji dengê RF-ê were parastin. Du ceribandinên bi frekansên ceribandinê yên cihêreng hene ku ji bo bergiriya dengê RF-ê ceribandin: IEC 61000-4-3 û IEC 61000-4-6.

IEC61000-4-3 ceribandinek bêparastinê ya tîrêjkirî ye û ji bo nirxandina bergiriya dengî bi rasterast sepandina îşaretek ji qada elektromagnetîk a radyo-frekansê ji EUT re tê bikar anîn. Qada elektromagnetîk a RF ji 80MHz heta 1GHz an jî mezintir diguhere, ku diguhere dirêjahiya pêlên bi qasî 3.7m ber 30cm. Ji ber ku ev dirêjahiya pêlê û dirêjahiya PCB-ê wekî hev in, dibe ku nimûne wekî antenna tevbigere, ku bandorek neyînî li encamên pîvandina CTSU bike. Wekî din, heke dirêjahiya têl an kapasîteya parazît ji bo her elektrodê pêvek cûda dibe, dibe ku frekansa bandorkirî ji bo her termînalê cûda bibe. Ji bo hûrguliyên di derbarê ceribandina bêparastinê ya radyasyonê de serî li Tabloya 2-3 bidin.

Tabloya 2-3 Testa Parastina Radyated

Range Frequency	Asta Testê	Hêza Qada Testê
80MHz-1GHz Bi guhertoya testê ve girêdayî heya 2.7GHz an heya 6.0GHz	1	1 V/m
	2	3 V/m
	3	10 V/m
	4	30 V/m
	X	Bi taybetî diyar kirin

IEC 61000-4-6 îmtîhanek berevaniyê ye û ji bo nirxandina frekansên di navbera 150kHz û 80MHz de tê bikar anîn, ku rêzek ji ya testa berevaniya radyasyonê kêmtir e. Dirêjahiya pêlê ya vê benda frekansê çend metre an jî zêdetir e, û dirêjahiya pêlê 150 kHz digihîje nêzî 2 km. Ji ber ku dijwar e ku rasterast zevîyek elektromagnetîk a RF-ê ya bi vê dirêjiyê li ser EUT-ê were sepandin, îşaretek ceribandinê li kabloyek rasterast bi EUT-ê ve girêdayî tê sepandin da ku bandora pêlên frekansa nizm binirxîne. Dirêjahiya pêlên kurt bi giranî bandorê li kabloyên dabînkirina hêzê û nîşanê dike. Ji bo exampLe, heke bandek frekansê bibe sedema dengek ku bandorê li kabloya hêzê û dabînkirina hêzê diketage bêîstîqrar dibe, encamên pîvandina CTSU dibe ku di nav hemî pîneyan de bi dengek bandor bibe. Tabloya 2-4 hûrguliyên testa parastinê ya hatî kirin peyda dike.

Tabloya 2-4 Testa Nerazîbûnê ya Pêkhatî

Range Frequency	Asta Testê	Hêza Qada Testê
150kHz-80MHz	1	1 V rms
	2	3 V rms
	3	10 V rms
	X	Bi taybetî diyar kirin

Di sêwirana dabînkirina hêzê ya AC de ku pergala GND an termînala MCU VSS bi termînala erdê dabînkirina hêzê ya bazirganî ve ne girêdayî ye, dibe ku dengê hilanîn rasterast wekî dengê moda hevpar têkeve panelê, ku dema ku bişkokek dibe sedema deng di encamên pîvana CTSU de. dest xistin.

Xiflteya 2-1 Rêya Têketina Dengê Moda Hevpar nîşan dide û Xiflteya 2-2 Têkiliya Di Navbera Dengê Moda Hevbeş û Hêza Pîvandinê de nîşan dide. Ji perspektîfa panelê ya GND (B-GND), dengê moda hevpar diguhezîne ji ber ku deng li ser erdê GND (E-GND) tê hilanîn. Wekî din, ji ber ku tiliya (laşê mirov) ku bi elektroda destikê (PAD) ve digihîje ji ber kapasîteya xerîdar bi E-GND ve tê girêdan, dengê moda hevpar tê veguheztin û xuya dike ku bi heman rengî wekî E-GND diguhezîne. Ger PAD di vê nuqteyê de were destgirtin, dengê (VNOISE) ku ji hêla dengê moda hevpar ve hatî hilberandin, li ser kapasîteya Cf ya ku ji hêla tilikê û PAD-ê ve hatî çêkirin tê sepandin, û dibe sedem ku heyama barkirinê ya ku ji hêla CTSU ve hatî pîvandin biguhezîne. Guhertinên di heyama barkirinê de wekî nirxên dîjîtal ên bi dengek serpêhatî xuya dibin. Ger dengê moda hevpar pêkhateyên frekansê yên ku bi frekansa nebza ajotinê ya CTSU û ahengên wê re têkildar in vedihewîne, dibe ku encamên pîvandinê pir biguhezin. Tabloya 2-5 navnîşek tedbîrên ku ji bo baştirkirina bergiriya dengê RF-ê hewce dike peyda dike. Pir tedbîrên berevajî ji bo başkirina hem berevaniya radyasyonê û hem jî ji bo berevaniya birêkûpêk hevpar in. Ji kerema xwe li beşa her beşa têkildar a ku ji bo her gava pêşkeftinê hatî navnîş kirin binihêrin.

Tablo 2-5 Lîsteya tedbîrên ku ji bo Pêşveçûnên Parastina Dengê RF hewce ne

Pêngava Pêşveçûnê	Di Dema Sêwiranê de Tedbîrên Pêwîstî	Beşên peywendîdar
Hilbijartina MCU (hilbijartina fonksiyona CTSU)	Bikaranîna MCU-ya ku bi CTSU2 ve girêdayî ye tê pêşniyar kirin dema ku bêrêziya dengî pêşînek e. · Fonksiyonên tedbîrên dijî-dengê CTSU2 çalak bikin: ¾ Pîvana pir-frekansî ¾ Mertalê çalak ¾ Dema ku mertalek çalak bikar tînin, li ser derketina kanala nepîvan bicîh bikin   Or · Fonksiyonên tedbîrên dijî-dengê CTSU çalak bikin: ¾ Fonksiyona guheztina qonaxa rasthatî ¾ Fonksiyona kêmkirina dengê frekansa bilind	3.3.1   Pîvandina Pir-frekansê 3.3.2    Mertalê Çalak 3.3.3    Channel Non-pîvan Hilbijartina derketinê       3.2.1   Fonksiyon Guhertina Qonaxa Random 3.2.2    Dengê frekansa bilind Fonksiyona Kêmkirinê (belavkirin fonksiyona spektrumê)
Sêwirana alavê	· Sêwirana panelê bi karanîna nimûneya elektrodê ya pêşniyarkirî   · Ji bo hilberîna kêm-deng çavkaniyek dabînkirina hêzê bikar bînin · Pêşniyara sêwirana nimûneya GND: di pergalek zevî de ji bo tedbîrek dengek moda hevpar parçeyan bikar bînin       · Bi eyarkirina d-ê asta têketina deng li pina senzorê kêm bikinampnirxa berxwedanê. · Cihê dampberxwedana li ser xeta ragihandinê · Li ser xeta dabînkirina hêzê ya MCU-ê kapacitatorê guncan sêwirînin û bi cîh bikin	4.1.1 Nimûneya Elektrodê Bikin Designs 4.1.2.1  Voltage Design Supply 4.1.2.2  Design Pattern GND 4.3.1 Parzûna Moda Hevpar 4.3.4 Fikrên ji bo GND Dûrahiya mertal û elektrodê     4.2.1  TS Pin Damping Berxwedan 4.2.2  Dengê sînyala dîjîtal 4.3.4 Fikrên ji bo GND Dûrahiya mertal û elektrodê
pêkanîna Software	Parzûna nermalavê eyar bikin da ku bandora deng li ser nirxên pîvandî kêm bike · Rêjeya tevgerê ya IIR (ji bo piraniya rewşên dengek bêserûber bi bandor e) · Navîniya tevgerê ya FIR (ji bo dengê periyodîk diyarkirî)	5.1   Parzûna IIR   5.2  Parzûna FIR

Dengê ESD (derxistina elektrostatîk)

Daxistina elektrostatîk (ESD) dema ku du tiştên barkirî di têkiliyê de bin an li nêzê hev bin çê dibe. Elektrîka statîkî ya ku di laşê mirov de hatî berhev kirin, dikare bi serdankek jî bigihîje elektrodên li ser amûrekê. Li gorî mêjera enerjiya elektrostatîk a ku li elektrodê tê sepandin, dibe ku encamên pîvandina CTSU bandor bibin, ku bibe sedema zirarê li cîhazê bixwe. Ji ber vê yekê, tedbîrên berevajî divê di asta pergalê de bêne destnîşan kirin, wekî amûrên parastinê yên li ser çerxa panelê, dorpêçkirina panelê, û xaniyê parastinê ji bo cîhazê. Standarda IEC 61000-4-2 ji bo ceribandina neparastiya ESD tê bikar anîn. Tabloya 2-6 hûrguliyên testa ESD peyda dike. Serîlêdana armanc û taybetmendiyên hilberê dê asta ceribandina pêwîst diyar bike. Ji bo hûrguliyên bêtir, serî li standarda IEC 61000-4-2 bidin. Dema ku ESD digihîje elektrodê destikê, ew tavilê cûdahiyek potansiyelê çend kV çêdike. Ev dibe sedem ku dengê pêlê di nirxa pîvandinê ya CTSU de çêbibe, rastbûna pîvandinê kêm bike, an jî dibe ku pîvandin ji ber tespîtkirina zêdebûnê rawestîne.tage an zêdebar. Têbînî ku amûrên nîvconductor ne hatine sêwirandin ku li ber sepana rasterast a ESD bisekinin. Ji ber vê yekê, ceribandina ESD divê li ser hilbera qediyayî bi panelê ku ji hêla doza cîhazê ve hatî parastin were kirin. Tedbîrên berevajî yên ku li ser panelê têne destnîşan kirin tedbîrên têkçûyî ne ji bo parastina çerxê di rewşek kêm de ku ESD, ji ber hin sedeman, têkeve panelê.

Table 2-6 Test ESD

Asta Testê	Test Voltage
	Têkilî Derxistina	Daxistina hewayê
1	2 kV	2 kV
2	4 kV	4 kV
3	6 kV	8 kV
4	8 kV	15 kV
X	Bi taybetî diyar kirin	Bi taybetî diyar kirin

Dengê EFT (Derbasbûna Lez a Elektrîkê)
Hilberên elektrîkê diyardeyek bi navê Veguhastina Lezgîn a Elektrîkê (EFT) diafirînin, wek hêzek elektromotîv a paşîn dema ku elektrîk tê veguheztin ji ber veavakirina hundurîn a dabînkirina hêzê an jî dengê dengbêjiyê li ser guhezên relay. Li hawîrdorên ku gelek hilberên elektrîkê bi rengek ve girêdayî ne, wek mînak li ser tîrêjên elektrîkê, dibe ku ev deng di nav xetên dabînkirina hêzê re derbas bibe û bandorê li xebata alavên din bike. Tewra xetên elektrîkê û xetên sînyalê yên hilberên elektrîkê yên ku ne di kabloyek elektrîkê ya hevpar de ne jî dibe ku bi hewayê ve tenê bi bûna nêzî xetên elektrîkê an xetên sînyala çavkaniya deng ve bandor bibin. Standarda IEC 61000-4-4 ji bo ceribandina neparastiya EFT tê bikar anîn. IEC 61000-4-4 bi derzîlêdana sînyalên EFT-ya periyodîk di nav xetên hêz û sînyala EUT-ê de neparêziyê dinirxîne. Dengê EFT di encamên pîvandina CTSU de nebza periyodîk çêdike, ku dibe ku rastbûna encaman kêm bike an jî bibe sedema tespîtkirina pêwendiya derewîn. Tabloya 2-7 hûrguliyên testê yên EFT/B (Berqebûna Bilez a Elektrîkî) dide.

Table 2-7 EFT / B Test

Asta Testê	Test Circuit Open Voltage (lûtke)		Frekansa dubarekirina pulsê (PRF)
	Navê min Xet / Têl erdê	Signal / Xeta Kontrolê
1	0.5 kV	0.25 kV	5kHz an 100kHz
2	1 kV	0.5 kV
3	2 kV	1 kV
4	4 kV	2 kV
X	Bi taybetî diyar kirin		Bi taybetî diyar kirin

CTSU Noise Countermeasure Fonksiyonên

CTSU bi fonksiyonên tedbîrên berbi deng ve têne saz kirin, lê hebûna her fonksiyonê li gorî guhertoya MCU û CTSU ya ku hûn bikar tînin cûda dibe. Berî ku hilberek nû pêşve bixin, her gav guhertoyên MCU û CTSU piştrast bikin. Ev beş di navbera her guhertoya CTSU de cûdahiyên fonksiyonên tedbîrên dengî vedibêje.

Prensîbên Pîvan û Bandora Deng
CTSU ji bo her çerxa pîvandinê gelek caran barkirin û dakêşandinê dubare dike. Encamên pîvandinê yên ji bo her barkirin an herikîna dakêşanê têne berhev kirin û encama pîvana paşîn di qeydê de tê tomar kirin. Di vê rêbazê de, hejmara pîvandinan di yekîneya demê de dikare bi zêdekirina frekansa nebza ajotinê were zêdekirin, bi vî rengî rêza dînamîk (DR) baştir bike û pîvandinên CTSU yên pir hesas pêk bîne. Ji hêla din ve, dengê derveyî dibe sedema guhertinên di barkêş an barkêşê de. Li hawîrdorek ku dengê periyodîk çêdibe, encama pîvandinê ya ku di Tomara Hêjmarê Sensorê de hatî hilanîn ji ber zêdebûn an kêmbûna mîqdara herikê di yek alî de tê veqetandin. Bandorên bi vî rengî yên têkildarî deng di dawiyê de rastbûna pîvandinê kêm dike. Xiflteya 3-1 wêneyek xeletiya barkirinê ya ji ber dengê periyodîk nîşan dide. Frekansên ku wekî dengê perîyodîk têne xuyang kirin ew in ku bi frekansa nebza ajokera sensor û dengê wê yê ahengdar re hevaheng dikin. Çewtiyên pîvandinê dema ku bilindbûn an daketina kenarê dengê perîyodîk bi serdema SW1 ON re hevdeng dibe mezintir in. CTSU wekî parastina li dijî vê dengê periyodîk bi fonksiyonên berevajîkirina deng-asta hardware ve hatî stendine.

CTSU1
CTSU1 bi fonksiyonek guheztina qonaxê ya rasthatî û fonksiyonek kêmkirina dengî ya bi frekansa bilind (fonksîyona spektrêya berbelav) ve tê stend. Bandora li ser nirxa pîvandî dikare were kêm kirin dema ku ahengên bingehîn ên frekansa nebza ajotinê ya sensor û frekansa dengî li hev bikin. Nirxa mîhengê ya herî zêde ya frekansa nebza ajokera sensor 4.0 MHz e.

Fonksiyon Guhertina Qonaxa Random
Wêneya 3-2 wêneyek desenkronîzekirina dengan bi karanîna fonksiyona guheztina qonaxê ya rasthatî nîşan dide. Bi guheztina qonaxa pêla ajokera senzorê bi 180 pileyan di dema rasthatinî de, zêdebûn/kêmbûna yekalî ya ji ber dengê periyodîk dikare bi rasthatinî û sivikbûnê were kirin da ku rastbûna pîvandinê baştir bike. Ev fonksiyon her gav di modula CTSU û modula TOUCH de çalak e.

Fonksiyona Kêmkirina Dengê-frekansa Bilind (fonksîyona spektrêya belavbûyî)
Fonksiyona kêmkirina dengî ya bi frekansa bilind frekansa nebza ajokera senzorê bi qismeta bi mebesta zêdekirî dipîve. Dûv re ew xala hevdemkirinê bi dengê hevdem re rasthatî dike da ku lûtkeya xeletiya pîvandinê belav bike û rastbûna pîvandinê baştir bike. Ev fonksiyon her gav di hilberîna modulê ya CTSU û modula TOUCH de ji hêla hilberîna kodê ve tê çalak kirin.

CTSU2

Pîvandina Pir-frekansê
Pîvana pir-frekansî gelek frekansên pêlêdana ajokera sensor bi frekansên cihêreng bikar tîne. Spektruma belavbûyî nayê bikar anîn da ku di her frekansa nebza ajotinê de ji destwerdanê dûr bixe. Vê fonksiyonê li hember dengê RF-ya guheztin û tîrêjkirî berevaniyê baştir dike ji ber ku ew li hember dengê hevdemî yê li ser frekansa pêlêdana ajokera senzorê, û her weha dengê ku bi navgîniya şêwaza elektroda pêçînê ve hatî destnîşan kirin bi bandor e. Xiflteya 3-3 wêneyek nîşan dide ka nirxên pîvandî çawa di pîvandina pir-frekansî de têne hilbijartin, û jimar 3-4 wêneyek veqetandina frekansên deng di heman rêbaza pîvandinê de nîşan dide. Pîvandina pir-frekansî encamên pîvandinê yên ku ji dengê dengê ji koma pîvandinên ku li gelek frekansan hatine girtin ji holê radike da ku rastbûna pîvandinê baştir bike.

Di projeyên serîlêdanê de ku modulên bernameya navîn a ajokerê CTSU û TOUCH-ê vedihewînin (binihêrin belgeya FSP, FIT, an SIS), dema ku qonaxa tunekirinê ya "QE for Capacitive Touch" tê darve kirin, pîvanên pîvana pir-frekansî bixweber têne çêkirin, û pir- pîvana frekansê dikare were bikar anîn. Bi çalakkirina mîhengên pêşkeftî yên di qonaxa birêkûpêk de, hingê parametre dikarin bi destan werin danîn. Ji bo hûrguliyên di derbarê mîhengên pîvandina pir-saetê de moda pêşkeftî de, serî li ser bidin Rêbernameya Parametreya Moda Pêşkeftî ya Capacitive Touch (R30AN0428EJ0100). Xiflteya 3-5 nîşan dideample of Frequency Interference li ser Pîvandina Pir-frequency. Ev exampLe frekansa desttêwerdanê nîşan dide ku dema ku frekansa pîvandinê li 1MHz were danîn û dema ku elektroda destanê tê dest kirin dengê guheztina moda hevpar li ser panelê tê sepandin. Grafîk (a) mîhengê tavilê piştî birêkûpêkkirina otomatîkî nîşan dide; frekansa pîvandinê ji bo frekansa 12.5yemîn %2 û ji bo frekansa 12.5yemîn -3% li ser bingeha frekansa 1mîn a 1MHz tê danîn. Grafîk piştrast dike ku her frekansa pîvandinê bi dengan re asteng dike. Grafîka (b) nîşan dideample ku tê de frekansa pîvandinê bi destan tê guheztin; Frekansa pîvandinê ji bo frekansa 20.3yemîn -2% û ji bo frekansa 9.4yemîn +3% li ser bingeha frekansa 1-ê ya 1MHz tête danîn. Ger dengek frekansa taybetî di encamên pîvandinê de xuya bibe û frekansa deng bi frekansa pîvandinê re li hev bike, pê ewle bine ku hûn dema ku hawîrdora rastîn dinirxînin pîvana pir-frekansê eyar bikin da ku ji destwerdana di navbera frekansa deng û frekansa pîvandinê de dûr nekevin.

Mertalê Çalak
Di rêbaza xwe-kapasîteya CTSU2 de, mertalek çalak dikare were bikar anîn da ku şêwaza mertalê di heman qonaxa pêlê de wekî nebza ajotina sensorê bimeşîne. Ji bo çalakkirina mertalê çalak, di veavakirina navberê ya QE ya Capacitive Touch de, pîneya ku bi şêwaza mertalê çalak ve girêdide wekî "pina mertalê" bicîh bikin. Mertalê çalak dikare ji bo veavakirina pêwendiya Têkilî (rêbaz) li yek pînê were danîn. Ji bo ravekirina operasyona Active Shield, serî li "Rêbernameya Bikarhêner Touch Capacitive ji bo MCU-yên Sensorê Kapacitive (R30AN0424)". Ji bo agahdariya sêwirana PCB, serî li "Rêbernameya Sêwirana Elektroda Têkilî ya Capacitive CTSU (R30AN0389)".

Hilbijartina Derketina Kanala Ne-pîvan
Di rêbaza xwe-kapasîteya CTSU2 de, derketina pêlê di heman qonaxê de wekî pêla ajokera sensor dikare wekî derketina kanala nepîvan were danîn. Di QE-ya ji bo veavakirina pêwendiya Têkilî ya Capacitive (rêbaz) de, kanalên nepîvan (elektrodên pêçandinê) ji bo rêbazên ku bi mertalê çalak ve têne destnîşan kirin bixweber li heman derana qonaxa pêlê têne danîn.

Hardware Noise Counterted

Tîpîk Noise Counterted

Sêwiranên Patterna Elektrodê Bikin
Qada elektroda destikê ji dengbêjiyê re pir maqûl e, hewce dike ku di sêwirana hardware de bergiriya dengî were hesibandin.tage. Ji bo qaîdeyên sêwirana panelê yên hûrgulî yên ku bergiriya dengbêjiyê mijûl dikin, ji kerema xwe serî li guhertoya herî dawî ya paşîn bidin Rêbernameya Sêwirana Elektroda Têkilî ya Capacitive CTSU (R30AN0389). Xiflteya 4-1 ji Rêbertî veqetandek pêşkêşî dike ku serdanek nîşan dideview sêwirana şêwaza rêbaza xweseriya xwe-kapasîteyê, û Figure 4-2 heman tiştî ji bo sêwirana şêwaza rêbaza kapasîteya hevdu nîşan dide.

1. Şêweya elektrodê: çargoşe an çember
2. Mezinahiya elektrodê: 10mm heta 15mm
3. Nêzîkbûna elektrodê: Elektrod divê li ser bêne danîn ampji dûr ve da ku ew bi hevdemî reaksiyonek li ser pêwendiya mirovî ya armanc nekin, (di vê belgeyê de wekî "tilî" tê binav kirin); navbera pêşniyarkirî: mezinahiya bişkojka x 0.8 an jî zêdetir
4. Firehiya têl: bi qasî. 0.15mm ber 0.20mm ji bo panelê çapkirî
5. Dirêjahiya têl: Têlê bi qasî ku pêkan kurt bike. Li ser goşeyan, goşeyek 45-pileyî ava bikin, ne goşeyek rast.
6. Cûrahiya têlhevkirinê: (A) Cûda bi qasî ku pêkan be fireh bike da ku pêşî li tespîtkirina derewîn ji hêla elektrodên cîran ve bigire. (B) 1.27mm piyan
7. Firehiya modela GND-ê ya xaçkirî: 5 mm
8. Nimûneya GND-ê ya xaçkirî û cîhê bişkojk/têl (A) li dora elektrodê: 5 mm (B) qada li dora têlkirinê: 3 mm an jî zêdetir li ser qada elektrodê û her weha têl û rûbera berevajî bi qalibek xaçkirî. Di heman demê de, di cîhên vala de qalibek xaçkirî bi cîh bikin, û 2 rûberên qalibên xaçêkirî bi rêgezê ve girêdin. Li beşa "2.5 Sêwiranên Şêweya Plansaziya Dij-Dengê" ji bo pîvanên qalibên xaçkirî, mertalê çalak (tenê CTSU2), û tedbîrên din ên dijî-dengê binihêrin.
9. Elektrod + kapasîteya têlkirinê: 50pF an kêmtir
10. Elektrod + berxwedana têl: 2K0 an kêmtir (di nav de dampberxwedanek bi nirxa referansa 5600)

Figure 4-1 Pêşniyarên Sêwirana Nimûneyê Ji bo Rêbaza Xwe-kapasîteyê (veqetandin)

1. Şêweya elektrodê: çargoşe (elektroda veguhezkara hevgirtî TX û elektroda wergir RX)
2. Mezinahiya elektrodê: 10 mm an mezintir Nêzîkbûna elektrodê: Elektrod divê li ampji dûr ve da ku ew bi hevdemî reaksiyonek li ser tiştê destikê (tilî, hwd.) nekin, (navbera pêşniyarkirî: mezinahiya bişkojkê x 0.8 an zêdetir)
   • Firehiya têl: Têlê herî zirav ku bi hilberîna girseyî ve tê bikar anîn; approx. 0.15mm ber 0.20mm ji bo panelê çapkirî
3. Dirêjahiya têl: Têlê bi qasî ku pêkan kurt bike. Li ser goşeyan, goşeyek 45-pileyî ava bikin, ne goşeyek rast.
4. Cihê têlhevkirinê:
   • Ji bo ku pêşî li vedîtina derewîn ji hêla elektrodên cîran ve were girtin, cîh bi qasî ku gengaz be berfireh bikin.
   • Dema ku elektrod têne veqetandin: pişkek 1.27 mm
   • 20 mm an zêdetir ji bo pêşîgirtina li hilberîna kapasîteya hevberdanê di navbera Tx û Rx de.
5. Nêzîkbûna qalibê GND-ê ya xaçkirî (parastina mertalê) Ji ber ku kapasîteya parazît a pînê ya di şêwaza bişkojka pêşniyarkirî de bi berawirdî piçûk e, kapasîteya parazît her ku pîne nêzî GND dibin zêde dibe.
   • A: 4mm an zêdetir li dora elektrodê Em jî nêzîkê pêşniyar dikin. Nimûneya balafirê ya GND-ê ya 2-mm fireh di navbera elektrodê de.
   • B: 1.27mm an jî zêdetir li dora wiring
6. Tx, Rx kapasîteya parazît: 20pF an kêmtir
7. Elektrod + berxwedana têl: 2kQ an kêmtir (di nav de dampberxwedanek bi nirxa referansa 5600)
8. Nimûneya GND-ê rasterast di bin elektrod an têlan de nehêlin. Fonksiyona mertalê çalak ji bo rêbaza kapasîteya hevdu nayê bikar anîn.

Figure 4-2 Pêşniyarên Sêwirana Nimûneyê Ji bo Rêbaza Kapasîteya Hevbeş (bervek)

Design Supply Power
CTSU modulek periferîkî ya analog e ku îşaretên elektrîkê hûrdem digire. Dema ku deng di voltagE ku ji şêwaza MCU an GND re tê peyda kirin, ew dibe sedema guheztina potansiyel a pêla ajokera sensor û rastbûna pîvandinê kêm dike. Em bi tundî pêşniyar dikin ku amûrek tedbîra dengî li xeta dabînkirina hêzê an qonaxek dabînkirina elektrîkê ya serhêl zêde bikin da ku bi ewlehî hêzê bide MCU.

Voltage Design Supply
Pêdivî ye ku gava sêwirana dabînkirina hêzê ya ji bo pergalê an cîhaza serhêl tevbigerin da ku pêşî li ketina deng bi riya pina dabînkirina hêzê ya MCU bigire. Pêşniyarên jêrîn ên girêdayî sêwiranê dikarin bibin alîkar ku pêşî li têketina deng bigire.

• Kabloya dabînkirina hêzê ya pergalê û têlên hundurîn bi qasî ku gengaz be kurt bihêlin da ku impedansê kêm bikin.
• Parzûnek dengdanê (navika ferrît, bejna ferît, hwd.) bi cîh bikin û têxin nav xwe da ku dengê frekansa bilind asteng bikin.
• Rippleya li ser dabînkirina hêza MCU kêm bikin. Em pêşniyar dikin ku li ser voltaya MCU-ê rêgezek rêzik bikar bînintage pêşkêşkirin. Rêvekerek xêzek bi hilbera kêm-deng û taybetmendiyên PSRR-ya bilind hilbijêrin.
• Dema ku li ser panelê çend cîhazên bi barkêşiya niha ya bilind hebin, em pêşniyar dikin ku ji bo MCU-ê dabînkerek hêzê ya cihê têxin. Ger ev ne mumkin be, di koka dabînkirina hêzê de şeklê ji hev veqetînin.
• Dema ku amûrek bi mezaxtina niha ya zêde li ser pina MCU-ê dimeşîne, transîstor an FET bikar bînin.

Xiflteya 4-3 ji bo xeta dabînkirina hêzê çend layoutan nîşan dide. Vo volka dabînkirina hêzê yetage, ew guheztina heyama vexwarinê ya ku ji operasyonên IC2 pêk tê ye, û Z impedansa xeta dabînkirina hêzê ye. Vn cild etage ji hêla xeta dabînkirina hêzê ve hatî çêkirin û dikare wekî Vn = in×Z were hesibandin. Nimûneya GND dikare bi heman rengî were hesibandin. Ji bo hûrguliyên bêtir li ser şêwaza GND, serî li 4.1.2.2 Sêwirana Patterna GND bidin. Di veavakirinê de (a), xeta dabînkirina hêzê ya MCU dirêj e, û xetên dabînkirina IC2 li nêzê dabînkirina elektrîkê ya MCU şax dibe. Ev veavakirin wekî cildê MCU nayê pêşniyar kirintagDema ku IC2 di operasyonê de ye, dabînker ji dengê Vn re hesas e. (b) û (c) diagramên çerxa (b) û (c) wekî (a) ne, lê sêwiranên şablonê ji hev cuda ne. (b) xeta dabînkirina hêzê ji koka dabînkirina elektrîkê qut dike, û bandora dengê Vn bi kêmkirina Z di navbera dabînkirina hêzê û MCU de kêm dibe. (c) di heman demê de bandora Vn-ê bi zêdekirina rûber û firehiya xeta xeta dabînkirina hêzê kêm dike da ku Z kêm bike.

Design Pattern GND
Bi sêwirana nimûneyê ve girêdayî, dibe ku deng bibe sedema GND, ku volta referansê yetage ji bo MCU û cîhazên serhêl, ku di potansiyelê de diguhere, rastbûna pîvana CTSU kêm dike. Pêşniyarên jêrîn ji bo sêwirana nimûneya GND-ê dê alîkariya tepisandina guheztina potansiyel bikin.

• Cihên vala bi qalibek GND-ya zexm bi qasî ku pêkan veşêrin da ku impedance li ser rûberek mezin kêm bikin.
• Pîvanek panelê bikar bînin ku rê nade deng ji ketina MCU-ê bi riya xeta GND-ê re bi zêdekirina dûrahiya di navbera MCU û cîhazên bi barkêşiya heyî ya bilind de û veqetandina MCU ji şêwaza GND.

Xiflteya 4-4 ji bo xeta GND gelek layoutan nîşan dide. Di vê rewşê de, ew guheztina niha ya vexwarinê ye ku ji operasyonên IC2 pêk tê, û Z impedansiya xeta dabînkirina hêzê ye. Vn cild etage ji hêla xeta GND ve hatî çêkirin û dikare wekî Vn = in×Z were hesibandin. Di veavakirinê de (a), xeta GND ya ji MCU re dirêj e û bi xeta IC2 GND re li nêzî pina GND ya MCU-yê tê yek kirin. Ev veavakirin nayê pêşniyar kirin ji ber ku potansiyela GND ya MCU dema ku IC2 di xebatê de ye ji dengê Vn re têkildar e. Di veavakirinê de (b) xêzên GND li koka pêla dabînkirina hêzê ya GND dikevin hev. Bandorên deng ji Vn dikare bi veqetandina xetên GND yên MCU û IC2 were kêm kirin da ku cîhê di navbera MCU û Z de kêm bike. Her çend diyagramên çerxa (c) û (a) yek bin jî, sêwiranên şablonê cûda dibin. Veavakirin (c) bi zêdekirina rûber û firehiya xeta xeta GND ve bandora Vn kêm dike da ku Z kêm bike.

GND-ya kondensatorê TSCAP-ê bi şêwaza hişk a GND-ê ya ku bi termînala VSS-ê ya MCU ve girêdayî ye ve girêdin da ku ew xwediyê heman potansiyela termînala VSS-ê be. GND-ya kondensatorê TSCAP-ê ji GND-ya MCU-yê veqetînin. Ger impedansê di navbera GND-ya kondensatorê TSCAP û GND-ya MCU-yê de zêde be, performansa redkirina dengê-frekansa bilind a kondensatorê TSCAP-ê dê kêm bibe, û ew ji dengê dabînkirina hêzê û dengê derveyî re mesultir dibe.

Pêvajoya Pînên Nekaranîn
Di rewşek impedansek bilind de hiştina pinên nekaranîn amûrê ji bandorên dengê derve re guncan dike. Piştrast bikin ku hûn hemî pînên nehatine bikar anîn piştî ku serî li manuala hardware ya têkildar a MCU Faily ya her pinê bidin. Ger ji ber nebûna qada lêdanê nikaribe berxwedanek hilkêşanê were bicîh kirin, mîhenga derketina pinê li ser hilbera kêm rast bikin.

Radyated RF Noise Counterted

TS Pin DampBerxwedana Serdemê
The dampberxwedêra ku bi pînê TS ve girêdayî ye û pêkhateya kapasîteya parazît a elektrodê wekî parzûnek nizm derbas dibe. Zêdekirina dampberxwedêr frekansa qutkirinê kêm dike, bi vî rengî asta dengê tîrêjê ya ku di pîneya TS de diherike kêm dike. Lêbelê, dema ku barkirina pîvana kapasîteyê an heyama heyama dakêşanê dirêj dibe, pêdivî ye ku frekansa nebza ajokera senzorê were kêm kirin, ku di heman demê de rastbûna tespîtkirina destikê jî kêm dike. Ji bo agahdariya di derbarê hestiyariyê de dema ku d diguherinampdi rêbaza xwe-kapasîteyê de berxwedêra xwe binihêrin, li "5. Şêweyên Bişkojka Rêbaza Xwe-kapasîteyê û Daneyên Taybetmendiyê” di nav de Rêbernameya Sêwirana Elektroda Têkilî ya Capacitive CTSU (R30AN0389)

Dengê sînyala dîjîtal
Têlên sînyala dîjîtal a ku pêwendiyê digire, wek SPI û I2C, û îşaretên PWM-ê ji bo derketina LED û bihîstwerê çavkaniyek dengek tîrêjê ye ku bandorê li çerxa elektrodê pê dike. Dema ku îşaretên dîjîtal bikar tînin, di dema sêwiranê de pêşniyarên jêrîn bifikirintage.

• Dema ku têl quncikên rastgir (90 pileyî) vedihewîne, dê radyasyona deng ji xalên herî tûj zêde bibe. Piştrast bikin ku quncikên têlan 45 pileyî an kêmtir in, an zirav in, da ku radyasyona deng kêm bikin.
• Dema ku asta sînyala dîjîtal diguhezîne, zêdebûn an kêmbûn wekî dengek frekansa bilind radibe. Wekî tedbîrek, reklamê têxinampli ser xeta sînyala dîjîtal berxwedêrek vedigire da ku zêdebûn an jî kêmbûnê bitepisîne. Rêbazek din ev e ku meriv bişkek ferrîte li ser xetê têxe.
• Xetên ji bo sînyalên dîjîtal û çerxa elektrodê pêçandinê damezrînin da ku ew bi hev nekevin. Ger veavakirinê hewce dike ku xet bi hev re bimeşin, bi qasî ku gengaz be di navbera wan de dûr bisekinin û mertalek GND-ê li ser xeta dîjîtal têxin.
• Dema ku amûrek bi mezaxtina niha ya zêde li ser pina MCU-ê dimeşîne, transîstor an FET bikar bînin.

Pîvandina Pir-frekansê
Dema ku MCU-ya ku bi CTSU2 ve girêdayî ye bikar bînin, pê ewle bine ku pîvana pir-frekansî bikar bînin. Ji bo hûragahiyan, li 3.3.1 Pîvana Pir-frekansî binêre.

Tevdîrên li hemberî dengan pêk anîn
Di sêwirana dabînkirina hêzê ya pergalê de ji sêwirana panela MCU-ê girîngtir nihêrandina bêrêziya dengî ya hatî çêkirin girîngtir e. Ji bo destpêkê, dabînkirina hêzê ji bo peydakirina voltage bi deng kêm ji bo cîhazên li ser forumê siwarî. Ji bo hûrguliyên li ser mîhengên dabînkirina hêzê, serî li 4.1.2 Sêwirana Dabînkirina Hêzê bidin. Ev beş tedbîrên berevajî dengî yên têkildarî dabînkirina hêzê û her weha fonksiyonên CTSU-ê yên ku dema sêwirana panela xweya MCU-yê dihesibînin ji bo baştirkirina berevaniya dengî ya hatî çêkirin rave dike.

Parzûna Moda Hevpar
Parzûnek moda hevpar (çokek moda hevpar, navika ferrîtê) bi cîh bikin an siwar bikin da ku dengê ku ji kabloya elektrîkê dikeve hundurê panelê kêm bike. Frekansa destwerdanê ya pergalê bi ceribandinek deng vekolînin û amûrek bi impedansek bilind hilbijêrin da ku bandê dengê armanckirî kêm bikin. Tiştên têkildar binihêrin ji ber ku pozîsyona sazkirinê li gorî celebê parzûnê cûda dibe. Bala xwe bidinê ku her celeb parzûn bi rengek cûda li ser panelê tê danîn; ji bo hûragahiyan li ravekirina têkildar binihêrin. Her gav nexşeya fîlterê bihesibînin da ku ji dengê tîrêjê di hundurê panelê de dûr nekevin. Xiflteya 4-5 Plansaziya Parzûnê ya Moda Hevpar nîşan dide Example.

Çok Modeya Hevbeş
Kûçika moda hevpar wekî tedbîrek dengî ya ku li ser panelê tête bicîh kirin, tête bikar anîn, ku pêdivî ye ku ew di qonaxa sêwirana panelê û pergalê de were bicîh kirin. Dema ku şokek moda hevpar bikar tînin, pê ewle bin ku tavilê piştî xala ku dabînkirina hêzê bi panelê ve girêdayî ye têlkirina herî kurt a gengaz bikar bînin. Ji bo exampLe, dema ku kabloya hêzê û panelê bi girêdanekê ve girêdidin, fîlterek tavilê piştî girêdanê li kêleka panelê bi cîh bikin dê pêşî li belavbûna dengê ku bi riya kabloyê dikeve li seranserê panelê bigire.

Ferrite Core
Navika ferrîtê ji bo kêmkirina dengê ku bi kabloyê ve tê bikar anîn tê bikar anîn. Dema ku deng piştî kombûna pergalê dibe pirsgirêk, danasîna klamp-cûreya ferrîtê destûrê dide te ku hûn deng kêm bikin bêyî ku panel an sêwirana pergalê biguhezînin. Ji bo example, dema ku kablo û panelê bi girêdanekê ve girêdide, danîna parzûnek tenê li ber girêdanê li kêleka panelê dê dengê ku dikeve hundurê panelê kêm bike.

Layout Capacitor
Bi sêwirandin û danîna kondensatorên veqetandî û kondensatorên mezin li nêzê xeta elektrîkê an termînalan MCU, dengê dabînkirina hêzê û dengê ripple ku dikeve panelê ji kabloyên dabînkirina hêzê û sînyalê kêm bikin.

Kapacitorê veqetandinê
Kapasîtorek veqetandî dikare vol kêm biketagDi navbera pina dabînkirina hêzê ya VCC an VDD û VSS-ê de ji ber xerckirina heyî ya MCU-ê dadikeve, pîvandinên CTSU stabîl dike. Kapasîteya pêşniyarkirî ya ku di Destûra Bikarhêner a MCU de hatî destnîşan kirin bikar bînin, kondensatorê li nêzî pîneya dabînkirina hêzê û pina VSS-ê bi cîh bikin. Vebijarkek din ev e ku meriv bi şopandina rêbernameya sêwirana hardware ya ji bo malbata MCU-ya armanc, heke hebe, nexşeyê dîzayn bike.

Capacitor Bulk
Kapasîtorên girseyî dê di volga MCU de rijandinên xweş bikintage çavkaniya peydakirina, stabîlkirina voltage di navbera pîneya hêza MCU û VSS de, û bi vî rengî pîvandinên CTSU stabîl dike. Dê kapasîteya kapasîteyên li gorî sêwirana dabînkirina hêzê diguhere; Piştrast bikin ku hûn nirxek guncan bikar tînin da ku ji hilberîna oscilasyonê an voltage drop.

Pîvandina Pir-frekansê
Pîvana pir-frekansî, fonksiyonek CTSU2, di baştirkirina bêrêziya dengî ya domdar de bandorker e. Ger di pêşkeftina we de bêrêziya dengî ya hatî çêkirin fikar e, MCU-ya ku bi CTSU2 ve hatî peyda kirin hilbijêrin da ku fonksiyona pîvandina pir-frekansê bikar bînin. Ji bo hûrguliyan, serî li 3.3.1 Pîvandina Pir-frekansê bidin.

Fikrên ji bo GND Shield û Dûrahiya Elektrodê
Xiflteya 1 wêneyek tepisandina deng bi karanîna riya lêzêdekirina dengê guheztinê ya mertalê elektrodê nîşan dide. Danîna mertalek GND li dora elektrodê û gihandina mertalê li dora elektrodê nêzikî elektrodê dike hevgirtina kapasîteyê ya di navbera til û mertalê de xurt dike. Parçeya deng (VNOISE) berbi B-GND-ê direve, guheztinên di dema pîvana CTSU de kêm dike. Bala xwe bidinê ku mertal her ku nêzikî elektrodê be, CP-yê mezintir dibe, di encamê de hestiyariya pêwendiyê kêm dibe. Piştî guheztina dûrahiya di navbera mertal û elektrodê de, di beşa 5-an de hestiyariyê piştrast bikin. Rêbaza Xwe-kapasîteyê Nimûneyên Bişkoj û Taybetmendiyên Daneyên Rêbernameya Sêwirana Elektroda Têkilî ya Capacitive CTSU (R30AN0389).

Parzûnên Software

Vedîtina destikê encamên pîvana kapasîteyê bikar tîne da ku diyar bike ka senzorek hatiye destgirtin an na (ON an OFF) hem bi karanîna ajokera CTSU û nermalava modula TOUCH re. Modula CTSU li ser encamên pîvandina kapasîteyê kêmkirina dengan pêk tîne û daneyê digihîne modula TOUCH-a ku destikê destnîşan dike. Ajokarê CTSU wekî parzûna standard fîltera navînî ya tevgerê ya IIR vedigire. Di pir rewşan de, parzûna standard dikare SNR û bersivek têr peyda bike. Lêbelê, pêvajoyek kêmkirina dengek bihêztir dibe ku li gorî pergala bikarhêner ve girêdayî be. Xiflteya 5-1 Herikîna Daneyê Bi Têgihîştina Têkilî nîşan dide. Parzûnên bikarhêner dikarin di navbera ajokera CTSU û modula TOUCH de ji bo hilberandina dengan werin danîn. Ji bo rêwerzên hûrgulî li ser meriv çawa parzûnan di projeyekê de vedihewîne, serî li têbînîya serîlêdanê ya li jêr bidin file û her weha fîlterek nermalavê sample kod û bikaranîna example proje file. Parzûna Nermalava Têkilî ya Capacitive RA Malbata SampBername (R30AN0427)

Ev beş ji bo her standardek EMC fîlterên bi bandor destnîşan dike.

Table 5-1 EMC Standard û Parzûnên Nermalava Têkildar

EMC Standard	Dengê Hêvî	Parzûna nermalava têkildar
IEC61000-4-3	Dengê Random	Parzûna IIR
Xweseriya radyasyonê,
IEC61000-4-6	Dengê periyodîk	Parzûna FIR
Parastina parastinê pêk anîn

Parzûna IIR
Parzûna IIR ( Parzûna Bersiva Impulse ya Bêdawî) kêmtir bîranînê hewce dike û xwedan bargiraniyek piçûk a hesabkirinê ye, ku ew ji bo pergalên kêm-hêza û serîlêdanên bi gelek bişkokan re îdeal dike. Bikaranîna vê wekî parzûnek nizm-derbasbûnê dibe alîkar ku dengê frekansa bilind kêm bike. Lêbelê, pêdivî ye ku baldar were girtin ji ber ku her ku frekansa qutkirinê kêmtir be, ew qas demdirêj dirêj dibe, ku dê pêvajoya darizandina ON / OFF dereng bike. Parzûna IIR-ya rêza yekem a yek-polê bi karanîna formula jêrîn tê hesibandin, ku a û b hevserok in, xn nirxa têketinê ye, yn nirxa derketinê ye, û yn-1 nirxa derketinê ya yekser berê ye.

Dema ku parzûna IIR wekî parzûnek kêm-derbas tê bikar anîn, hevberên a û b dikarin bi formula jêrîn werin hesibandin, ku sampFrekansa ling fs e û frekansa qutkirinê fc ye.

Parzûna FIR
Parzûna FIR (Finite Impulse Response Parzûn) parzûnek pir bi îstîqrar e ku ji ber xeletiyên hesabkirinê xirabûna rastbûna hindiktirîn çêdibe. Li ser hevberê ve girêdayî, ew dikare wekî parzûnek kêm-pass an parzûnek band-pass were bikar anîn, hem dengê periyodîk û hem jî dengê bêserûber kêm dike, bi vî rengî SNR çêtir dike. Lêbelê, ji ber ku sampl ji heyamek berê ya diyarkirî têne hilanîn û hesibandin, karanîna bîranîn û barkirina hesabkirinê dê li gorî dirêjahiya tapa parzûnê zêde bibe. Parzûna FIR bi formula jêrîn tê hesibandin, ku L û h0 heta hL-1 hevber in, xn nirxa têketinê ye, xn-I nirxa têketinê ya berê ya s ye.ample i, û yn nirxa derketinê ye.

Bikaranîna Examples
Ev beş examples rakirina deng bi bikaranîna Parzûnên IIR û FIR. Tabloya 5-2 şert û mercên parzûnê nîşan dide û jimar 5-2 mînakek nîşan dideample ji rakirina dengê random.

Tabloya 5-2 Bikaranîna Parzûnê Mînakamples

Forma Parzûnê	Şert 1	Şert 2	Remarks
Single-pole rêza yekem IIR	b=0.5	b=0.75
FIR	L=4 h0~ hL-1=0.25	L=8 h0~ hL-1=0.125	Navînek tevgerê ya hêsan bikar bînin

Têbînîyên Bikaranînê Di derbarê Çerxa Pîvînê de
Taybetmendiyên frekansê yên fîlterên nermalavê li gorî rastbûna çerxa pîvandinê diguhezin. Wekî din, hûn dikarin taybetmendiyên fîlterê yên hêvîdar ji ber veqetandin an guheztinên çerxa pîvandinê bi dest nexin. Ji bo ku balê bikişîne ser taybetmendiyên fîlterê, oscilatorek li ser-çîpê ya bilez (HOCO) an oscilatorek krîstal a derveyî wekî demjimêra bingehîn bikar bînin. Di heman demê de em pêşniyar dikin ku çerxên darvekirina pîvandina destikê bi demjimêrkek hardware ve were rêvebirin.

Ferheng

Demajo	Binavî
CTSU	Yekîneya Sensing Touch Capacitive. Di CTSU1 û CTSU2 de jî tê bikar anîn.
CTSU1	Nifşa duyemîn CTSU IP. "1" tê zêdekirin ku ji CTSU2 cuda bike.
CTSU2	CTSU IP-a nifşa sêyemîn.
ajokerê CTSU	Nermalava ajokerê CTSU ku di pakêtên Nermalava Renesas de hatî berhev kirin.
Modula CTSU	Yekîneyek nermalava ajokerê CTSU ku dikare bi karanîna Vesazkera Smart ve were vehewandin.
TOUCH middleware	Dema ku CTSU-ya ku di pakêtên nermalava Renesas-ê de hatî berhev kirin bikar tîne bernameya navîn ji bo pêvajoyek vedîtina destikê.
Modula TOUCH	Yekîneyek navgîniya TOUCH-ê ku dikare bi karanîna Vesazkera Smart ve were vehewandin.
module r_ctsu	Ajokera CTSU di Vesazkera Smart de tê xuyang kirin.
module rm_touch	Modula TOUCH di Vesazkera Smart de tê xuyang kirin
CCO	Oscillator Control Current. Oscillator-kontrolkirî ya niha di senzorên desta kapasîteyê de tê bikar anîn. Di hin belgeyan de wekî ICO jî tê nivîsandin.
ICO	Eynî wekî CCO.
TSCAP	Kapasîtorek ji bo aramkirina volta navxweyî ya CTSUtage.
Damping resistor	Berxwedêrek ji bo kêmkirina zirara pin an bandorên ji ber dengê derve tê bikar anîn. Ji bo hûragahiyan, serî li Rêbernameya sêwirana elektrodê Têkilî ya Capacitive (R30AN0389) bidin.
VDC	Voltage Down Converter. Qada dabînkirina hêzê ji bo pîvandina senzora kapasîtîf ​​a ku di CTSU de hatî çêkirin.
Pîvana pir-frekansî	Fonksiyonek ku demjimêrên yekîneya senzorê yên pirjimar bi frekansên cihêreng ji bo pîvandina destikê bikar tîne; fonksiyona pîvandina pir-saetê destnîşan dike.
Nebza ajotinê ya Sensor	Nîşana ku kondensatorê guhartî dimeşîne.
Dengê hevdem	Deng li frekansa ku bi pêla ajokera senzorê re têkildar e.
EUT	Amûrên Di bin Testê de. Amûra ku were ceribandin destnîşan dike.
LDO	Rêbaza Dropout Kêm
PSRR	Rêjeya Redkirina Hêzê
FSP	Pakêta Nermalava Flexible
BIHORÎN	Teknolojiya Yekbûna Firmware.
SIS	System Integration Software

Dîroka Revision

Rev.	Rojek	Terîf
		Rûpel	Berhevkirinî
1.00	31 Gulan 2023	–	Guhertoya destpêkê
2.00	25 Kanûn 2023	–	Ji bo IEC61000-4-6
		6	Bandora dengê moda hevpar li 2.2 zêde kir
		7	Tiştên li Tabloya 2-5 zêde kirin
		9	Nivîsa revîzekirî di 3.1-ê de, jimar 3-1 hatî rastkirin
			Nivîsa revîzekirî di 3-2 de
		10	Di 3.3.1-ê de, nivîs revîze kir û jimar 3-4 lê zêde kir. Ravekirina jêbirina çawaniya guheztina mîhengan ji bo pîvandinên pir-frekansî û ravekirina zêdekirî ya frekansa destwerdana pîvana pir-frequansê Wêne 3-5e3-5.
		11	Belgeyên referansê li 3.2.2 zêde kirin
		14	Têbînî li ser girêdana GND ya kapasîtorê TSCAP-ê zêde kir 4.1.2.2
		15	Têbînî li ser sêwirana goşeya têlan li 4.2.2 zêde kir
		16	Zêdekirin 4.3 Tevdîrên li dijî Dengê Birêvebir
		18	Beşa 5-ê nûvekirî.

Tedbîrên Giştî di Desthilatdariya Yekîneya Mîkroprocessing û Berhemên Yekîneya Mîkrokontroller de

Nîşanên karanîna jêrîn ji bo hemî hilberên yekîneya Mîkroprocessing û yekîneya Microcontroller ji Renesas re derbas dibin. Ji bo hûrguliyên karanîna li ser hilberên ku di vê belgeyê de cih digirin, li beşên têkildar ên belgeyê û her weha her nûvekirinên teknîkî yên ku ji bo hilberan hatine derxistin binihêrin.

1. Tedbîrên li dijî Daxistina Elektrostatîk (ESD)
   Zeviyek elektrîkê ya bihêz, dema ku li ber amûrek CMOS-ê tê xuyang kirin, dikare oksîdê derî hilweşîne û di dawiyê de xebata cîhazê xirab bike. Pêdivî ye ku gav bêne avêtin da ku hilberîna elektrîka statîk bi qasî ku gengaz were sekinandin, û gava ku ew çêbibe zû ji holê rakin. Divê kontrolkirina jîngehê têr be. Dema ku ew zuwa dibe, divê humidifier were bikar anîn. Ev tê pêşniyar kirin ku ji karanîna însulatorên ku dikarin bi hêsanî elektrîkê statîk ava bikin dûr bixin. Amûrên semiconductor divê di konteynirek antî-statîk, çenteyek parastinê ya statîk, an materyalek guhezbar de werin hilanîn û veguheztin. Pêdivî ye ku hemî amûrên ceribandin û pîvandinê, di nav de rûngehên kar û zemînê, bin erdê bin. Pêdivî ye ku operator jî bi karanîna kemberek destikê were zexm kirin. Pêdivî ye ku amûrên nîvconductor bi destên tazî neyên destgirtin. Pêdivî ye ku tedbîrên bi vî rengî ji bo tabloyên çerxa çapkirî yên bi amûrên nîvconduktorê yên siwarkirî werin girtin.
2. Pêvajoya bi hêz-on
   Di dema ku hêz tê dayîn de rewşa hilberê ne diyar e. Di LSI-ê de rewşên çerxên hundurîn nediyar in û di dema ku hêz tê peyda kirin de rewşên mîhengên tomar û pîneyan ne diyar in. Di hilberek qediyayî de ku sînyala vesazkirinê li pîneya vesazkirina derveyî tê sepandin, ji dema ku hêz tê peyda kirin heya ku pêvajoya vesazkirinê biqede, rewşa pînan nayê garantî kirin. Bi heman rengî, halên pînê di hilberek ku ji hêla fonksiyona vesazkirina hêz-vekêşana li ser-çîpê ve hatî vesaz kirin, ji dema ku hêz tê peyda kirin heya ku hêz digihîje asta ku lê vesazkirin tê destnîşan kirin nayê garantî kirin.
3. Ketina sînyalê di dema rewşa qutbûnê de
   Dema ku amûr jê qut dibe sînyalan an dabînkirina hêzê ya I/O nexin. Derziya heyî ya ku ji ketina îşaretek wusa an dabînkirina hêzê ya I/O-yê pêk tê dibe ku bibe sedema xeletiyê û herika ne normal ya ku di vê demê de di cîhazê de derbas dibe dibe ku bibe sedema xerabûna hêmanên hundurîn. Rêbernameya ji bo sînyala têketinê di dema rewşa qutbûnê de wekî ku di belgeya hilberê we de hatî destnîşan kirin bişopînin.
4. Desthilatdariya pîneyên nehatine bikaranîn
   Pînên neyên bikar anîn li gorî rêwerzên ku di bin destwerdana pîneyên neyên bikar anîn de di manualê de hatine destnîşan kirin. Pînên têketinê yên hilberên CMOS bi gelemperî di rewşek berbilind de ne. Di xebitandina bi pinek nayê bikar anîn di rewşa dorhêla vekirî de, dengek elektromagnetîkî ya zêde li dora LSI-ê çêdibe, herikîna pêvek a têkildar di hundurê de diherike, û xeletî ji ber naskirina derewîn a rewşa pinê wekî îşaretek ketinê çêdibe. mimkun dibe.
5. sînyalên saetê
   Piştî serîlêdana vesazkirinê, tenê piştî ku sînyala demjimêra xebitandinê stabîl bibe, xeta vesazkirinê berdin. Dema ku di dema darvekirina bernameyê de îşareta demjimêrê diguhezînin, li bendê bimînin heya ku sînyala demjimêra armanc stabîl bibe. Dema ku sînyala demjimêrê bi resonatorek derveyî an ji oscilatorek derveyî di dema vesazkirinê de tê hilberandin, pê ewle bin ku xeta vesazkirinê tenê piştî stabîlkirina tevahî ya nîşana demjimêrê were berdan. Digel vê yekê, dema ku dema pêkanîna bernameyê di pêş de ye, dema ku bername di pêş de ye veguhezîne îşaretek demjimêrê ku bi resonatorek derveyî an ji hêla oscilatorek derveyî ve hatî hilberandin, li bendê bimînin heya ku îşaretek demjimêra armanc aram be.
6. Voltage forma pêlê ya serîlêdanê li pînê têketinê
   Tevliheviya forma pêlê ji ber dengê têketinê an pêlek ronîkirî dibe ku bibe sedema xeletiyê. Ger têketina cîhaza CMOS-ê ji ber deng li devera di navbera VIL (Max.) û VIH (Min.) de bimîne, ji bo nimûneamplê, dibe ku cîhaz xelet bixebite. Bala xwe bidinê ku dema ku asta têketinê sabît be, dengê dengbêjiyê nekeve cîhazê, û hem jî di heyama veguheztinê de gava ku asta têketinê di qada di navbera VIL (Max.) û VIH (Min.) re derbas dibe.
7. Qedexekirina gihîştina navnîşanên parastî
   Gihîştina navnîşanên parastî qedexe ye. Navnîşanên veqetandî ji bo berfirehkirina fonksiyonên gengaz ên pêşerojê têne peyda kirin. Xwe bigihînin van navnîşanan ji ber ku xebata rast a LSI ne garantî ye.
8. Cûdahiya di navbera hilberan de
   Berî guheztina ji hilberek ji hilberek din, ji bo nimûneample, ji hilberek bi jimareyek parçeyek cûda re, piştrast bikin ku guhertin dê rê nede pirsgirêkan. Taybetmendiyên yekîneyek pêvajoyek mîkro an hilberên yekîneya mîkrokontrolker di heman komê de lê xwedî jimareyek parçeyek cûda dibe ku di warê kapasîteya bîranîna hundurîn, şêwaza sêwiranê û faktorên din de cûda bibin, ku dikarin bandorê li rêze taybetmendiyên elektrîkê bikin, wek nirxên taybetmendiyê. , marjînalên xebitandinê, xweparastina ji deng, û mîqdara dengê tîrêjkirî. Dema ku hûn hilberek bi jimareyek parçeyek cûda diguhezînin, ji bo hilbera hatî dayîn ceribandinek nirxandina pergalê bicîh bikin.

Nivîsk

1. Danasîna çerx, nermalava, û agahdariya din a têkildar di vê belgeyê de tenê ji bo ronîkirina xebata hilberên nîvconductor û sepanê examples. Di sêwirana hilber an pergala xwe de hûn bi tevahî berpirsiyar in ji tevlêbûn an karanîna din ên çerx, nermalava û agahdariyan. Renesas Electronics berpirsiyariya her windahî û zirarên ku ji hêla we an aliyên sêyemîn ve ji karanîna van dorhêl, nermalavê, an agahdariyan çêdibin, red dike.
2. Renesas Electronics bi vê yekê bi eşkere tu garantî û berpirsiyariya ji bo binpêkirin an îdiayên din ên ku bi patentan, mafnasî, an mafên milkiyeta rewşenbîrî yên din ên aliyên sêyemîn ve girêdayî ne, ji hêla an ji karanîna hilberên Renesas Electronics an agahdariya teknîkî ya ku di vê belgeyê de hatî destnîşan kirin, vedigire, tevî lê ne sînorkirî ne, daneyên hilberê, nexşe, nexşe, bername, algorîtma, û serîlêdanê mînakamples.
3. Ti destûrek, eşkere, têgihîştî, an wekî din, bi vê yekê di bin ti patentan, mafnasî, an mafên din ên milkê rewşenbîrî yên Renesas Electronics an yên din de nayê dayîn.
4. Hûn berpirsiyar in ku hûn destnîşan bikin ka kîjan lîsans ji aliyên sêyemîn têne xwestin, û heke hewce be, ji bo hinardekirina qanûnî, hinardekirin, çêkirin, firotin, bikar anîn, belavkirin, an avêtina qanûnî ya her hilberên ku hilberên Renesas Electronics di nav xwe de digirin, lîsansên weha bistînin.
5. Hûn ê hilberek Renesas Electronics-ê, bi tevahî an beş, neguhezînin, biguhezînin, kopî bikin, an berevajî bikin. Renesas Electronics berpirsiyariya her windahî an zirarên ku ji hêla we an aliyên sêyemîn ve ji ber vê guherîn, guherandin, kopîkirin, an endezyariya berevajî çêdibin, red dike.
6. Berhemên Renesas Electronics li gorî du polên kalîteyê yên jêrîn têne dabeş kirin: "Standard" û "Qalîteya Bilind". Serîlêdanên armanckirî yên ji bo her hilberek Renesas Electronics bi pola kalîteya hilberê ve girêdayî ye, wekî ku li jêr tê destnîşan kirin.
   “Standard”: Komputer; alavên ofîsê; alavên ragihandinê; alavên test û pîvandinê; alavên deng û dîtbarî; Amûrên elektronîkî yên malê; amûrên makîneyê; amûrên elektronîkî yên kesane; robotên pîşesaziyê; etc.
   "Qalîteya Bilind": Amûrên veguhastinê (otomobil, trên, keştî, hwd.); kontrolkirina trafîkê (roniyên trafîkê); alavên ragihandinê yên mezin; pergalên termînalê fînansî yên sereke; amûrên kontrolkirina ewlehiyê; etc.
   Heya ku bi eşkere wekî hilberek pêbawer an hilberek ji bo hawîrdorên dijwar di pelgeya daneya Renesas Electronics an belgeyek din a Renesas Electronics de nehatiye destnîşan kirin, hilberên Renesas Electronics ne ji bo karanîna di hilber an pergalên ku dibe ku rasterast xetereyek li ser jiyana mirovan çêbike de ne armanc an destûr nayê dayîn. an jî birîna laş (alavên an pergalên desteka jiyanê ya çêkirî; nebatên neştergerî; hwd.) an jî dibe ku bibe sedema zirarên cidî yên malî (pergala fezayê; dubarekerên binê behrê; pergalên kontrola hêza nukleer; pergalên kontrolkirina balafiran; pergalên nebatên sereke; alavên leşkerî; hwd.). Renesas Electronics berpirsiyariya her zirar û zirarên ku ji hêla we an aliyên sêyemîn ve ji karanîna hilberek Renesas Electronics-ê ya ku bi pelgeya daneya Renesas Electronics, manuala bikarhêner, an belgeyên din ên Renesas Electronics re negunca ye, radigire.
7. Tu hilberek nîvconductor ne ewle ye. Tevî her tedbîr an taybetmendiyên ewlehiyê yên ku di hilberên hardware an nermalavê yên Renesas Electronics de bêne bicîh kirin, Renesas Electronics çu berpirsiyariya ku ji ber her lawazbûn an binpêkirina ewlehiyê çêdibe, di nav de, lê ne sînorkirî, gihîştina bê destûr an karanîna hilberek Renesas Electronics an pergalek ku hilberek Renesas Electronics bikar tîne. RENESAS ELECTRONICS GARANT NAKE KU BERHEMÊN ELECTRONICS AN JI PERGALÊN RENESAS ELECTRONICS KU BI KARANÎNA BERHEMÊN RENESAS ELECTRONICS HEBÛNE DÊ JI XWEDÎ, JI XWEBÛ, WINDA AN DIZÎ, AN DERXISTINA EWLEHIYÊ DIN ("Pirsgirêkên Zehfbûnê") . RENESAS ELECTRONICS HER Û HEMÛ BERPIRSYARÎ AN BERPIRSYARÎ YA JI PIRSGIRÊKÊN XAZALÎYÊ DERKETIN AN TÊKIRIN. ZÊDE BI RÊDEYA KU JI LI SER ZANÛNÊ BI DAWÎ DIDE, RENESAS ELECTRONICS HER Û HEMÛ GARANTIYÊN DESTPÊK AN JI LI SER VÊ BELGEYÊ Û HER TÊKILIYA AN JI BERXWEDANA BİXWÎNE BİXWÎNE, JI BO GARANTIYÊN NÎŞANÎ YA BAZARIYÊ, AN JI BO TAYBETEK TAYBETÎ ARMANC.
8. Dema ku hilberên Renesas Electronics bikar tînin, li agahdariya hilberê ya herî dawî (pelên daneyan, destanên bikarhêner, notên serîlêdanê, "Têbînîyên Giştî yên Ji bo Destekirin û Bikaranîna Amûrên Semiconductor" di pirtûka pêbaweriyê de, hwd.) binihêrin, û piştrast bikin ku şert û mercên karanîna di nav rêzan de ne. ji hêla Renesas Electronics ve di derbarê rêjeyên herî zêde, dabînkirina hêza xebitandinê voltage range, taybetmendiyên belavbûna germê, sazkirin, hwd. Renesas Electronics berpirsiyariya her xeletî, têkçûn, an qezayên ku ji ber karanîna hilberên Renesas Electronics li derveyî van rêzikên diyarkirî çêdibin, red dike.
9. Her çend Renesas Electronics hewl dide ku kalîte û pêbaweriya hilberên Renesas Electronics baştir bike, hilberên nîvconductor xwedan taybetmendiyên taybetî ne, wek mînak rûdana têkçûnek bi rêjeyek diyarkirî û xeletî di bin hin şert û mercên karanîna de. Heya ku di pelgeya daneya Renesas Electronics an belgeyek din a Renesas Electronics de wekî hilberek pêbaweriya bilind an hilberek ji bo hawîrdorên hişk neyê destnîşan kirin, hilberên Renesas Electronics ne mijara sêwirana berxwedana radyasyonê ne. Hûn ji pêkanîna tedbîrên ewlehiyê berpirsiyar in ku hûn li hember îhtîmala birînên laş, birîn an zirara ku ji ber agir çêbibin, û/an xetera li ser gel di bûyera têkçûn an nexebitîna hilberên Renesas Electronics de, wek sêwirana ewlehiyê ya ji bo hardware û nermalava, di nav de, lê ne sînorkirî, zêdebûn, kontrolkirina agir, û pêşîlêgirtina xirabûnê, dermankirina minasib ji bo hilweşandina pîrbûnê an jî tedbîrên din ên guncan. Ji ber ku tenê nirxandina nermalava mîkrokomputerê pir dijwar û nepratîk e, hûn ji nirxandina ewlehiya hilberên dawî an pergalên ku ji hêla we ve hatine çêkirin berpirsiyar in.
10. Ji kerema xwe ji bo hûrguliyên li ser mijarên jîngehê yên wekî lihevhatina jîngehê ya her hilberek Renesas Electronics bi nivîsgehek firotanê ya Renesas Electronics re têkilî daynin. Hûn berpirsiyar in ku bi baldarî û têra xwe vekolîna qanûn û rêziknameyên guncan ên ku tevlêbûn an karanîna maddeyên kontrolkirî birêkûpêk dikin, di nav de bêsînor, Rêvebiriya RoHS ya EU, û karanîna hilberên Renesas Electronics li gorî van hemî qanûn û rêzikên derbasdar. Renesas Electronics berpirsiyariya zerer û ziyanên ku di encama nepejirandina we ya bi qanûn û rêziknameyên derbasdar re çêdibin, red dike.
11. Hilber û teknolojiyên Renesas Electronics nabe ku ji bo hilber an pergalên ku çêkirin, bikar anîn, an firotina wan li gorî qanûn û rêzikên guncan ên navxweyî an biyanî qedexe ye, werin bikar anîn an tevnegerin. Hûn ê li gorî her qanûn û rêzikên kontrolê yên hinardekirinê yên ku ji hêla hukûmetên her welatan ve hatine ragihandin û rêvebirin ku dadrêsiya xwe li ser partî an danûstendinan destnîşan dikin tevbigerin.
12. Berpirsiyariya kiriyar an belavkerê hilberên Renesas Electronics, an aliyek din e ku hilberê belav dike, hildiweşîne, an wekî din difroşe an vediguhezîne aliyek sêyemîn, ku ji berê de li ser naverok û şertên ku di nav de hatine destnîşan kirin de, ew kesê sêyemîn agahdar bike. vê belgeyê.
13. Ev belge bêyî destûra nivîskî ya berê ya Renesas Electronics nayê çap kirin, hilberandin, an dubare kirin, bi tevahî an parçeyek.
14. Ger pirsên we di derheqê agahdariya ku di vê belgeyê de an hilberên Renesas Electronics de hene ji kerema xwe bi nivîsgeha firotanê ya Renesas Electronics re têkilî daynin.

• (Not1) "Renesas Electronics" ya ku di vê belgeyê de tê bikar anîn tê wateya Pargîdaniya Renesas Electronics û di heman demê de pargîdaniyên wê yên rasterast an nerasterast jî tê kontrol kirin.
• (Not2) "Hilber(ên) Renesas Electronics" tê wateya her hilberek ku ji hêla Renesas Electronics ve hatî çêkirin an çêkirin.

Navenda Pargîdaniyê
TOYOSU FORESIA, 3-2-24 Toyosu, Koto-ku, Tokyo 135-0061, Japonya www.renesas.com

Trademarks
Renesas û logoya Renesas marqeyên Renesas Electronics Corporation ne. Hemî tîcarî û marqeyên qeydkirî milkê xwediyên wan ên têkildar in.

Agahdariya têkiliyê
Ji bo bêtir agahdarî li ser hilberek, teknolojî, guhertoya herî nûjen a belgeyek, an ofîsa weya firotanê ya herî nêzîk, ji kerema xwe biçin. www.renesas.com/contact/.

• 2023 Pargîdaniya Renesas Electronics. Hemû maf parastî ne.

Belge / Çavkanî

RENESAS RA2E1 Sensor Kapacitive MCU [pdf] Rehbera bikaranînê RA2E1, Malbata RX, Malbata RA, Malbata RL78, RA2E1 Sensor MCU, RA2E1, Sensor MCU, Sensor MCU

Çavkanî

• Manual Bikarhêner