Sensor capacitivo RENESAS RA2E1 MCU

Sensor capacitivo MCU
Guía de inmunidade ao ruído táctil capacitivo

Introdución
A Unidade de sensor táctil capacitivo de Renesas (CTSU) pode ser susceptible ao ruído no seu contorno circundante porque pode detectar cambios diminutos na capacitancia, xerados por sinais eléctricos espurios non desexados (ruído). O efecto deste ruído pode depender do deseño do hardware. Polo tanto, tomando contramedidas no deseño stage levará a un MCU CTSU que sexa resistente ao ruído ambiental e ao desenvolvemento de produtos efectivos. Esta nota da aplicación describe formas de mellorar a inmunidade ao ruído dos produtos que utilizan a Unidade de sensor táctil capacitivo (CTSU) de Renesas segundo os estándares de inmunidade ao ruído da IEC (IEC61000-4).

Dispositivo de destino
Familia RX, familia RA, MCU da familia RL78 e Renesas Synergy™ que integran CTSU (CTSU, CTSU2, CTSU2L, CTSU2La, CTSU2SL)

Estándares contemplados nesta nota de aplicación 

• IEC-61000-4-3
• IEC-61000-4-6

Acabadoview

O CTSU mide a cantidade de electricidade estática da carga eléctrica cando se toca un electrodo. Se o potencial do electrodo táctil cambia debido ao ruído durante a medición, a corrente de carga tamén cambia, afectando ao valor medido. En concreto, unha gran flutuación no valor medido pode superar o limiar táctil, provocando un mal funcionamento do dispositivo. As pequenas flutuacións no valor medido poden afectar ás aplicacións que requiren medicións lineais. O coñecemento sobre o comportamento de detección táctil capacitiva CTSU e o deseño da placa é esencial cando se considera a inmunidade ao ruído dos sistemas táctiles capacitivos CTSU. Recomendamos aos usuarios de CTSU por primeira vez que se familiaricen cos principios de CTSU e táctil capacitivo estudando os seguintes documentos relacionados.

• Información básica sobre detección táctil capacitiva e CTSU
• Guía de usuario de Capacitive Touch para MCU de sensor capacitivo (R30AN0424)
• Información sobre o deseño de placas de hardware
  Microcontroladores de sensor capacitivo: guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos CTSU (R30AN0389)
• Información sobre o software do controlador CTSU (módulo CTSU).
  Familia RA Manual de usuario del paquete de software flexible Renesas (FSP) (Web Versión - HTML)
  Referencia da API > Módulos > CapTouch > CTSU (r_ctsu)
  Sistema de integración de software do módulo CTSU da familia RL78 (R11AN0484)
  Tecnoloxía de integración de firmware do módulo QE CTSU da familia RX (R01AN4469)
• Información sobre software táctil middleware (módulo TOUCH).
  Familia RA Manual de usuario del paquete de software flexible Renesas (FSP) (Web Versión - HTML)
  Referencia da API > Módulos > CapTouch > Tocar (rm_touch)
  Sistema de integración de software do módulo TOUCH da familia RL78 (R11AN0485)
  Tecnoloxía de integración de firmware do módulo táctil QE da familia RX (R01AN4470)
• Información sobre QE for Capacitive Touch (ferramenta de apoio ao desenvolvemento de aplicacións táctiles capacitivas)
  Usando QE e FSP para desenvolver aplicacións táctiles capacitivas (R01AN4934)
  Usando QE e FIT para desenvolver aplicacións táctiles capacitivas (R01AN4516)
  Familia RL78 que usa QE e SIS para desenvolver aplicacións táctiles capacitivas (R01AN5512)
  Familia RL78 que usa a versión autónoma de QE para desenvolver aplicacións táctiles capacitivas (R01AN6574)

Tipos de ruído e contramedidas

Normas EMC
A táboa 2-1 ofrece unha lista de estándares EMC. O ruído pode influír nas operacións ao infiltrarse no sistema a través de entregotas e cables de conexión. Esta lista presenta as normas IEC 61000 como example para describir os tipos de ruído que os desenvolvedores deben ter en conta para garantir o funcionamento correcto dos sistemas que utilizan o CTSU. Consulte a última versión da IEC 61000 para obter máis detalles.

Táboa 2-1 Estándares de proba EMC (IEC 61000)

Descrición da proba	Acabadoview	Estándar
Proba de inmunidade radiada	Proba de inmunidade ao ruído de RF de frecuencia relativamente alta	IEC 61000-4-3
Proba de inmunidade realizada	Proba de inmunidade ao ruído de RF de frecuencia relativamente baixa	IEC 61000-4-6
Proba de descarga electrostática (ESD)	Proba de inmunidade a descargas electrostáticas	IEC 61000-4-2
Proba de transitorio rápido/ráfaga eléctrica (EFT/B)	Proba de inmunidade á resposta transitoria pulsada continua introducida nas liñas de alimentación, etc.	IEC 61000-4-4

A táboa 2-2 enumera os criterios de rendemento para as probas de inmunidade. Os criterios de rendemento especifícanse para as probas de inmunidade EMC e os resultados xulganse en función do funcionamento do equipo durante a proba (EUT). Os criterios de rendemento son os mesmos para cada estándar.

Táboa 2-2 Criterios de actuación para as probas de inmunidade

Criterio de desempeño	Descrición
A	O equipo seguirá funcionando segundo o previsto durante e despois da proba. Non se permite ningunha degradación do rendemento ou perda de función por debaixo dun nivel de rendemento especificado polo fabricante cando o equipo se utiliza segundo o previsto.
B	O equipo seguirá funcionando segundo o previsto durante e despois da proba. Non se permite ningunha degradación do rendemento ou perda de función por debaixo dun nivel de rendemento especificado polo fabricante cando o equipo se utiliza segundo o previsto. Non obstante, durante a proba, permítese a degradación do rendemento. Non se permite ningún cambio do estado de funcionamento real nin dos datos almacenados.
C	Permítese a perda temporal da función, sempre que a función sexa autorrecuperable ou poida ser restaurada mediante o funcionamento dos controis.

Contramedidas de ruído de RF

O ruído de RF indica ondas electromagnéticas de radiofrecuencias utilizadas pola televisión e radiodifusión, os dispositivos móbiles e outros equipos eléctricos. O ruído de RF pode filtrarse directamente nunha PCB ou pode entrar pola liña de alimentación e outros cables conectados. As contramedidas de ruído deben implementarse na tarxeta para o primeiro e a nivel do sistema para o segundo, como a través da liña de alimentación. O CTSU mide a capacidade converténdoa nun sinal eléctrico. O cambio de capacitancia debido ao tacto é extremadamente pequeno, polo que para garantir a detección táctil normal, o pin do sensor e a fonte de alimentación do propio sensor deben estar protexidos do ruído de RF. Dúas probas con frecuencias de proba diferentes están dispoñibles para probar a inmunidade ao ruído de RF: IEC 61000-4-3 e IEC 61000-4-6.

IEC61000-4-3 é unha proba de inmunidade radiada e úsase para avaliar a inmunidade ao ruído aplicando directamente un sinal do campo electromagnético de radiofrecuencia ao EUT. O campo electromagnético de RF varía de 80MHz a 1GHz ou superior, que se converte en lonxitudes de onda de aproximadamente 3.7m a 30cm. Como esta lonxitude de onda e a lonxitude do PCB son similares, o patrón pode actuar como antena, afectando negativamente aos resultados da medición CTSU. Ademais, se a lonxitude do cableado ou a capacidade parasitaria difiren para cada electrodo táctil, a frecuencia afectada pode diferir para cada terminal. Consulte a Táboa 2-3 para obter detalles sobre a proba de inmunidade irradiada.

Táboa 2-3 Proba de inmunidade radiada

Rango de frecuencias	Nivel de proba	Intensidade do campo de proba
80MHz-1GHz Ata 2.7 GHz ou ata 6.0 GHz, dependendo da versión de proba	1	1 V/m
	2	3 V/m
	3	10 V/m
	4	30 V/m
	X	Especificado individualmente

IEC 61000-4-6 é unha proba de inmunidade realizada e úsase para avaliar frecuencias entre 150 kHz e 80 MHz, un rango inferior ao da proba de inmunidade radiada. Esta banda de frecuencia ten unha lonxitude de onda de varios metros ou máis, e a lonxitude de onda de 150 kHz alcanza uns 2 km. Debido a que é difícil aplicar directamente un campo electromagnético de RF desta lonxitude no EUT, aplícase un sinal de proba a un cable conectado directamente ao EUT para avaliar o efecto das ondas de baixa frecuencia. As lonxitudes de onda máis curtas afectan principalmente aos cables de alimentación e de sinal. Por example, se unha banda de frecuencia provoca ruído que afecta o cable de alimentación e a fonte de alimentación voltagSe se desestabiliza, os resultados da medición CTSU poden verse afectados polo ruído en todos os pinos. A táboa 2-4 ofrece detalles da proba de inmunidade realizada.

Táboa 2-4 Proba de inmunidade realizada

Rango de frecuencias	Nivel de proba	Intensidade do campo de proba
150 kHz-80 MHz	1	1 V rms
	2	3 V rms
	3	10 V rms
	X	Especificado individualmente

Nun deseño de fonte de alimentación de CA onde o terminal GND do sistema ou MCU VSS non está conectado a un terminal de terra da fonte de alimentación comercial, o ruído conducido pode entrar directamente no taboleiro como ruído de modo común, o que pode causar ruído nos resultados da medición CTSU cando se presiona un botón. tocado.

A figura 2-1 mostra o camiño de entrada do ruído en modo común e a figura 2-2 mostra a relación entre o ruído en modo común e a corrente de medición. Desde a perspectiva da placa GND (B-GND), o ruído de modo común parece flutuar a medida que o ruído se superpón á terra GND (E-GND). Ademais, debido a que o dedo (corpo humano) que toca o electrodo táctil (PAD) está acoplado a E-GND debido á capacitancia perdida, o ruído de modo común transmítese e parece flutuar do mesmo xeito que E-GND. Se se toca o PAD neste punto, o ruído (VNOISE) xerado polo ruído de modo común aplícase á capacitancia Cf formada polo dedo e o PAD, facendo que flutúe a corrente de carga medida polo CTSU. Os cambios na corrente de carga aparecen como valores dixitais con ruído superposto. Se o ruído do modo común inclúe compoñentes de frecuencia que coinciden coa frecuencia do pulso do CTSU e os seus harmónicos, os resultados da medición poden variar significativamente. A Táboa 2-5 ofrece unha lista de contramedidas necesarias para mellorar a inmunidade ao ruído de RF. A maioría das contramedidas son comúns para mellorar tanto a inmunidade radiada como a inmunidade conducida. Consulte a sección de cada capítulo correspondente como se indica para cada paso de desenvolvemento.

Táboa 2-5 Lista de contramedidas necesarias para mellorar a inmunidade ao ruído de RF

Paso de desenvolvemento	Contramedidas necesarias no momento do deseño	Seccións correspondentes
Selección de MCU (selección de función CTSU)	Recoméndase usar un MCU integrado con CTSU2 cando a inmunidade ao ruído é unha prioridade. · Activa as funcións de contramedida anti-ruído CTSU2: ¾ Medición multifrecuencia ¾ Escudo activo ¾ Establecer a saída de canle non de medición cando se utiliza un escudo activo   Or · Activa as funcións de contramedida anti-ruído de CTSU: ¾ Función de cambio de fase aleatorio ¾ Función de redución de ruído de alta frecuencia	3.3.1   Medición multifrecuencia 3.3.2    Escudo activo 3.3.3    Canle de non medición Selección de saída       3.2.1   Función de cambio de fase aleatorio 3.2.2    Ruído de alta frecuencia Función de redución (spread función espectral)
Deseño de hardware	· Deseño da placa utilizando o patrón de electrodos recomendado   · Use unha fonte de alimentación para unha saída de baixo ruído · Recomendación de deseño do patrón GND: nun sistema conectado a terra use pezas para unha contramedida de ruído de modo común       · Reducir o nivel de infiltración de ruído no pasador do sensor axustando o dampvalor da resistencia. · Lugar dampresistencia de ing na liña de comunicación · Deseñar e colocar o capacitor axeitado na liña de alimentación da MCU	4.1.1 Patrón de electrodo táctil Deseños 4.1.2.1  Voltage Deseño de subministracións 4.1.2.2  Deseño de patróns GND 4.3.1 Filtro de modo común 4.3.4 Consideracións para GND Distancia entre electrodos e blindaxe     4.2.1  TS Pin Damping Resistencia 4.2.2  Ruído de sinal dixital 4.3.4 Consideracións para GND Distancia entre electrodos e blindaxe
Implementación de software	Axuste o filtro do software para reducir o efecto do ruído nos valores medidos · Media móbil IIR (eficaz para a maioría dos casos de ruído aleatorio) · Media móbil FIR (para ruído periódico especificado)	5.1   Filtro IIR   5.2  Filtro FIR

Ruído ESD (descarga electrostática)

A descarga electrostática (ESD) xérase cando dous obxectos cargados están en contacto ou situados nas proximidades. A electricidade estática acumulada no corpo humano pode chegar aos electrodos dun dispositivo incluso a través dunha superposición. Dependendo da cantidade de enerxía electrostática aplicada ao electrodo, os resultados da medición CTSU poden verse afectados, causando danos no propio dispositivo. Polo tanto, débense introducir contramedidas a nivel do sistema, como dispositivos de protección no circuíto da placa, superposicións de placas e carcasa protectora para o dispositivo. O estándar IEC 61000-4-2 úsase para probar a inmunidade ESD. A táboa 2-6 ofrece detalles da proba ESD. A aplicación obxectivo e as propiedades do produto determinarán o nivel de proba necesario. Para máis detalles, consulte a norma IEC 61000-4-2. Cando a ESD chega ao electrodo táctil, xera instantáneamente unha diferenza de potencial de varios kV. Isto pode provocar ruído de pulso no valor medido CTSU, reducindo a precisión da medición, ou pode deter a medición debido á detección de sobrevol.tage ou sobreintensidade. Teña en conta que os dispositivos semicondutores non están deseñados para soportar a aplicación directa de ESD. Polo tanto, a proba ESD debe realizarse no produto acabado coa placa protexida pola carcasa do dispositivo. As contramedidas introducidas na propia placa son medidas de seguridade para protexer o circuíto no raro caso de que ESD, por algún motivo, entre na placa.

Táboa 2-6 Proba ESD

Nivel de proba	Test Voltage
	Descarga de contacto	Descarga de aire
1	2 kV	2 kV
2	4 kV	4 kV
3	6 kV	8 kV
4	8 kV	15 kV
X	Especificado individualmente	Especificado individualmente

Ruído EFT (transitorios rápidos eléctricos)
Os produtos eléctricos xeran un fenómeno chamado Transitorios Eléctricos Rápidos (EFT), como unha forza electromotriz inversa cando se conecta a alimentación debido á configuración interna da fonte de alimentación ou ao ruído de vibración nos interruptores de relé. En ambientes nos que varios produtos eléctricos están conectados dalgún xeito, como nas regletas de alimentación, este ruído pode viaxar a través das liñas de alimentación e afectar o funcionamento doutros equipos. Incluso as liñas eléctricas e as liñas de sinal de produtos eléctricos que non están conectadas a unha regleta compartida poden verse afectadas por vía aérea simplemente por estar preto das liñas eléctricas ou das liñas de sinal da fonte de ruído. O estándar IEC 61000-4-4 úsase para probar a inmunidade EFT. A IEC 61000-4-4 avalía a inmunidade inxectando sinais EFT periódicos nas liñas de alimentación e sinal do EUT. O ruído EFT xera un pulso periódico nos resultados da medición CTSU, o que pode diminuír a precisión dos resultados ou provocar a detección de falsos toques. A Táboa 2-7 ofrece detalles da proba EFT/B (Electrical Fast Transient Burst).

Táboa 2-7 Proba EFT/B

Nivel de proba	Proba de circuíto aberto Voltage (pico)		Frecuencia de repetición de pulso (PRF)
	Fonte de alimentación Fío de liña/terra	Liña de sinal/control
1	0.5 kV	0.25 kV	5 kHz ou 100 kHz
2	1 kV	0.5 kV
3	2 kV	1 kV
4	4 kV	2 kV
X	Especificado individualmente		Especificado individualmente

Funcións de contramedida de ruído CTSU

As CTSU están equipadas con funcións de contramedida de ruído, pero a dispoñibilidade de cada función varía dependendo da versión do MCU e da CTSU que estea a utilizar. Confirme sempre as versións de MCU e CTSU antes de desenvolver un produto novo. Este capítulo explica as diferenzas nas funcións de contramedida de ruído entre cada versión de CTSU.

Principios de medición e efecto do ruído
O CTSU repite carga e descarga varias veces para cada ciclo de medición. Os resultados da medición para cada corrente de carga ou descarga acumúlanse e o resultado final da medición gárdase no rexistro. Neste método, o número de medicións por unidade de tempo pódese aumentar aumentando a frecuencia do pulso da unidade, mellorando así o rango dinámico (DR) e realizando medicións CTSU altamente sensibles. Por outra banda, o ruído externo provoca cambios na corrente de carga ou descarga. Nun ambiente onde se xera ruído periódico, o resultado da medición almacenado no Rexistro do contador de sensores desprázase debido a un aumento ou diminución da cantidade de corrente nunha dirección. Tales efectos relacionados co ruído diminúen finalmente a precisión da medición. A figura 3-1 mostra unha imaxe do erro de corrente de carga debido ao ruído periódico. As frecuencias que se presentan como ruído periódico son aquelas que coinciden coa frecuencia do impulso do sensor e o seu ruído harmónico. Os erros de medición son maiores cando o bordo ascendente ou descendente do ruído periódico está sincronizado co período SW1 ON. O CTSU está equipado con funcións de contramedida de ruído a nivel de hardware como protección contra este ruído periódico.

CTSU1
CTSU1 está equipado cunha función de cambio de fase aleatorio e unha función de redución de ruído de alta frecuencia (función de espectro espallado). O efecto sobre o valor medido pode reducirse cando coinciden os harmónicos fundamentais da frecuencia do pulso do sensor e a frecuencia do ruído. O valor máximo de configuración da frecuencia de pulso do sensor é de 4.0 MHz.

Función de cambio de fase aleatorio
A Figura 3-2 mostra unha imaxe da desincronización do ruído mediante a función de cambio de fase aleatorio. Ao cambiar a fase do pulso de impulsión do sensor en 180 graos ao azar, o aumento/diminución unidireccional da corrente debido ao ruído periódico pódese aleatorizar e suavizar para mellorar a precisión da medición. Esta función sempre está activada no módulo CTSU e no módulo TOUCH.

Función de redución de ruído de alta frecuencia (función de espectro espallado)
A función de redución de ruído de alta frecuencia mide a frecuencia do pulso do sensor con vibracións engadidas intencionalmente. A continuación, aleatoriza o punto de sincronización co ruído sincrónico para dispersar o pico do erro de medición e mellorar a precisión da medición. Esta función sempre está activada na saída do módulo CTSU e na saída do módulo TOUCH mediante a xeración de código.

CTSU2

Medición multifrecuencia
A medición de frecuencia múltiple utiliza frecuencias de impulsos de sensores múltiples con frecuencias diferentes. O espectro espallado non se utiliza para evitar interferencias en cada frecuencia de pulso de unidade. Esta función mellora a inmunidade contra o ruído de RF conducido e irradiado porque é eficaz contra o ruído sincrónico na frecuencia do pulso do sensor, así como contra o ruído introducido a través do patrón de electrodo táctil. A Figura 3-3 mostra unha imaxe de como se seleccionan os valores medidos na medición multifrecuencia, e a Figura 3-4 mostra unha imaxe de separación de frecuencias de ruído no mesmo método de medición. A medición multifrecuencia descarta os resultados de medición afectados polo ruído do grupo de medicións realizadas a varias frecuencias para mellorar a precisión da medición.

Nos proxectos de aplicacións que incorporen controladores CTSU e módulos de middleware TOUCH (consulte a documentación FSP, FIT ou SIS), cando se executa a fase de sintonización “QE for Capacitive Touch” xéranse automaticamente os parámetros de medición multifrecuencia e multi-frecuencia. pódese utilizar a medición de frecuencia. Ao activar a configuración avanzada na fase de axuste, os parámetros pódense configurar manualmente. Para obter máis información sobre os axustes de medición de reloxo múltiple do modo avanzado, consulte Guía de parámetros de modo avanzado táctil capacitivo (R30AN0428EJ0100). A figura 3-5 mostra un example de frecuencia de interferencia na medición multifrecuencia. Este example mostra a frecuencia de interferencia que aparece cando a frecuencia de medición está configurada en 1MHz e aplícase ruído de condución de modo común á placa mentres se toca o electrodo táctil. O gráfico (a) mostra a configuración inmediatamente despois do axuste automático; a frecuencia de medición establécese en +12.5% para a 2a frecuencia e -12.5% para a 3a frecuencia en función da 1a frecuencia de 1MHz. O gráfico confirma que cada frecuencia de medición interfire co ruído. O gráfico (b) mostra un example no que a frecuencia de medición se sintoniza manualmente; a frecuencia de medición establécese en -20.3% para a 2a frecuencia e +9.4% para a 3a frecuencia en función da 1a frecuencia de 1MHz. Se aparece un ruído de frecuencia específico nos resultados da medición e a frecuencia do ruído coincide coa frecuencia de medición, asegúrate de axustar a medición multifrecuencia mentres avalías o ambiente real para evitar interferencias entre a frecuencia do ruído e a frecuencia de medición.

Escudo activo
No método de autocapacitancia CTSU2, pódese usar un escudo activo para impulsar o patrón de escudo na mesma fase de pulso que o pulso de impulso do sensor. Para habilitar o escudo activo, na configuración da interface QE para Capacitive Touch, configure o pin que se conecta co patrón de escudo activo en "pin escudo". O escudo activo pódese configurar nun pin por configuración da interface táctil (método). Para obter unha explicación do funcionamento de Active Shield, consulte "Guía de usuario de Capacitive Touch para MCU de sensor capacitivo (R30AN0424)". Para obter información sobre o deseño de PCB, consulte "Guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos CTSU (R30AN0389)“.

Selección de saída de canle sen medición
No método de autocapacitancia CTSU2, a saída de pulso na mesma fase que o pulso de impulsión do sensor pódese configurar como saída da canle non de medición. Na configuración (método) da interface QE for Capacitive Touch, as canles que non son de medición (electrodos táctiles) configúranse automaticamente na mesma saída de fase de pulso para os métodos asignados con blindaxe activo.

Contramedidas de ruído de hardware

Contramedidas típicas contra o ruído

Deseños de patróns de electrodos táctiles
O circuíto do electrodo táctil é moi susceptible ao ruído, polo que esixe que se teña en conta a inmunidade ao ruído no deseño do hardwaretage. Para obter regras detalladas de deseño de placas que abordan a inmunidade ao ruído, consulte a versión máis recente do Guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos CTSU (R30AN0389). A Figura 4-1 ofrece un extracto da Guía que mostra un sobreview de deseño de patróns do método de autocapacitancia, e a Figura 4-2 mostra o mesmo para o deseño de patróns do método de capacidade mutua.

1. Forma do electrodo: cadrado ou círculo
2. Tamaño do electrodo: 10 mm a 15 mm
3. Proximidade dos electrodos: os electrodos deben colocarse en ampa distancia para que non reaccionen simultáneamente á interface humana de destino, (referido como "dedo" neste documento); intervalo suxerido: tamaño do botón x 0.8 ou máis
4. Ancho do fío: aprox. 0.15 mm a 0.20 mm para tarxetas impresas
5. Lonxitude do cableado: faga o cableado o máis curto posible. Nas esquinas, forma un ángulo de 45 graos, non un ángulo recto.
6. Espazo de cableado: (A) Faga o espazamento o máis amplo posible para evitar a detección falsa polos electrodos veciños. (B) Paso de 1.27 mm
7. Ancho do patrón GND sombreado: 5 mm
8. Patrón GND cruzado e área de espazamento entre botóns e cableados (A) ao redor dos electrodos: Área de 5 mm (B) ao redor do cableado: 3 mm ou máis sobre a zona do electrodo, así como o cableado e a superficie oposta cun patrón de sombreado cruzado. Ademais, coloque un patrón de sombreado cruzado nos espazos baleiros e conecte as 2 superficies de patróns de sombreado cruzado a través de vías. Consulte a sección "2.5 Deseños de patróns de deseño anti-ruído" para coñecer as dimensións do patrón de sombreado cruzado, o escudo activo (só CTSU2) e outras medidas contra o ruído.
9. Electrodo + capacitancia do cableado: 50 pF ou menos
10. Electrodo + resistencia do cableado: 2K0 ou menos (incluíndo dampresistencia de ing con un valor de referencia de 5600)

Figura 4-1 Recomendacións de deseño de patróns para o método de autocapacitancia (fragmento)

1. Forma do electrodo: cadrado (electrodo transmisor combinado TX e electrodo receptor RX)
2. Tamaño do electrodo: 10 mm ou máis Proximidade do electrodo: Os electrodos deben colocarse en ampa distancia para que non reaccionen simultáneamente ao obxecto táctil (dedo, etc.), (intervalo suxerido: tamaño do botón x 0.8 ou máis)
   • Ancho do fío: o fío máis fino capaz de producir en masa; aprox. 0.15 mm a 0.20 mm para tarxetas impresas
3. Lonxitude do cableado: faga o cableado o máis curto posible. Nas esquinas, forma un ángulo de 45 graos, non un ángulo recto.
4. Espazo de cableado:
   • Faga o espazo o máis amplo posible para evitar a detección falsa polos electrodos veciños.
   • Cando os electrodos están separados: un paso de 1.27 mm
   • 20 mm ou máis para evitar a xeración de capacidade de acoplamento entre Tx e Rx.
5. Proximidade do patrón GND cruzado (protección de escudo) Debido a que a capacitancia parasitaria do pin no patrón de botón recomendado é comparativamente pequena, a capacitancia parasitaria aumenta canto máis preto estean os pinos de GND.
   • R: 4 mm ou máis arredor dos electrodos Tamén recomendamos aprox. Patrón de plano GND sombreado cruzado de 2 mm de ancho entre os electrodos.
   • B: 1.27 mm ou máis arredor do cableado
6. Tx, Rx capacitancia parasitaria: 20pF ou menos
7. Electrodo + resistencia do cableado: 2 kQ ou menos (incluíndo dampresistencia de ing con un valor de referencia de 5600)
8. Non coloque o patrón GND directamente debaixo dos electrodos ou cableados. A función de blindaxe activa non se pode utilizar para o método de capacitancia mutua.

Figura 4-2 Recomendacións de deseño de patróns para o método de capacitancia mutua (fragmento)

Deseño de fontes de alimentación
O CTSU é un módulo periférico analóxico que manexa sinais eléctricos diminutos. Cando o ruído se infiltra no voltagE subministrado ao patrón MCU ou GND, provoca posibles flutuacións no pulso do sensor e diminúe a precisión da medición. Suxerímoslle encarecidamente engadir un dispositivo de contramedida de ruído á liña de alimentación ou un circuíto de alimentación integrado para subministrar enerxía á MCU de forma segura.

Voltage Deseño de subministracións
Debe tomarse medidas ao deseñar a fonte de alimentación para o sistema ou o dispositivo a bordo para evitar a infiltración de ruído a través do pin da fonte de alimentación da MCU. As seguintes recomendacións relacionadas co deseño poden axudar a evitar a infiltración de ruído.

• Manteña o cable de alimentación ao sistema e o cableado interno o máis curto posible para minimizar a impedancia.
• Coloque e insira un filtro de ruído (núcleo de ferrita, perla de ferrita, etc.) para bloquear o ruído de alta frecuencia.
• Minimizar a onda na fonte de alimentación do MCU. Recomendamos usar un regulador lineal no voltage subministración. Seleccione un regulador lineal con baixa saída de ruído e altas características PSRR.
• Cando hai varios dispositivos con altas cargas de corrente na placa, recomendamos inserir unha fonte de alimentación separada para a MCU. Se isto non é posible, separe o patrón na raíz da fonte de alimentación.
• Ao executar un dispositivo con alto consumo de corrente no pin MCU, use un transistor ou FET.

A Figura 4-3 mostra varios esquemas para a liña de alimentación. Vo é a fonte de alimentación voltage, é a flutuación de corrente de consumo resultante das operacións IC2, e Z é a impedancia da liña de alimentación. Vn é o voltage xerada pola liña de alimentación e pódese calcular como Vn = in×Z. O patrón GND pódese considerar do mesmo xeito. Para obter máis detalles sobre o patrón GND, consulte 4.1.2.2 Deseño do patrón GND. Na configuración (a), a liña de alimentación para a MCU é longa e as liñas de alimentación IC2 ramifican preto da fonte de alimentación da MCU. Esta configuración non se recomenda xa que o MCU voltagA subministración é susceptible ao ruído Vn cando o IC2 está en funcionamento. (b) e (c) os diagramas de circuítos de (b) e (c) son os mesmos que (a), pero os deseños do patrón difiren. (b) ramifica a liña de alimentación desde a raíz da fonte de alimentación e o efecto do ruído Vn redúcese minimizando Z entre a fonte de alimentación e a MCU. (c) tamén reduce o efecto de Vn aumentando a superficie e o ancho da liña de alimentación para minimizar Z.

Deseño de patróns GND
Dependendo do deseño do patrón, o ruído pode provocar o GND, que é o vol de referenciatage para que o MCU e os dispositivos integrados fluctúen en potencial, diminuíndo a precisión da medición de CTSU. As seguintes suxestións para o deseño do patrón GND axudarán a suprimir as posibles flutuacións.

• Cubra os espazos baleiros cun patrón GND sólido o máximo posible para minimizar a impedancia nunha gran superficie.
• Use un deseño de placa que evite que o ruído se infiltre no MCU a través da liña GND aumentando a distancia entre o MCU e os dispositivos con altas cargas de corrente e separando o MCU do patrón GND.

A Figura 4-4 mostra varios esquemas para a liña GND. Neste caso, é a flutuación de corrente de consumo resultante das operacións IC2 e Z é a impedancia da liña de alimentación. Vn é o voltage xerada pola liña GND e pódese calcular como Vn = in×Z. Na configuración (a), a liña GND ao MCU é longa e únese coa liña GND IC2 preto do pin GND do MCU. Non se recomenda esta configuración xa que o potencial GND da MCU é susceptible ao ruído Vn cando o IC2 está en funcionamento. Na configuración (b) as liñas GND únense na raíz do pin GND da fonte de alimentación. Os efectos do ruído de Vn pódense reducir separando as liñas GND do MCU e do IC2 para minimizar o espazo entre o MCU e Z. Aínda que os diagramas de circuíto de (c) e (a) son os mesmos, os deseños do patrón difiren. A configuración (c) reduce o efecto de Vn aumentando a superficie e o ancho da liña da liña GND para minimizar Z.

Conecte a GND do capacitor TSCAP ao patrón sólido GND que está conectado ao terminal VSS do MCU para que teña o mesmo potencial que o terminal VSS. Non separe a GND do capacitor TSCAP da GND da MCU. Se a impedancia entre a GND do capacitor TSCAP e a GND do MCU é alta, o rendemento de rexeitamento de ruído de alta frecuencia do capacitor TSCAP diminuirá, facéndoo máis susceptible ao ruído da fonte de alimentación e ao ruído externo.

Procesando pinos non utilizados
Deixar os pinos non utilizados nun estado de alta impedancia fai que o dispositivo sexa susceptible aos efectos do ruído externo. Asegúrese de procesar todos os pinos non utilizados despois de consultar o manual de hardware MCU Faily correspondente de cada pin. Se non se pode implementar unha resistencia de pulldown debido á falta de área de montaxe, fixe a configuración de saída do pin en baixa.

Contramedidas de ruído radiado de RF

TS Pin Damping Resistencia
O dampO resistor conectado ao pin TS e o compoñente de capacitancia parasitaria do electrodo funcionan como un filtro de paso baixo. Aumento da dampA resistencia de ing reduce a frecuencia de corte, reducindo así o nivel de ruído irradiado que se infiltra no pin TS. Non obstante, cando se alonga o período de carga ou descarga de medición capacitiva, a frecuencia do pulso do sensor debe ser reducida, o que tamén reduce a precisión da detección táctil. Para obter información sobre a sensibilidade ao cambiar o dampresistencia no método de autocapacitancia, consulte "5. Patróns de botóns do método de autocapacitancia e datos de características” no Guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos CTSU (R30AN0389)

Ruído de sinal dixital
O cableado de sinal dixital que xestiona a comunicación, como SPI e I2C, e os sinais PWM para a saída de audio e LED é unha fonte de ruído irradiado que afecta ao circuíto do electrodo táctil. Cando use sinais dixitais, teña en conta as seguintes suxestións durante o deseño stage.

• Cando o cableado inclúe esquinas en ángulo recto (90 graos), a radiación do ruído dos puntos máis agudos aumentará. Asegúrate de que as esquinas do cableado estean a 45 graos ou menos, ou curvas, para reducir a radiación do ruído.
• Cando o nivel do sinal dixital cambia, o exceso ou a subestimación irradiase como ruído de alta frecuencia. Como contramedida, inserir anuncioampresistencia de ing na liña de sinal dixital para suprimir o rebasamento ou o rebasamento. Outro método é inserir unha perla de ferrita ao longo da liña.
• Dispoñer as liñas dos sinais dixitais e o circuíto de electrodos táctiles para que non se toquen. Se a configuración require que as liñas funcionen en paralelo, manteña a maior distancia posible entre elas e insira un escudo GND ao longo da liña dixital.
• Ao executar un dispositivo con alto consumo de corrente no pin MCU, use un transistor ou FET.

Medición multifrecuencia
Cando use un MCU integrado con CTSU2, asegúrese de usar a medición de frecuencias múltiples. Para obter máis información, consulte 3.3.1 Medición multifrecuencia.

Contramedidas de ruído realizadas
A consideración da inmunidade ao ruído conducido é máis importante no deseño da fonte de alimentación do sistema que no deseño da placa MCU. Para comezar, deseña a fonte de alimentación para subministrar voltage con baixo ruído aos dispositivos montados na placa. Para obter detalles sobre a configuración da fonte de alimentación, consulte 4.1.2 Deseño da fonte de alimentación. Esta sección describe as contramedidas de ruído relacionadas coa fonte de alimentación, así como as funcións CTSU que se deben ter en conta ao deseñar a tarxeta MCU para mellorar a inmunidade ao ruído conducido.

Filtro de modo común
Coloque ou monte un filtro de modo común (estrangulador de modo común, núcleo de ferrita) para reducir o ruído que entra na placa desde o cable de alimentación. Inspeccione a frecuencia de interferencia do sistema cunha proba de ruído e seleccione un dispositivo con alta impedancia para reducir a banda de ruído de destino. Consulte os elementos respectivos xa que a posición de instalación varía segundo o tipo de filtro. Teña en conta que cada tipo de filtro colócase de forma diferente no taboleiro; consulte a explicación correspondente para obter máis detalles. Considere sempre a disposición do filtro para evitar irradiar ruído dentro da placa. A Figura 4-5 mostra un deseño de filtro de modo común Example.

Choke de modo común
O estrangulador de modo común utilízase como unha contramedida de ruído implementada na placa, o que require que estea incorporada durante a fase de deseño da tarxeta e do sistema. Cando use un estrangulador de modo común, asegúrese de usar o cableado máis curto posible inmediatamente despois do punto onde a fonte de alimentación está conectada á placa. Por example, ao conectar o cable de alimentación e a placa cun conector, colocar un filtro inmediatamente despois do conector no lado da placa evitará que o ruído que entra a través do cable se estenda pola placa.

Núcleo de ferrita
O núcleo de ferrita úsase para reducir o ruído conducido a través do cable. Cando o ruído se converte nun problema despois da montaxe do sistema, introducindo un clamp-Núcleo de ferrita tipo permítelle reducir o ruído sen cambiar a placa ou o deseño do sistema. Por example, ao conectar o cable e a placa cun conector, colocar un filtro xusto antes do conector no lado da placa minimizará o ruído que entra na placa.

Disposición do capacitor
Reduce o ruído da fonte de alimentación e o ruído de ondulación que entra na placa desde os cables de alimentación e de sinal deseñando e colocando capacitores de desacoplamento e capacitores a granel preto da liña ou terminais de alimentación do MCU.

Condensador de desacoplamento
Un capacitor de desacoplamento pode reducir o voltagA caída entre o pin da fonte de alimentación VCC ou VDD e o VSS debido ao consumo de corrente do MCU, estabilizando as medicións CTSU. Use a capacitancia recomendada que aparece no Manual do usuario do MCU, colocando o capacitor preto do pin da fonte de alimentación e do pin VSS. Outra opción é deseñar o patrón seguindo a guía de deseño de hardware para a familia MCU de destino, se está dispoñible.

Condensador a granel
Os capacitores a granel suavizarán as ondas no voltage fonte de subministración, estabilizando o voltage entre o pin de alimentación do MCU e VSS, e así estabilizar as medicións CTSU. A capacidade dos capacitores variará dependendo do deseño da fonte de alimentación; asegúrate de utilizar un valor axeitado para evitar xerar oscilacións ou voltagcae.

Medición multifrecuencia
A medición multifrecuencia, unha función de CTSU2, é eficaz para mellorar a inmunidade ao ruído conducido. Se a inmunidade ao ruído conducido é unha preocupación no seu desenvolvemento, seleccione un MCU equipado con CTSU2 para facer uso da función de medición multifrecuencia. Para máis detalles, consulte 3.3.1 Medición multifrecuencia.

Consideracións para a pantalla GND e a distancia entre electrodos
A figura 1 mostra unha imaxe da supresión de ruído usando o camiño de adición de ruído de condución da pantalla do electrodo. Colocar un escudo GND ao redor do electrodo e achegar o escudo que rodea o electrodo ao eléctrodo fortalece o acoplamento capacitivo entre o dedo e o escudo. O compoñente de ruído (VNOISE) escapa a B-GND, reducindo as flutuacións na corrente de medida CTSU. Teña en conta que canto máis preto estea o escudo do electrodo, maior será o CP, o que reducirá a sensibilidade táctil. Despois de cambiar a distancia entre o escudo e o electrodo, confirme a sensibilidade na sección 5. Método de autocapacitancia Botón Patróns e características Datos de Guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos CTSU (R30AN0389).

Filtros de software

A detección táctil usa os resultados da medición de capacitancia para determinar se un sensor foi tocado ou non (ON ou OFF) usando o controlador CTSU e o software do módulo TOUCH. O módulo CTSU realiza a redución de ruído nos resultados da medición de capacitancia e pasa os datos ao módulo TOUCH que determina o tacto. O controlador CTSU inclúe o filtro de media móbil IIR como filtro estándar. Na maioría dos casos, o filtro estándar pode proporcionar suficiente SNR e capacidade de resposta. Non obstante, pode ser necesario un procesamento de redución de ruído máis potente dependendo do sistema do usuario. A Figura 5-1 mostra o fluxo de datos a través da detección táctil. Os filtros de usuario pódense colocar entre o controlador CTSU e o módulo TOUCH para o procesamento de ruído. Consulte a nota da aplicación a continuación para obter instrucións detalladas sobre como incorporar filtros a un proxecto file así como un filtro de software sampcódigo e uso exampo proxecto file. Filtro de software táctil capacitivo da familia RA Sampo Programa (R30AN0427)

Esta sección presenta filtros eficaces para cada estándar EMC.

Táboa 5-1 Estándar EMC e filtros de software correspondentes

Norma EMC	Ruído esperado	Filtro de software correspondente
IEC 61000-4-3	Ruído aleatorio	Filtro IIR
Inmunidade radiada,
IEC 61000-4-6	Ruído periódico	Filtro FIR
Inmunidade conducida

Filtro IIR
O filtro IIR (filtro de resposta de impulso infinito) require menos memoria e ten unha pequena carga de cálculo, polo que é ideal para sistemas de baixo consumo e aplicacións con moitos botóns. Usalo como filtro de paso baixo axuda a reducir o ruído de alta frecuencia. Non obstante, hai que ter coidado xa que canto menor sexa a frecuencia de corte, maior será o tempo de asentamento, o que atrasará o proceso de xuízo ON/OFF. O filtro IIR unipolar de primeira orde calcúlase mediante a seguinte fórmula, onde a e b son coeficientes, xn é o valor de entrada, yn é o valor de saída e yn-1 é o valor de saída inmediatamente anterior.

Cando se usa o filtro IIR como filtro pasabaixo, os coeficientes a e b pódense calcular mediante a seguinte fórmula, onde o sampa frecuencia de corte é fs e a frecuencia de corte fc.

Filtro FIR
O filtro FIR (Finite Impulse Response filter) é un filtro altamente estable que incorre nun deterioro mínimo da precisión debido a erros de cálculo. Dependendo do coeficiente, pódese usar como filtro paso baixo ou filtro pasa banda, reducindo tanto o ruído periódico como o ruído aleatorio, mellorando así a SNR. Non obstante, porque o sampgárdanse e calcúlanse os ficheiros dun período anterior determinado, o uso da memoria e a carga de cálculo aumentarán en proporción á lonxitude do toque do filtro. O filtro FIR calcúlase mediante a seguinte fórmula, onde L e h0 a hL-1 son coeficientes, xn é o valor de entrada, xn-I é o valor de entrada anterior a sample i e yn é o valor de saída.

Uso Examples
Esta sección ofrece exampeliminación de ruído mediante filtros IIR e FIR. A Táboa 5-2 mostra as condicións do filtro e a Figura 5-2 mostra un example de eliminación aleatoria de ruído.

Táboa 5-2 Uso do filtro Examples

Formato de filtro	Condición 1	Condición 2	Observacións
IIR unipolar de primeira orde	b=0.5	b=0.75
ABETO	L=4 h0~ hL-1=0.25	L=8 h0~ hL-1=0.125	Use unha media móbil sinxela

Notas de uso sobre o ciclo de medición
As características de frecuencia dos filtros de software cambian dependendo da precisión do ciclo de medición. Ademais, é posible que non obteña as características de filtro esperadas debido a desviacións ou variacións no ciclo de medición. Para centrar a prioridade nas características do filtro, use un oscilador de chip de alta velocidade (HOCO) ou un oscilador de cristal externo como reloxo principal. Tamén recomendamos xestionar os ciclos de execución de medicións táctiles cun temporizador de hardware.

Glosario

Prazo	Definición
CTSU	Unidade de detección táctil capacitiva. Tamén se usa en CTSU1 e CTSU2.
CTSU1	IP CTSU de segunda xeración. Engádese "1" para diferencialo de CTSU2.
CTSU2	IP CTSU de terceira xeración.
controlador CTSU	Software de controlador CTSU incluído nos paquetes de software Renesas.
Módulo CTSU	Unha unidade de software de controlador CTSU que se pode integrar mediante o Smart Configurator.
middleware TOUCH	Middleware para o procesamento de detección táctil cando se usa CTSU incluído nos paquetes de software Renesas.
Módulo táctil	Unha unidade de middleware TOUCH que se pode integrar mediante o Smart Configurator.
módulo r_ctsu	O controlador CTSU móstrase no Smart Configurator.
módulo rm_touch	O módulo TOUCH mostrado no Smart Configurator
CCO	Oscilador de control de corrente. O oscilador controlado por corrente úsase en sensores táctiles capacitivos. Tamén está escrito como ICO nalgúns documentos.
ICO	Igual que CCO.
TSCAP	Un capacitor para estabilizar o vol interno CTSUtage.
Dampresistencia de ing	Unha resistencia utilízase para reducir os danos dos pines ou os efectos debidos ao ruído externo. Para obter máis información, consulte a Guía de deseño de electrodos táctiles capacitivos (R30AN0389).
VDC	Voltage Down Converter. Circuíto de alimentación para medición de sensor capacitivo integrado no CTSU.
Medición multifrecuencia	Unha función que usa varios reloxos de sensores con diferentes frecuencias para medir o tacto; indica a función de medición multi-reloxo.
Sensor de impulso de impulso	Sinal que acciona o capacitor conmutado.
Ruído sincrónico	Ruído á frecuencia que coincide co pulso de impulsión do sensor.
ESE	Equipos en proba. Indica o dispositivo que se vai probar.
LDO	Regulador de baixa caída
PSRR	Ración de rexeitamento da fonte de alimentación
FSP	Paquete de software flexible
Axuste	Tecnoloxía de integración do firmware.
SIS	Sistema de integración de software

Historial de revisións

Rev.	Data	Descrición
		Páx	Resumo
1.00	31 de maio de 2023	–	Revisión inicial
2.00	25 de decembro de 2023	–	Para IEC61000-4-6
		6	Engadiuse o impacto do ruído do modo común a 2.2
		7	Elementos engadidos á táboa 2-5
		9	Texto revisado en 3.1, corrixido Figura 3-1
			Texto revisado en 3-2
		10	En 3.3.1, texto revisado e engadido a Figura 3-4. Eliminouse a explicación de como cambiar a configuración para as medicións multifrecuencia e engadiuse a explicación sobre a frecuencia de interferencia na medición multifrecuencia Figura 3-5e3-5.
		11	Engadíronse documentos de referencia a 3.2.2
		14	Nota engadida sobre a conexión GND do capacitor TSCAP 4.1.2.2
		15	Engadiuse unha nota relativa ao deseño da esquina de cableado ao punto 4.2.2
		16	Engadido 4.3 Contramedidas de ruído conducido
		18	Sección 5 revisada.

Precaucións xerais no manexo de produtos de unidades de microprocesamento e unidades de microcontroladores

As seguintes notas de uso aplícanse a todos os produtos de unidades de microprocesamento e unidades de microcontroladores de Renesas. Para obter notas de uso detalladas sobre os produtos amparados neste documento, consulte as seccións relevantes do documento, así como as actualizacións técnicas que se emitiron para os produtos.

1. Precaución contra as descargas electrostáticas (ESD)
   Un campo eléctrico forte, cando se expón a un dispositivo CMOS, pode destruír o óxido da porta e, finalmente, degradar o funcionamento do dispositivo. Hai que tomar medidas para deter na medida do posible a xeración de electricidade estática, e disipala rapidamente cando se produza. O control ambiental debe ser adecuado. Cando estea seco, débese usar un humidificador. Recoméndase evitar o uso de illantes que poidan xerar electricidade estática facilmente. Os dispositivos semicondutores deben almacenarse e transportarse nun recipiente antiestático, bolsa de protección antiestática ou material condutor. Todas as ferramentas de proba e medición, incluídos os bancos de traballo e os pisos, deben estar conectadas a terra. O operador tamén debe estar conectado a terra mediante unha correa de pulso. Os dispositivos semicondutores non deben tocarse coas mans. Deben tomarse precaucións similares para placas de circuíto impreso con dispositivos semicondutores montados.
2. Procesamento ao acender
   O estado do produto non está definido no momento en que se subministra enerxía. Os estados dos circuítos internos no LSI son indeterminados e os estados das configuracións do rexistro e dos pinos non están definidos no momento en que se subministra enerxía. Nun produto acabado onde o sinal de reinicio se aplica ao pin de reinicio externo, os estados dos pinos non están garantidos desde o momento en que se subministra enerxía ata que se completa o proceso de reinicio. Do mesmo xeito, os estados dos pinos nun produto que se restablece mediante unha función de reinicio de encendido no chip non están garantidos desde o momento en que se subministra enerxía ata que a potencia alcanza o nivel no que se especifica o reinicio.
3. Entrada de sinal durante o estado de apagado
   Non introduza sinais nin unha fonte de alimentación extraíble de E/S mentres o dispositivo estea apagado. A inxección de corrente que resulta da entrada deste sinal ou da fonte de alimentación extraída de E/S pode provocar un mal funcionamento e a corrente anormal que pasa polo dispositivo neste momento pode provocar a degradación dos elementos internos. Siga as directrices para o sinal de entrada durante o estado de apagado, tal e como se describe na documentación do produto.
4. Manexo de pinos non utilizados
   Manexar os pinos non utilizados seguindo as instrucións indicadas no manual de manipulación de pinos non utilizados. Os pinos de entrada dos produtos CMOS están xeralmente no estado de alta impedancia. Cando se opera cun pin non utilizado no estado de circuíto aberto, indúcese ruído electromagnético extra nas proximidades do LSI, unha corrente de paso asociada flúe internamente e prodúcense fallos debido ao falso recoñecemento do estado do pin como sinal de entrada. facer posible.
5. Sinais de reloxo
   Despois de aplicar un reinicio, solta a liña de reinicio só despois de que o sinal do reloxo operativo se estableza. Ao cambiar o sinal do reloxo durante a execución do programa, agarde ata que se estabilice o sinal do reloxo de destino. Cando o sinal de reloxo se xera cun resonador externo ou desde un oscilador externo durante un reinicio, asegúrese de que a liña de reinicio só se libere despois da estabilización total do sinal do reloxo. Ademais, ao cambiar a un sinal de reloxo producido cun resonador externo ou por un oscilador externo mentres a execución do programa está en curso, agarde ata que o sinal de reloxo de destino estea estable.
6. VoltagForma de onda da aplicación no pin de entrada
   A distorsión da forma de onda debido ao ruído de entrada ou a unha onda reflectida pode provocar un mal funcionamento. Se a entrada do dispositivo CMOS permanece na zona entre VIL (Máx.) e VIH (Min.) debido ao ruído, por exemploample, o dispositivo pode funcionar mal. Ten coidado de evitar que entre o ruído de vibración no dispositivo cando o nivel de entrada está fixo, e tamén no período de transición cando o nivel de entrada pasa pola zona entre VIL (Máx.) e VIH (Min.).
7. Prohibición de acceso a enderezos reservados
   Prohíbese o acceso a enderezos reservados. Os enderezos reservados proporciónanse para unha posible ampliación futura das funcións. Non acceda a estes enderezos xa que non se garante o correcto funcionamento do LSI.
8. Diferenzas entre produtos
   Antes de cambiar dun produto a outro, por example, a un produto cun número de peza diferente, confirme que o cambio non provocará problemas. As características dunha unidade de microprocesamento ou produtos de unidade de microcontrolador do mesmo grupo pero que teñen un número de peza diferente poden diferir en termos de capacidade de memoria interna, patrón de deseño e outros factores, que poden afectar os intervalos de características eléctricas, como os valores característicos. , marxes de funcionamento, inmunidade ao ruído e cantidade de ruído irradiado. Cando cambie a un produto cun número de peza diferente, implemente unha proba de avaliación do sistema para o produto determinado.

Aviso

1. As descricións de circuítos, software e outra información relacionada neste documento só se ofrecen para ilustrar o funcionamento dos produtos de semicondutores e aplicacións ex.amples. Vostede é totalmente responsable da incorporación ou calquera outro uso dos circuítos, software e información no deseño do seu produto ou sistema. Renesas Electronics declina toda responsabilidade por calquera perda e dano en que incorra vostede ou terceiros derivados do uso destes circuítos, software ou información.
2. Renesas Electronics renuncia expresamente a calquera garantía e responsabilidade por infracción ou calquera outra reclamación que implique patentes, dereitos de autor ou outros dereitos de propiedade intelectual de terceiros, por ou derivados do uso dos produtos de Renesas Electronics ou da información técnica descrita neste documento, incluíndo pero sen limitarse a, os datos do produto, debuxos, gráficos, programas, algoritmos e aplicaciónsamples.
3. Non se concede ningunha licenza, expresa, implícita ou doutra forma, baixo ningunha patente, copyright ou outros dereitos de propiedade intelectual de Renesas Electronics ou doutros.
4. Será responsable de determinar cales son as licenzas que se requiren de terceiros e de obter tales licenzas para a importación, exportación, fabricación, venda, utilización, distribución ou outra eliminación legal de calquera produto que incorpore produtos de Renesas Electronics, se fose necesario.
5. Non alterará, modificará, copiará nin realizará enxeñaría inversa de ningún produto de Renesas Electronics, nin total nin parcialmente. Renesas Electronics declina toda responsabilidade por calquera perda ou dano en que incorra vostede ou terceiros que se deriven de tal alteración, modificación, copia ou enxeñaría inversa.
6. Os produtos de Renesas Electronics clasifícanse segundo os seguintes dous graos de calidade: "Estándar" e "Alta calidade". As aplicacións previstas para cada produto Renesas Electronics dependen do grao de calidade do produto, como se indica a continuación.
   “Estándar”: Ordenadores; equipos de oficina; equipos de comunicacións; equipos de proba e medida; equipos audiovisuais; electrodomésticos; máquinas ferramentas; equipos electrónicos persoais; robots industriais; etc.
   “Alta Calidade”: Equipos de transporte (automóbiles, trens, barcos, etc.); control de tráfico (semáforos); equipos de comunicación a gran escala; sistemas de terminais financeiros clave; equipos de control de seguridade; etc.
   A menos que se designe expresamente como un produto de alta fiabilidade ou un produto para ambientes duros nunha folla de datos de Renesas Electronics ou noutro documento de Renesas Electronics, os produtos de Renesas Electronics non están destinados nin autorizados para o seu uso en produtos ou sistemas que poidan supoñer unha ameaza directa para a vida humana. ou lesións corporais (dispositivos ou sistemas de soporte vital artificiais; implantacións cirúrxicas; etc.) ou pode causar danos materiais graves (sistema espacial; repetidores submarinos; sistemas de control de enerxía nuclear; sistemas de control de aeronaves; sistemas de plantas clave; equipos militares; etc.). Renesas Electronics declina calquera responsabilidade por calquera dano ou perda incorrido por vostede ou por terceiros derivados do uso de calquera produto de Renesas Electronics que sexa incompatible con calquera folla de datos de Renesas Electronics, manual do usuario ou outro documento de Renesas Electronics.
7. Ningún produto semicondutor é seguro. Sen prexuízo de calquera medida ou función de seguridade que se poida implementar nos produtos de hardware ou software de Renesas Electronics, Renesas Electronics non terá ningunha responsabilidade derivada de ningunha vulnerabilidade ou violación de seguridade, incluíndo, entre outros, o acceso ou uso non autorizado dun produto de Renesas Electronics ou un sistema que utiliza un produto Renesas Electronics. RENESAS ELECTRONICS NON GARANTÍA NI GARANTÍA QUE OS PRODUTOS DE RENESAS ELECTRONICS OU CALQUERA SISTEMA CREADO UTILIZANDO PRODUTOS DE RENESAS ELECTRONICS SERÁ INVULNERABLE OU LIBRE DE CORRUPCIÓN, ATAQUE, VIRUS, INTERFERENCIA, PIRATERÍA, PERDA DE DATOS OU OUTROS PROBLEMAS OU RURUSIÓN. . RENESAS ELECTRONICS RENUNCIA A TODA RESPONSABILIDADE OU RELACIONADA CON CALQUERA CUESTIÓN DE VULNERABILIDADE. Ademais, na medida permitida pola lei aplicable, Renesas Electronics declina todas as garantías, expresas ou implícitas, sobre este documento e calquera software ou hardware relacionado ou acompañado, incluíndo pero non limitado ás garantías implícitas de comerciabilidade ou a forma física para un particular FINALIDADE.
8. Cando utilice produtos Renesas Electronics, consulte a información máis recente do produto (fichas técnicas, manuais de usuario, notas de aplicación, “Notas xerais para o manexo e o uso de dispositivos semicondutores” no manual de fiabilidade, etc.) e asegúrese de que as condicións de uso estean dentro dos intervalos. especificado por Renesas Electronics sobre as potencias máximas, voltage gama, características de disipación de calor, instalación, etc. Renesas Electronics declina toda responsabilidade por calquera mal funcionamento, fallo ou accidente que se produza polo uso dos produtos Renesas Electronics fóra dos rangos especificados.
9. Aínda que Renesas Electronics se esforza por mellorar a calidade e fiabilidade dos produtos de Renesas Electronics, os produtos semicondutores teñen características específicas, como a aparición de avarías a un ritmo determinado e mal funcionamento en determinadas condicións de uso. A menos que se designe como un produto de alta fiabilidade ou un produto para ambientes duros nunha folla de datos de Renesas Electronics ou noutro documento de Renesas Electronics, os produtos de Renesas Electronics non están suxeitos a un deseño de resistencia á radiación. Vostede é responsable de implementar medidas de seguridade para evitar a posibilidade de lesións corporais, lesións ou danos causados ​​polo lume e/ou perigo para o público en caso de falla ou mal funcionamento dos produtos de Renesas Electronics, como o deseño de seguridade para o hardware e software, incluíndo, entre outros, a redundancia, o control de incendios e a prevención de avarías, o tratamento axeitado para a degradación do envellecemento ou calquera outra medida adecuada. Dado que só a avaliación do software de microordenadores é moi difícil e pouco práctica, vostede é o responsable de avaliar a seguridade dos produtos ou sistemas finais fabricados por vostede.
10. Póñase en contacto cunha oficina de vendas de Renesas Electronics para obter detalles sobre cuestións ambientais, como a compatibilidade ambiental de cada produto Renesas Electronics. Vostede é responsable de investigar coidadosamente e suficientemente as leis e regulamentos aplicables que regulan a inclusión ou o uso de substancias controladas, incluída, sen limitación, a Directiva RoHS da UE, e utilizar os produtos de Renesas Electronics de acordo con todas estas leis e regulamentos aplicables. Renesas Electronics declina toda responsabilidade polos danos ou perdas que se produzan como resultado do incumprimento das leis e regulamentos aplicables.
11. Os produtos e tecnoloxías de Renesas Electronics non se utilizarán nin se incorporarán a ningún produto ou sistema cuxa fabricación, uso ou venda estea prohibida en virtude das leis ou regulamentos nacionais ou estranxeiros aplicables. Cumprirás todas as leis e regulamentos de control de exportacións aplicables promulgados e administrados polos gobernos de calquera país que afirme a xurisdición sobre as partes ou transaccións.
12. É responsabilidade do comprador ou distribuidor dos produtos de Renesas Electronics, ou de calquera outra parte que distribúa, dispoña ou venda ou transfira o produto a un terceiro, notificar a este terceiro con antelación o contido e as condicións descritas no este documento.
13. Este documento non se reproducirá, reproducirá ou duplicará de ningún xeito, total ou parcialmente, sen o consentimento previo por escrito de Renesas Electronics.
14. Póñase en contacto cunha oficina de vendas de Renesas Electronics se ten algunha dúbida sobre a información contida neste documento ou os produtos de Renesas Electronics.

• (Nota 1) "Renesas Electronics" tal e como se usa neste documento significa Renesas Electronics Corporation e tamén inclúe as súas subsidiarias controladas directa ou indirectamente.
• (Nota 2) "Produto(s) de Renesas Electronics" significa calquera produto desenvolvido ou fabricado por ou para Renesas Electronics.

Sede corporativa
TOYOSU FORESIA, 3-2-24 Toyosu, Koto-ku, Tokio 135-0061, Xapón www.renesas.com

Marcas comerciais
Renesas e o logotipo de Renesas son marcas comerciais de Renesas Electronics Corporation. Todas as marcas comerciais e marcas rexistradas son propiedade dos seus respectivos propietarios.

Información de contacto
Para obter máis información sobre un produto, tecnoloxía, a versión máis actualizada dun documento ou a súa oficina de vendas máis próxima, visite www.renesas.com/contact/.

• 2023 Renesas Electronics Corporation. Todos os dereitos reservados.

Documentos/Recursos

Sensor capacitivo RENESAS RA2E1 MCU [pdfGuía do usuario RA2E1, Familia RX, Familia RA, Familia RL78, MCU de sensor capacitivo RA2E1, RA2E1, MCU de sensor capacitivo, MCU de sensor

Referencias

• Manual de usuario