Microsemi IGLOO2 HPMS DDR 橋接配置
配置選項
DDR 橋包含三個寫入組合/讀取緩衝區和一個讀取緩衝區。 DDR 橋中的所有緩衝器均使用鎖存器實現,並且不受 SRAM 所表現出的單事件干擾 (SEU) 的影響。 有關完整的詳細信息,請參閱 Microsemi IGLOO2 用戶指南。
寫緩衝區超時計數器
這是一個 10 位定時器接口,用於配置寫緩沖模塊中的超時寄存器(圖 1)。 一旦計時器達到超時值,刷新控制器將生成刷新請求,如果已從寫入仲裁器接收到對先前寫入請求的響應,則該請求將發佈到寫入仲裁器。 該寄存器對所有緩衝區都是通用的。
- 非緩衝區域大小 – 使用此選項設置不可緩沖地址區域的大小。
- 非緩衝區域地址(高 16 位)- 使用此選項設置不可緩沖地址區域的基地址。 該信號的位 [15:(N – 1)] 與 AHB 地址 [31:(N + 15)] 進行比較,以檢查該地址是否在非緩衝區域中。 N 的值取決於不可緩衝區域的大小,因此基地址是根據 DDRB_NB_SZ 寄存器定義的,該寄存器保存在此配置器中定義的不可緩衝區域大小值。
- 啟用寫入組合緩衝區 – 使用這些選項為 HPDMA 和 AHB 總線 (SWITCH) 主設備啟用寫入組合緩衝區。
- 讀/寫緩衝區的 DDR 突發大小 – 使用它根據 DDR 突發大小配置寫入緩衝區和讀取緩衝區大小。 緩衝區可以配置為 16 字節或 32 字節大小。
產品支援
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技術支援
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