HPMS DDR 桥是四个 AHB 总线主控和一个 AXI 总线从属之间的数据桥。 它在突发到外部 DDR 存储器之前将 AHB 写入累积到写入组合缓冲区中。 它还包括读取组合缓冲区，使 AHB 主控能够从本地缓冲区高效地读取外部 DDR 存储器中的数据。 DDR 桥优化了从多个主设备到单个外部 DDR 存储器的读写操作。 四个主机和外部 DDR 存储器之间的数据一致性规则在硬件中实现。
DDR 桥包含三个写入组合/读取缓冲区和一个读取缓冲区。 DDR 桥中的所有缓冲器均使用锁存器实现，并且不受 SRAM 所表现出的单事件干扰 (SEU) 的影响。 有关完整的详细信息，请参阅 Microsemi IGLOO2 用户指南。

写缓冲区超时计数器

这是一个 10 位定时器接口，用于配置写缓冲模块中的超时寄存器（图 1）。 一旦计时器达到超时值，刷新控制器将生成刷新请求，如果已从写入仲裁器接收到对先前写入请求的响应，则该请求将发布到写入仲裁器。 该寄存器对所有缓冲区都是通用的。

• 非缓冲区域大小 – 使用此选项设置不可缓冲地址区域的大小。
• 非缓冲区域地址（高 16 位）- 使用此选项设置不可缓冲地址区域的基地址。 该信号的位 [15:(N – 1)] 与 AHB 地址 [31:(N + 15)] 进行比较，以检查该地址是否在非缓冲区域中。 N 的值取决于不可缓冲区域的大小，因此基地址是根据 DDRB_NB_SZ 寄存器定义的，该寄存器保存在此配置器中定义的不可缓冲区域大小值。
• 启用写入组合缓冲区 – 使用这些选项为 HPDMA 和 AHB 总线 (SWITCH) 主设备启用写入组合缓冲区。
• 读/写缓冲区的 DDR 突发大小 – 使用它根据 DDR 突发大小配置写入缓冲区和读取缓冲区大小。 缓冲区可以配置为 16 字节或 32 字节大小。

产品支持

美高森美 SoC 产品部为其产品提供各种支持服务，包括客户服务、客户技术支持中心、 web网站、电子邮件和全球销售办事处。 本附录包含有关联系 Microsemi SoC 产品组和使用这些支持服务的信息。

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技术支援

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