RENESAS E2仿真器晶片調試仿真器使用手冊

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瑞薩電子產品根據以下兩個質量等級進行分類：“標準”和“高質量”。每個瑞薩電子產品的預期應用取決於產品的質量等級，如下所示。
- “標準”：計算機；辦公用品; 通訊設備；測試和測量設備；視聽設備；家用電器；機械工具; 個人電子設備；工業機器人；等等。
- “高品質”：運輸設備（汽車、火車、輪船等）；交通管制（紅綠燈）；大型通訊設備；關鍵金融終端系統；安全控制設備；等等。
  除非在瑞薩電子數據表或其他瑞薩電子文檔中明確指定為高可靠性產品或適用於惡劣環境的產品，否則瑞薩電子產品不打算或未授權用於可能對人類生命構成直接威脅的產品或系統或人身傷害（人工生命支持設備或系統；手術植入等），或可能造成嚴重財產損失（空間系統；海底中繼器；核電控制系統；飛機控制系統；關鍵工廠系統；軍事設備等）。對於您或任何第三方因使用與任何瑞薩電子數據表、用戶手冊或其他瑞薩電子文件不一致的任何瑞薩電子產品而導致的任何損害或損失，瑞薩電子不承擔任何責任。

沒有任何半導體產品是絕對安全的。儘管瑞薩電子硬件或軟件產品中可能實施了任何安全措施或功能，但瑞薩電子對因任何漏洞或安全漏洞（包括但不限於任何未經授權訪問或使用瑞薩電子產品）而產生的任何責任概不負責或使用瑞薩電子產品的系統。 RENESAS ELECTRONICS 不保證或保證 RENESAS ELECTRONICS 產品或使用 RENESAS ELECTRONICS 產品創建的任何系統不會受到損害或不受腐敗、攻擊、病毒、干擾、黑客攻擊（“漏洞安全性”、）。瑞薩電子不承擔由任何漏洞問題引起或與之相關的任何和所有責任。此外，在適用法律允許的範圍內，瑞薩電子不對本文檔和任何相關或隨附的軟件或硬件（包括不包括不包括一個特殊的目的。
使用瑞薩電子產品時，請參閱最新的產品資訊（資料表、使用手冊、應用說明、可靠性手冊中的「處理和使用半導體裝置的一般注意事項」等），並確保使用條件在範圍內瑞薩電子指定的最大額定值、工作電源電壓tag範圍、散熱特性、安裝等。

儘管瑞薩電子致力於提高瑞薩電子產品的品質和可靠性，但半導體產品具有特定的特性，例如以一定的頻率發生故障以及在特定的使用條件下發生故障。除非瑞薩電子資料表或其他瑞薩電子文件中指定為高可靠性產品或適用於惡劣環境的產品，否則瑞薩電子產品不受輻射設計的限制。您有責任實施安全措施，以防止在瑞薩電子產品發生故障或失靈時可能造成人身傷害、火災造成的傷害或損害，和/或對公眾造成危險，例如硬體和設備的安全設計。但不限於冗餘、火災控制和故障預防、老化退化的適當處理或任何其他適當的措施。由於單獨評估微機軟體是非常困難且不切實際的，因此您有責任評估您製造的最終產品或系統的安全性。
請聯絡瑞薩電子銷售辦事處，以了解有關環境問題的詳細信息，例如每種瑞薩電子產品的環境相容性。您有責任仔細、充分地調查規範受管制物質的包含或使用的適用法律和法規，包括但不限於歐盟 RoHS 指令，並按照所有這些適用的法律和法規使用瑞薩電子產品。對於您未遵守適用法律和法規而造成的損害或損失，瑞薩電子不承擔任何責任。

瑞薩電子的產品和技術不得用於或納入任何適用的國內或國外法律或法規禁止製造、使用或銷售的產品或系統。您應遵守對各方或交易擁有管轄權的任何國家政府頒布和管理的任何適用的出口管制法律和法規。
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如果您對本文檔中包含的信息或瑞薩電子產品有任何疑問，請聯繫瑞薩電子銷售辦事處。

(注1) 本文件中使用的“瑞薩電子”是指瑞薩電子公司，還包括其直接或間接控制的子公司。

(注2) “瑞薩電子產品”是指由瑞薩電子開發或製造或為瑞薩電子開發或製造的任何產品。

處理微處理單元和微控制器的一般注意事項

單位產品

以下使用說明適用於瑞薩電子的所有微處理單元和微控制器單元產品。有關本文檔涵蓋的產品的詳細使用說明，請參閱本文檔的相關部分以及針對產品發布的任何技術更新。

靜電放電 (ESD) 預防措施
當暴露於 CMOS 器件時，強電場會導致柵極氧化層損壞並最終降低器件的運行性能。必須採取措施盡可能阻止靜電的產生，並在發生時迅速將其消散。環境控制必須充分。乾燥時，應使用加濕器。建議避免使用容易產生靜電的絕緣體。半導體器件必須在防靜電容器、靜電屏蔽袋或導電材料中儲存和運輸。包括工作台和地板在內的所有測試和測量工具都必須接地。操作員還必須使用腕帶接地。不得赤手觸摸半導體器件。對於安裝有半導體器件的印刷電路板，必須採取類似的預防措施。
開機處理
產品在通電時的狀態是不確定的。 LSI 內部電路的狀態是不確定的，並且在供電時寄存器設置和引腳的狀態是不確定的。在復位信號施加到外部復位引腳的成品中，從通電到復位過程完成，引腳的狀態是無法保證的。同理，通過片上上電複位功能複位的產品的引腳狀態，從上電開始到電源達到規定的複位電平，均無法保證。

斷電狀態下的信號輸入
設備斷電時請勿輸入信號或 I/O 上拉電源。由於輸入此類信號或 I/O 上拉電源而導致的電流注入可能會導致故障，此時通過設備的異常電流可能會導致內部元件的劣化。遵循產品文檔中所述的關機狀態下的輸入信號指南。
未使用引腳的處理
按照手冊中未使用針腳處理下的說明處理未使用的針腳。 CMOS產品的輸入引腳一般都處於高阻狀態。在未使用的引腳處於開路狀態的情況下運行時，在 LSI 附近會感應出額外的電磁噪聲，相關的直通電流會在內部流動，並且由於引腳狀態被錯誤識別為輸入信號而導致故障成為可能。
時鐘信號
應用複位後，只有在工作時鐘信號穩定後才釋放復位線。在程序執行過程中切換時鐘信號時，請等待目標時鐘信號穩定。當時鐘信號由外部諧振器或外部振盪器在復位期間產生時，請確保僅在時鐘信號完全穩定後才釋放復位線。此外，在程序執行過程中切換到由外部諧振器或外部振盪器產生的時鐘信號時，請等待目標時鐘信號穩定。
卷tag輸入引腳上的應用波形
由於輸入噪聲或反射波導致的波形失真可能會導致故障。如果 CMOS 器件的輸入由於噪聲而停留在 VIL (Max.) 和 VIH (Min.) 之間的區域，例如ample，設備可能會出現故障。當輸入電平固定時，以及輸入電平通過 VIL（最大值）和 VIH（最小值）之間的區域時，請注意防止顫振噪聲進入設備。
禁止訪問保留地址
禁止訪問保留地址。保留地址是為將來可能的功能擴展而提供的。不要訪問這些地址，因為不能保證 LSI 的正確操作。
產品之間的差異
在從一種產品更改為另一種產品之前，例如amp對於具有不同部件號的產品，請確認更改不會導致問題。同一組中但具有不同零件編號的微處理單元或微控制器單元產品的特性可能會在內部存儲器容量、佈局模式和其他因素方面有所不同，這些因素會影響電氣特性的範圍，例如特性值、操作裕度、抗噪聲能力和輻射噪聲量。當更改為具有不同部件號的產品時，對給定產品進行系統評估測試。

術語
本使用手冊中所使用的一些特定字詞的定義如下。

主機
這意味著用於控制模擬器的個人電腦。

使用者係統
指的是使用待調試MCU的使用者應用系統。

用戶程序
這意味著要調試的程序。

程式設計軟體
在本文檔中，這表示可與 E2 或 E2 Lite 一起使用的瑞薩快閃記憶體程式設計器。

模擬器
在本文檔中，這是指 E2 或 E2 Lite。

超過view

超過view E2 模擬器與 E2 模擬器 Lite
在本文檔中，我們將“E2 Emulator”描述為“E2”，將“E2 Emulator Lite”描述為“E2 Lite”。 E2 和 E2 Lite 是瑞薩主流 MCU 的片上偵錯模擬器。

E2 Lite 是價格非常實惠的開發工具，提供基本的調試功能。 E2 的高速下載速度高達 E2 Lite 的兩倍。此外，E2 還可提供 1.8V 至 5.0V 範圍內以 0.1V 間隔調節的電源。作為開發工具，E2 允許比 E2 Lite 更高級的調試。 E2 和 E2 Lite 也可以用作快閃記憶體編程器。

E2/E2 Lite手冊的配置

E2/E2 Lite 手冊包含以下內容。

E2仿真器使用手冊
E2 模擬器 Lite 使用手冊
E2 Emulator、E2 Emulator Lite 使用手冊附加文檔

在使用 E2 或 E2 Lite 之前，請務必閱讀每本使用手冊。

E2模擬器使用手冊
E2仿真器使用手冊有以下內容：
- E2 的組件
- E2硬體規格
- 連接E2與主機及用戶系統

E2 模擬器 Lite 使用手冊
E2 Emulator Lite 使用手冊包含以下內容：
- E2 Lite 的組件
- E2 Lite硬體規格
- 連接 E2 Lite 與主機和用戶系統
E2 Emulator、E2 Emulator Lite 使用手冊附加文件（RISC-V MCU 設備連接注意事項）（本文檔）
E2 Emulator、E2 Emulator Lite 使用者手冊附加文件（RISC-V MCU 設備連接注意事項）描述了硬體設計所需的信息，例如連接擴展amp文件和介面電路。

Renesas Flash Programmer 快閃記憶體程式設計軟體使用手冊
Renesas Flash Programmer 快閃記憶體程式設計軟體使用手冊介紹了軟體的規格以及 Renesas Flash Programmer 的操作方法。
- 有關 E2 或 E2 Lite 仿真器偵錯器的偵錯配置，請參閱 e2 studio 的說明系統。

準備
從以下連結取得整合開發環境 (IDE) 和其他所需的軟體 URL 並將它們安裝在主機上。
https://www.renesas.com/development-tools

支援的設備

表 1.1 支援的設備列表

支援設備	E2		E2 精簡版
支援設備	cJTAG 如果	SCI	cJTAG 如果	SCI
R9A02G021	數據庫	PRG	數據庫	PRG

資料庫組： 可用於調試，PRG：可用於Flash編程

設計使用者係統

連接模擬器與使用者係統
若要連接模擬器，必須在用戶系統上安裝用戶系統介面電纜的連接器。
設計使用者係統時，請閱讀本手冊的本節和使用手冊：給定 MCU 的硬體。

在用戶系統上安裝連接器
表 2.1 和表 2.2 分別列出了模擬器建議的連接器和使用者係統介面電纜。

表 2.1 推薦連接器

連接器	型號編號	製造商	規格
20 針（1.27 毫米針距）連接器	FTSH-110-01-L-DV-K	Samtec公司	20 針表面黏著技術 (SMT) 直型
20 針（1.27 毫米針距）連接器	FTSH-110-01-L-DV-007-K （無針腳 7 的連接器）	Samtec公司	20 針表面黏著技術 (SMT) 直型
10 針（1.27 毫米針距）連接器	FTSH-105-01-L-DV-K	Samtec公司	10針SMT直型
10 針（1.27 毫米針距）連接器	FTSH-105-01-L-DV* （沒有用於匹配連接器位置的標記；鍵控護罩）	Samtec公司	10針SMT直型
10 針（1.27 毫米針距）連接器	FTSH-105-01-L-DV-007-K （無針腳 7 的連接器）	Samtec公司	10針SMT直型

筆記： 使用不含導引標記的連接器（鍵控罩型）時，請注意電纜的插入方向。

表 2.2 用戶系統介面電纜

電纜類型	型號編號	E2	E2 精簡版
20 針至 20 針電纜* （適用於 20 針（1.27 毫米針距）連接器）	RTE0T00020KCAC0000J	隨產品附帶	單獨販售
20 針轉 10 針電纜（適用於 20 針（1.27 毫米針距）連接器）	RTE0T00020KCAC1000J	單獨販售	單獨販售

筆記： 20 針轉 20 針電纜可連接至無導引 10 針（1.27 毫米針距）連接器；但是，執行此操作時，請檢查引腳分配並注意電纜插入的方向。

僅在確認用戶系統連接埠連接器上沒有對齊不匹配後才連接模擬器。錯誤的連接會導致主機、模擬器和使用者係統冒煙或著火。

將使用者係統介面電纜連接到20 針連接器圖2.1 顯示如何將使用者係統介面電纜連接到20 針連接器。

警告
連接器插拔注意事項：

連接或斷開用戶系統介面電纜與模擬器或用戶系統時，請抓住電纜末端的連接器蓋。拉動電纜本身會損壞接線。
另外，請注意用戶系統介面電纜具有必須插入的方向。如果電纜連接方向錯誤，可能會損壞電纜。

使用者係統上連接器的引腳分配

20 針和 10 針連接器規格
圖 2-2 顯示了 20 針和 10 針（1.27 毫米間距）連接器的規格。

表2.3 顯示 cJ 的引腳分配TAG 介面連接，分別。

表2.3 cJ 的腳位分配TAG 接口連接

別針不。	訊號	方向*1	筆記
1	電壓控制電路	–	電源
2	TMMSC	輸入/輸出	對於 cJTAG
3	接地	–
4	TCKC	輸入	對於 cJTAG
5	接地	–
6	TXD0 (P302)	輸出	對於SCI
7	NC	–
8	接收D0 (P303)	輸入	對於SCI
9	聯合大學聯盟	–	將此訊號連接到用戶系統上的地。用於確認模擬器和使用者係統之間的連接。
10	RES	輸入/輸出	使用者係統重置
11*2	NC	–
12*2	NC	–
13*2	NC	–
14*2	NC	–
15*2	接地	–
16*2	NC	–
17*2	接地	–
18*2	NC	–
19*2	接地	–
20*2	NC	–

筆記

使用者係統的輸入或輸出。
「輸入」是指從模擬器到使用者係統的輸入，「輸出」是指從使用者係統到模擬器的輸出。
如果使用者係統上安裝了 10 針連接器，則不使用針 11 至 20。

連接器與MCU之間的建議電路
本節介紹連接器和 MCU 之間連接的建議電路。有關訊號處理的詳細信息，請參閱第 2.5 節「連接注意事項」。

cJTAG 接口連接
圖 2.3 顯示了透過唯一的 cJ 連接的推薦電路TAG 接口。

筆記
規格可能因目標 MCU 而異。在給定 MCU 的使用手冊中確認用於快閃記憶體編程的引腳規格。

連接注意事項
連接器和 MCU 之間的接線圖案必須盡可能短（建議在 50 mm 以內）。請勿將連接器和MCU之間的訊號線連接到板上的其他訊號線。
有關模擬器未使用時引腳的處理，請參閱使用手冊：給定 MCU 的硬體。

RES 腳
仿真器使用 RES 腳位。
如果使用者係統包含使用者邏輯重設電路，則重設電路的輸出訊號必須透過集電極開路緩衝器連接到連接器的 RES 接腳，如下所示。如果沒有重設電路，則連接器的 RES 接腳必須直接連接到 MCU 的 RES 接腳。

卷tagRES 線上的 e 必須滿足裝置的電氣特性，且上升時間不超過 9 ms。

醫學博士針
若要使用快閃程式設計器繼續進行串列編程，請讓 MCU 在 UART (SAU) 開機模式下啟動。

根據需要在使用者係統上安裝用於切換MD引腳電平的開關（請參閱圖2-5）。
當您要使用 MD 引腳選擇 UART (SAU) 啟動模式時，請將 MD 引腳設定為低電位。
當需要使用 MD 引腳選擇單晶片模式來執行或偵錯使用者程式時，請將 MD 引腳設定為高電位。

大多數 MCU 的 MD 接腳上都安裝有上拉電阻。請參閱使用手冊：給定 MCU 的硬件，確認 MCU 的 MD 引腳上是否安裝了上拉電阻。

接地
標有“GND”的連接器引腳必須與 MCU 的 VSS 引腳處於相同接地電平。

電壓控制電路
將連接器的VCC連接到用戶係統的VCC（電源）。
使用電源電壓範圍內的仿真器tage 為 1.8 V 至 5.5 V，且在工作電壓範圍內tagMCU 和 cJ 的 e 系列TAG.

當從模擬器以外的地方供電給使用者係統時，E2/E2 Lite 會消耗模擬器最後一個輸出和第一個輸入緩衝器的電源。

E2： 3.3V：約20mA，5.0V：約40mA
E2精簡版： 3.3V：約20mA，5.0V：約40mA

E2/E2 Lite 可以為簡單的評估系統供電。

E2： 可提供 1.8 V 至 5.0 V 電源，最高 200 mA。
E2精簡版： 可提供 3.3 V 電源、高達 200 mA 的電流。

使用 E2 或 E2 Lite 的供電功能時，請檢查電量tage 實際上是提供給使用者係統的，因為這取決於環境。

E2/E2 Lite 的供電取決於主機 USB 供電質量，精度無法保證。當編寫需要可靠性的程序時，請勿使用E2/E2 Lite 的供電功能。為使用者係統使用穩定、獨立的電源。作為在大量生產過程中編寫程式時的軟體，請使用瑞薩快閃記憶體程式設計器。

有關編程軟體的詳細信息，請參閱以下內容：
瑞薩閃存程式設計器： https://www.renesas.com/RFP

當MCU變更為低功耗模式時，內部調試電路繼續運作。這會導致 MCU 消耗的電流多於目標 MCU 直流特性中所列的電流。

警告

開啟/關閉電源的警告：
供電時，確保Vcc和GND之間沒有短路。僅在確認用戶系統連接埠連接器上沒有對準不匹配後才能連接 E2/E2 Lite。不正確的連線會導致主機、E2/E2 Lite 和使用者係統冒煙或著火。

RxD9 和 TxD9 引腳（透過 SCI 進行快閃記憶體編程）
當透過 SCI 對快閃記憶體進行程式設計時，RxD9 和 TxD9 引腳必須連接到模擬器。對於 RxD9 和 TxD9 引腳可以分配給多個引腳的 MCU，請檢查使用者的

手動： 給定 MCU 的硬件，用於確認啟動模式下使用哪個引腳。

仿真器內部電路

E2內部電路
圖2-6和圖2-7分別顯示了E2的C版和D版產品的內部電路。 E2主機上的序號末端的字母表示產品版本。

圖 2-6 E2 (Rev. C) 的內部電路

筆記：
如果使用者係統上安裝了 10 針連接器，則不使用針 11 至 20。

圖 2-7 E2 (Rev. D) 的內部電路

筆記
如果使用者係統上安裝了 10 針連接器，則不使用針 11 至 20。

E2 Lite 的內部電路
E2 Lite 的內部電路如圖8-2 所示。

使用注意事項

開啟/關閉電源
請依照以下步驟開啟模擬器和使用者係統的電源。

當使用者係統使用單獨的電源時

檢查電源是否關閉。
檢查使用者係統是否已關閉。
連接用戶系統。
使用用戶系統介面電纜連接模擬器和用戶系統。
連接主機並開啟模擬器。
用USB介面線連接模擬器和主機。 E2/E2 Lite 透過連接 USB 連接埠電纜開啟。

啟動仿真器偵錯器或程式軟體。
啟動仿真器偵錯器或程式軟體。
打開用戶系統。
打開用戶系統。
將仿真器偵錯器或程式軟體連接到仿真器。
連線可能因軟體而異。

斷開仿真器與仿真器偵錯器或程式軟體的連接。
斷開連線可能因軟體而異。
關閉用戶系統。
關閉用戶系統。
關閉仿真偵錯器或程式軟體。
關閉仿真偵錯器或程式軟體。

關閉模擬器並斷開模擬器。
斷開 USB 連接埠連接線與模擬器的連接。斷開 USB 連接埠連接線即可關閉 E2/E2 Lite。
斷開用戶系統。
中斷用戶系統介面電纜與用戶系統的連接。

警告
使用者係統電源注意事項：

當使用者係統電源開啟時，請勿關閉主機或拔除 USB 連接埠電纜。
使用者係統可能因漏電流而損壞。

當從仿真器供電給用戶系統時

連接用戶系統。
使用用戶系統介面電纜連接模擬器和用戶系統。
連接主機並開啟模擬器。
用USB介面線連接模擬器和主機，然後開啟模擬器。

啟動模擬器調試器。
啟動仿真器偵錯器並選擇使用者係統的電源設定。
在[連接設定]標籤頁的[電源]下，為[來自模擬器的電源目標(最大200mA)]選擇[是]。有關如何開啟 [偵錯配置] 視窗的信息，請參閱第 3.3 節「使用模擬器偵錯器的注意事項」。
將仿真器偵錯器或程式軟體連接到仿真器。
連線可能因軟體而異。

斷開仿真器與仿真器偵錯器或程式軟體的連接。斷開連線可能因軟體而異。

關閉仿真偵錯器或程式軟體。
關閉仿真偵錯器或程式軟體。
關閉模擬器並斷開模擬器。
中斷 USB 介面連接線與模擬器的連接，然後關閉模擬器。
斷開用戶系統。
中斷用戶系統介面電纜與用戶系統的連接。

E2/E2 Lite 的供電功能
E2/E2 Lite 可以為簡單的評估系統供電。

E2： 可提供 1.8 V 至 5.0 V 電源，最高 200 mA。
E2精簡版： 可提供 3.3 V 電源、高達 200 mA 的電流。

使用 E2 或 E2 Lite 的供電功能時，請檢查電量tage 實際上是提供給使用者係統的，因為這取決於環境。

使用仿真器偵錯器的注意事項
本節介紹如何設定 e2 studio 的 [偵錯配置] 視窗。若要開啟 [偵錯配置] 窗口，請按一下 [執行] → [偵錯配置…] 或視窗旁的向下箭頭圖示→ [調試配置...]。

連接仿真器調試器的注意事項

重設狀態
在連接到模擬器偵錯器期間，模擬器在 MCU 的 RES# 引腳上保持低電平輸出，並將 MCU 置於 OCD 模式。

啟動方式
連接模擬偵錯器後，處理使用者係統上的接腳，使MCU的啟動模式為單晶片模式。
單晶片模式下，MD接腳為高電位。在 SCI 引導模式下無法正確連接仿真器偵錯器。
重寫ID碼後調試
如果 ID 代碼（OSIS 暫存器）已重寫，請輸入新的 ID 代碼。
這裡，要輸入的ID代碼是指在[連線設定]標籤頁面的[連線]下的[ID代碼(位元組)]中輸入的值。
輸入 ID 代碼的 ALeRASE 指令（適用於 RA8 系列以外的產品）
如果在[Connection Settings] 選項卡頁的[Connection] 下的[ID Code (Bytes)] 中輸入ALeRASE 指令(FFFFFFFFFFFFFFFFFF45534152654C41)，則當仿真器啟動時，程式碼快閃記憶體、資料快閃記憶體和選項設定記憶體將會被擦除。
有關輸入 ALeRASE 命令的詳細信息，請參閱 e2 studio 幫助系統中的 E2/E2 Lite (RA) 連接設定。
有關 ALeRASE 指令可用的條件，請參閱使用手冊：給定 MCU 的硬體。如果輸入 ALeRASE 命令，則連接了模擬器偵錯器，但該命令在 MCU 上不可用，會出現錯誤訊息“無法透過用於擦除所有快閃記憶體的 ID 來擦除所有快閃記憶體。”顯示並暫停連線進程。

連接速度
模擬器與目標板的連接速度在下列上限值內指定。
- cJTAG (E2)：8250 kHz
- cJTAG (E2 Lite)：1000 kHz 固定

選擇[自動]時，將自動設定最大可連線速度。

涉及閃存重新編程的調試操作的注意事項

「涉及快閃記憶體重新編程的偵錯操作」係指仿真器偵錯器的以下操作。

將資料下載到快閃記憶體
使用快閃記憶體中的軟體中斷功能
- 設定和取消斷點
- 從斷點執行或單步執行程序
- 在設定中斷的狀態下使用「Run to Line」功能
  1. 用於重新編程快閃記憶體的程序
    由於仿真器調試器使得能夠進行涉及閃存的重新編程的調試操作，因此仿真器將用於對閃存進行重新編程的程序寫入片上SRAM並執行該程序以對閃存進行重新編程。閃存重新編程後，仿真器偵錯器將片上 SRAM 恢復到初始狀態。
  2. 用於重新編程快閃記憶體的程式的分配目標
    預設情況下，用於重新編程快閃記憶體的程式會指派到從 SRAM4 區域起始位址開始的 0 KB 空間（對於不包含 SRAM0 區域的元件，從 SRAMHS 區域起始位址開始）。如果因安全設定或DMAC/DTC傳輸*而導致預設分配目的地不可用，請在[Flash]下的[Work RAM Start Address]中以1000h位元組為單位輸入片上RAM中可用空間的起始位址在模擬器偵錯器的[偵錯工具設定]選項卡頁面上。
    筆記： 即使在中斷期間，DMAC 或 DTC 也將繼續運作。請注意 DMAC 或 DTC 的傳輸來源或目標不在要分配程式的工作 RAM 的位址範圍內。
  3. 執行程式期間的中斷和重設以重新編程快閃記憶體
    當執行重新編程快閃記憶體的程式時，除不可屏蔽中斷之外的中斷將被屏蔽。另外，為了正確地執行用於重新編程快閃記憶體的程序，在執行該程序之前已經設定的所有中斷來源標誌都被清除。
    如果發生不可屏蔽中斷，模擬器將繼續執行對快閃記憶體進行重新編程的程式。如果在執行對快閃記憶體重新編程的程式時發生復位，則模擬器將顯示錯誤訊息並停止處理。由於這樣做可能會損壞快閃記憶體的內容，因此請勿在程式運行時套用重設。
  4. 具備將資料下載到快閃記憶體的條件
    當MCU滿足以下所有條件時，可以繼續將資料下載到快閃記憶體。
    - MCU 的程式碼快閃記憶體處於讀取模式。
    - MCU 的系統時脈 (ICLK) 頻率為 1 MHz 或更高。
    - MCU 處於中速或高速模式。
      筆記： 對於模擬器偵錯器的[連線設定]標籤頁中的[時鐘]，當[寫入片上快閃記憶體時允許變更時脈來源]選擇[是]時，可以排除條件(b)和(c)。
      如果在不滿足任何條件的情況下將資料下載到閃存，則模擬器將顯示錯誤訊息並停止處理。在這種情況下，請在CPU重設後重新開始將資料下載到閃存，或在重新啟動後重新連接模擬器偵錯器。view荷蘭國際集團的設置。
  5. 訪問視窗函數
    當要使用MCU 的存取視窗功能時，只需對指定存取區域的Flash 記憶體進行重新編程即可。
  6. Flash讀取保護功能
    調試期間不得啟用 Flash 讀取保護功能。可以從設定為快閃記憶體讀取保護的區域取得數據，但不能讀取。如果嘗試從這樣的區域讀取，則讀取的值將全部為 0x00。如果在偵錯期間繼續編程或在指定用於快閃記憶體讀取保護的區域中設定軟體中斷，則包含該區域的整個區塊可能會初始化為 0x00。特別是，如果 ID 代碼 (OSIS) 區域受到快閃記憶體讀取保護的保護，則編程或設定軟體中斷將導致 ID 代碼 (OSIS) 區域被初始化為 0x00，並且無法對裝置進行偵錯。
  7. 在快閃記憶體中使用軟體中斷的條件
    當MCU滿足以下所有條件時，快閃記憶體的軟體斷點功能啟用。
    - MCU 的程式碼快閃記憶體處於讀取模式。
    - MCU 的系統時脈 (ICLK) 頻率為 1 MHz 或更高。
    - MCU 處於中速或高速模式。
    - 對於[偵錯工具設定]標籤頁中的[中斷]，將[使用Flash斷點]選擇為[是]。
      筆記： 對於模擬器偵錯器的[連線設定]標籤頁中的[時鐘]，當[寫入片上快閃記憶體時允許變更時脈來源]選擇[是]時，可以排除條件(b)和(c)。
      如果在不滿足任何條件的情況下使用軟體中斷功能，模擬器將顯示錯誤訊息。在這種情況下，請使用硬體中斷或確認符合上述條件 (a) 至 (d)。
  8. 快閃記憶體I/O暫存器
    在涉及快閃記憶體重新編程的偵錯操作之後，快閃記憶體I/O暫存器的值被仿真器偵錯器重寫。

關於在片上 SRAM 中使用軟體中斷的注意事項

使用者程式覆蓋軟體斷點
如果軟體斷點被使用者程式覆蓋，程式即使運行到該位址也不會停止。在這種情況下，請在程式重寫目標片上SRAM 後設定軟體斷點。

使用軟體中斷的注意事項（片上 SRAM 和快閃記憶體通用）

讀取已設定軟體斷點的位址
不要讀取使用者程式已設定軟體斷點的位址。這樣做可能會導致程式以與正常狀態不同的方式運作。
View在[內存]中查找內存 view
在使用者程式執行過程中，如果[Memory]中顯示設定了軟體斷點的記憶體範圍 view 仿真器偵錯器顯示的值（ebreak指令碼）與實際程式資料中的值不同。

當仿真器調試器斷開連接時刪除軟體斷點
當要中斷仿真偵錯器時，請刪除所有已設定的軟體斷點。
此時，由於仿真器偵錯器肯定會對快閃記憶體進行重新編程，因此需要重設CPU。

調試器佔用外設I/O寄存器注意事項

調試器佔用的外圍I/O暫存器
仿真器偵錯器在偵錯期間佔用以下外圍 I/O 暫存器。不要更改這些暫存器的值，因為更改後可能無法繼續調試。
- 調試停止控制暫存器（DBGSTOPCR）
- 系統控制OCD控制暫存器（SYOCDCR）

低功耗模式註意事項

在軟體待機或休眠模式下調試
在軟體待機或休眠模式下，模擬器偵錯器無法存取 MCU 的系統匯流排。當使用者程式正在執行時或在 MCU 的模式轉換期間，設定和 view無法存取記憶體或外圍 I/O 暫存器以及設定和更改斷點。

在軟體待機或小睡模式下強制停止程序
當程式在軟體待機或貪睡模式下被強制停止時，請進行以下操作。此操作導致從軟體待機或休眠模式中釋放。
- 使用[暫停 ] 仿真器偵錯器在導致模式轉換的 WFI 指令之後的下一指令處停止 MCU。當[暫停若要使用[連線]，請在模擬器偵錯器的[連線設定]標籤頁面的[連線]中，將[低功耗處理]選擇為[是]。