SmartFusion2 MSS
DDR 橋配置
配置選項
DDR 橋接器是四個 AHB 匯流排主設備和單一 AXI 匯流排從設備之間的資料橋。它先將 AHB 寫入累積到寫入組合緩衝區中，然後再突發到外部 DDR 記憶體。它還包括讀取組合緩衝區，使 AHB 主設備能夠從本地緩衝區有效地讀取外部 DDR 記憶體的資料。 DDR 橋接器最佳化了從多個主設備到單一外部 DDR 記憶體的讀取和寫入。四個主設備和外部 DDR 記憶體之間的資料一致性規則在硬體中實現。
DDR 橋接器包含 2 個寫入組合/讀取緩衝區和 XNUMX 個讀取緩衝區。 DDR 橋接器內的所有緩衝器均透過鎖存器實現，並且不受 SRAM 所表現出的單事件幹擾 (SEU) 的影響。有關完整詳細信息，請參閱 Microsemi SmartFusionXNUMX 使用者指南。
配置選項
寫入緩衝區逾時計數器 – 這是一個 10 位定時器接口，用於配置寫緩沖模塊中的超時寄存器（圖 1）。 一旦計時器達到超時值，刷新控制器將生成刷新請求，如果已從寫入仲裁器接收到對先前寫入請求的響應，則該請求將發佈到寫入仲裁器。 該寄存器對所有緩衝區都是通用的。
圖1·配置DDR橋
不可緩衝區域大小 – 使用此選項設定不可緩衝位址區域的大小。
不可緩衝區域位址 – 使用此選項設定不可緩衝位址區域的基底位址。此訊號的位元[15:(N – 1)]與AHB位址[31:(N + 15)]進行比較，以檢查位址是否在非緩衝區域。 N 的值取決於非緩衝區域大小，因此基底位址是根據 DDRB_NB_SZ 暫存器定義的，該暫存器保存此配置器中定義的非緩衝區域大小值。
啟用寫入組合緩衝區 – 使用這些選項可為 DS、HPDMA 和 AHB 匯流排 (SWITCH) 主裝置啟用寫入組合緩衝區。
啟用讀取緩衝區 – 使用這些選項啟用 DS、HPDMA 和 AHB 匯流排 (SWITCH) 以及 IDC 主裝置的讀取緩衝區。
讀/寫緩衝區的 DDR 突發大小 – 使用此選項可根據 DDR 突發大小配置寫入緩衝區和讀取緩衝區大小。 IDC 讀緩衝區的固定大小為 32 位元組。其他緩衝區可以配置為 16 位元組或 32 位元組大小。
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