STMicroelectronics UM1996 X-NUCLEO-IHM08M1 低容量入门tage BLDC 电机驱动器
产品信息
规格
- 用于 BLDC/PMSM 电机的三相驱动板
- 标称工作容积tag电压范围为 8 V 至 48 V DC
- 15ARMS 输出电流
- 工作频率可由固件选择
- 过流检测和保护（30 APEAK）
- 热测量和过热保护
- 完全兼容ST六步或ST FOC控制算法
- 完全支持无传感器和传感器模式
- 用于电机电流感应的 3 分流器和 1 分流器可配置跳线
- 霍尔/编码器电机传感器连接器和电路
- 用于 DAC、GPIO 等的调试连接器。
- 电位器可用于调速
常问问题
- Q: 什么是标称运行容量tagX-NUCLEO-IHM08M1 的范围？
- A: 标称运行容量tag范围为 8 V 至 48 V DC。
- Q: X-NUCLEO-IHM08M1 的目标应用是什么？
- A: 目标应用包括低容量tage PMSM 电机驱动器、低功率风扇、电动工具和工业驱动器。
介绍
X-NUCLEO-IHM08M1 是一款三相无刷直流电机驱动器扩展板，基于适用于 STM7 Nucleo 的 STripFET™ F220 功率 MOSFET STL6N7F32。它提供了经济实惠且易于使用的解决方案，用于驱动 STM32 Nucleo 项目中的三相无刷直流电机。 X-NUCLEO-IHM08M1 与 ST morpho 连接器兼容，并支持在单个 STM32 Nucleo 板上进一步堆叠其他板。您还可以安装 Arduino™ UNO R3 连接器。
X-NUCLEO-IHM08M1 完全可配置，可支持基于无传感器或传感器模式控制的不同闭环控制场景，并且兼容三分流或单分流电流感应测量。此 STM6398 Nucleo 扩展板上使用的 L32 IC 驱动器是用于 N 沟道功率 MOSFET 的单芯片半桥栅极驱动器。 L6398 栅极驱动器和 STL220N6F7 功率 MOSFET 的组合形成了 BLDC 电机的大电流功率平台，而 STM32 Nucleo 板支持的数字部分可实现 6 步或 FOC 控制算法解决方案，您可以通过固件。本文档介绍如何配置 X-NUCLEO-IHM08M1 扩展板以与 STM32 Nucleo 板配合使用。
系统结束view
主要特征
- 用于 BLDC/PMSM 电机的三相驱动板
- 标称工作容积tag电压范围为 8 V 至 48 V DC
- 15ARMS 输出电流
- 工作频率可由固件选择
- 过流检测和保护（30 APEAK）
- 热测量和过热保护
- 完全兼容ST六步或ST FOC控制算法
- 完全支持无传感器和传感器模式
- 用于电机电流感应的 3 分流器和 1 分流器可配置跳线
- 霍尔/编码器电机传感器连接器和电路
- 用于 DAC、GPIO 等的调试连接器。
- 电位器可用于调速
- 用户指示灯
- 与 STM32 Nucleo 板兼容
- 配备 ST morpho 连接器
- 符合 RoHS 规定
目标应用
X-NUCLEO-IHM08M1 的目标应用包括：
- 低音量tage PMSM 电机驱动器
- 低功率风扇
- 电动工具
- 工业驱动
入门
系统架构
通用电机控制系统基本上可以概括为三个主要功能块的排列（请参阅系统功能硬件块）：
- 控制块接受用户命令来驱动电机。 X-NUCLEO-IHM08M1基于STM32 Nucleo板，提供有效电机驱动控制的所有数字信号。
- 电源块基于三相逆变器拓扑。电源模块的核心是嵌入式 L3 驱动器，其中包含执行低电压工作所需的所有有源电源和模拟组件。tage PMSM 电机控制。
- 电机 X-NUCLEO-IHM08M1 能够正确驱动低电压tage BLDC/PMSM 电机。
本节介绍如何在具有低容量的 STM32 Nucleo 板上编写和执行应用程序之前设置不同的硬件部分tage BLDC 电机驱动器扩展板。
构建系统
X-NUCLEO-IHM08M1 扩展板（上图中的电源块）是 STM32 Nucleo 板的完整硬件开发平台，可有效评估单个 BLDC/PMSM 电机的电机控制解决方案。对于常规的主板操作，请按照以下步骤操作：
- 通过 ST morpho 连接器将扩展板插入 STM32 Nucleo 主板（控制块）；此连接只允许有一个位置。确保 STM1 Nucleo 板上的蓝色 (B2) 和黑色 (B32) 按钮未被覆盖，如下所示。
STM32 Nucleo 板和 X-NUCLEO-IHM08M1 扩展板之间的互连旨在与各种 STM32 Nucleo 板完全兼容，无需任何焊桥修改。
连接 BLDC/PMSM 电机后，堆叠系统即可运行。为了正确使用，请遵循硬件和软件设置。有关软件详细信息，请参阅 X-CUBE-MCSDK 文档 www.st.com.
- 将三根电机线 U、V、W 连接至 J16 连接器。
- 要选择控制算法（6 步或 FOC），请确保没有 voltag电源已连接。
在STM32 NUCLEO板上，设置跳线：JP1打开，E5V侧的JP5（PWR），JP6（IDD）关闭。
在X-NUCLEO-IHM08M1扩展板上，设置跳线：J9打开，JP3关闭。- 对于6步控制，设置跳线：JP1和JP2开路，J5和J6在1-Sh侧。保持电容器C5安装；如果启动期间电机电流调节不良，请减小该值。
- 对于 FOC 控制，设置跳线：JP1 和 JP2 闭合，J5 和 J6 在 3-Sh 侧。拆下电容器 C3、C5 和 C7。
- 连接直流电源电压tage 连接至 J1 连接器。需要外部电源来为电源板和 STM32 Nucleo 板供电。确保为所连接的电机提供正确的电源； （例如，BR12 电机的最大电压为 2V 和 2804A）。
笔记：
当使用额定电压大于 12 V 的不同电机时，在施加上电电压之前，请保持电源板上的跳线 J9 断开。tage 位于 J1 以避免损坏 Nucleo 板。要通过 USB 为 STM32-NUCLEO 供电，请将跳线 JP5 连接在 PIN 1 和 PIN2 之间。有关 Nucleo 设置的更多详细信息，请参阅 UM1724，网址为 http://www.st.com.
硬件设置
X-NUCLEO-IHM08M1默认提供电源电压tage 用于 STM32 Nucleo 板（E5V 上+5V）独立通过电源电压tage应用于J1连接器。去掉扩展板上的电阻R170，即可断开内部电压tag例如，如果需要更高的转换效率，请调节并选择跳线 J9 直接从 J32 连接器为 STM1 Nucleo 板供电（请参见表 1. 跳线设置）。对于最后一个配置，请阅读下面的建议。
表 1. 跳线设置
| 跳线 | 允许的配置 | 默认条件 |
| JP1 | 电流检测电路中上拉插入 (BIAS) 的选择 | 打开 |
| JP2 | 操作选择 amp电流检测电路中的放大器增益修改 | 打开 |
| JP3 | 在霍尔/编码器检测电路中启用上拉的选择 | 关闭 |
|
J9 |
选择通过 X-NUCLEO-IHM32M08 为 STM1 Nucleo 板供电。
笔记： J9 上电前应先移除跳线 J1。 不要 当 J12 闭合时，请在 J1 上提供超过 9 V 的直流电压，否则可能会损坏 STM32 Nucleo 板。 STM5 Nucleo 板上的跳线 JP32 必须连接在 PIN 2 和 3 之间，以启用 STM32 Nucleo 板的外部供电。 |
打开 |
| J5 | 选择单/三分流器配置。默认设置为单分流 | 1Sh |
| J6 | 选择单/三分流器配置。默认设置为单分流 | 1Sh |
| J7 | DAC 调试连接器。可用于探头连接 | 打开 |
表 2. 螺钉端子
| 螺丝端子 | 功能 |
| J1 | 电机电源输入（8V～48V） |
| J16 | 三相电机连接器 |
X-NUCLEO-IHM08M1 电源块在电路板两侧均配有 ST morpho 公排针连接器（CN7 和 CN10），可用于将该电源板连接到 STM32 Nucleo 板。 ST morpho 连接器上提供所有 MCU 信号和电源引脚。
如需了解更多详细信息，请参阅 UM1724 文档（5.12 STMicroelectronics morpho 连接器），网址为 web地点 www.st.com.
表 3. ST morpho 连接器 – CN7
| 别针 | 信号 | 焊桥 |
| 1 | ||
| 2 | ||
| 3 | ||
| 4 | ||
| 5 | ||
| 6 | +5 V 用于 STM32 Nucleo 电源 | R170 |
| 7 | ||
| 8 | ||
| 9 | ||
| 10 | ||
| 11 | ||
| 12 | ||
| 13 | ||
| 14 | ||
| 15 | ||
| 16 | ||
| 17 | 编码器A/霍尔H1 | R79 |
| 18 | 编码器/霍尔 PS voltage | |
| 19 | ||
| 20 | ||
| 21 | ||
| 22 | ||
| 23 | 蓝色按钮 | |
| 24 | J9 | |
| 25 | ||
| 26 | ||
| 27 | ||
| 28 | 当前_fdbk_PhA | R47 |
| 29 | ||
| 30 | VBUS_感应 | R51 |
| 31 | ||
| 32 | DAC_Ch、电位计 (1) | R76 近乎，R181 |
| 33 | ||
| 34 | VL – TIM1_CH2N | R67 |
| 35 | 温度反馈 | R54 |
| 36 | 当前_fdbk_PhB | R48 |
| 37 | 电磁流量计1 | R59 |
| 38 | 当前_fdbk_PhC | R50 |
- 默认情况下，电位器连接在 PA4 上。对于 DAC 使用，请移除电阻器 R181。
表 4. ST morpho 连接器 – CN10
| 别针 | 信号 | 焊桥 |
| 1 | GPIO_反电动势 | R55 |
| 2 | ||
| 3 | ||
| 4 | ||
| 5 | ||
| 6 | 电磁流量计3 | R65 |
| 7 | ||
| 8 | ||
| 9 | ||
| 10 | ||
| 11 | GPIO/DAC/脉宽调制 | R80 NM |
| 12 | 输出端 | R52 |
| 13 | 巴金 | R78 |
| 14 | 巴金 | R73 |
| 15 | UL – TIM1_CH1N | R58 |
| 16 | ||
| 17 | ||
| 18 | 电磁流量计2 | R60 |
| 19 | ||
| 20 | ||
| 21 | VH – TIM1_CH2 | R64 |
| 22 | LED 红色 | R83 |
| 23 | 呃 – TIM1_CH1 | R56 |
| 24 | WL – TIM1_CH3N | R72 |
| 25 | 编码器Z/霍尔H3 | R84 |
| 26 | UL – TIM1_CH1N | R86 |
| 27 | 当前参考 | R77 |
| 28 | 巴金 | R74 |
| 29 | GPIO/DAC/脉宽调制 | R85 |
| 30 | GPIO/DAC/脉宽调制 | R82 NM |
| 31 | 编码器B/霍尔H2 | R81 |
| 32 | ||
| 33 | WH – TIM1_CH3 | R70 |
| 34 | 电磁流量计2 | R61 |
| 35 | ||
| 36 | ||
| 37 | ||
| 38 |
电路板原理图
电路说明
电源部分
L6398 栅极驱动器和 STL220N6F7 STripFET™ F7 功率 MOSFET
主要部分基于：
- L6398 单芯片半桥栅极驱动器，用于 N 沟道功率 MOSFET – 高电压tag采用 BCD“离线”技术制造的设备。高侧（浮动）部分设计用于处理卷tag电压轨高达 600 V，逻辑输入与 CMOS/TTL 兼容，电压低至 3.3 V，可轻松连接微控制器/DSP。
- STL220N6F7 260 A – 60 V N 沟道功率 MOSFET – 基于 STripFET™ F7 技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现非常低的通态电阻，同时还减少内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。其特点：
- 市场上最低的 RDS(on)：0.0014 Ω
- 出色的品质因数 (FoM)
- 低 Crss/Ciss 比，可抗电磁干扰
- 高雪崩坚固性
这些器件共同构成了 BLDC 电机的大电流功率平台。主要供应量tage 通过外部连接器（J1）提供，可以设置跳线（J9）来选择数字部分是否
（STM32 Nucleo 板）通过 USB（USB A 型至 Mini-B USB 电缆）或扩展板供电。默认情况下，STM32 nucleo 扩展板提供供电量tage 通过其内部卷连接到 STM32 Nucleo 板tage 稳压器，但如果需要更高的转换效率并且输入电压较高，您可以选择直接从 J1 电源连接器供电。tage 低于 12 V DC（参见表 1. 跳线设置）。
过流检测 (OCP) 和电流感应测量
过流保护（OCP）由带有检测电路的硬件实现。该电流与嵌入式电流基准（由 MCU）进行比较，输出在 BKIN 引脚接地时生成故障条件。该引脚连接到 STM32 Nucleo 板（BKIN 定时器功能），检测到这种情况并立即禁用驱动信号（参见下图）。
电流检测输入（请参阅以下三个原理图）连接到检测电阻，您可以通过跳线 J5 和 J6 选择三分流器或单分流器配置（请参阅跳线设置表）。
笔记： 该板必须根据电机控制算法进行配置：
- 对于 6 步控制，请保留电容器 C5，但如果启动期间电机电流调节不佳，请减小其值；
- 对于 FOC 控制，请移除电容器 C3、C5 和 C7。
模拟部分
霍尔/编码器电机速度传感器
X-NUCLEO-IHM08M1扩展板实现了用于速度测量的霍尔/编码器传感器检测电路，其原理图如下图所示。电机传感器引脚通过 J3 连接器和模拟电路连接到 STM32 Nucleo 板，以确定电机旋转；还提供+5 V 和GND 来为传感器供电。跳线 JP3 可用于需要外部上拉的传感器（请参阅跳线设置表）。
BEMF检测电路
X-NUCLEO-IHM08M1 扩展板提供两种用于电机位置测量的硬件解决方案：一种基于传感器（请参阅第 4.2.1 节：霍尔/编码器电机速度传感器），另一种基于无传感器检测。在 6 步驱动模式下，三相中的一相处于高阻状态，我们可以通过比较 vol 来检测 BEMF 过零事件。tag该阶段的 e 与中心抽头卷tage.该信号是通过板上嵌入的模拟电路获取的，如下所示。
X-NUCLEO-IHM08M1扩展板提供总线卷硬件tage 传感和温度测量。该信号通过电阻分压器和嵌入式 NTC（靠近 STL220N6F7 功率 MOSFET）采集，如下所示。
物料清单
表 5. BOM
|
物品 |
数量 |
参考 |
部分/值 |
卷tage/瓦特/ Amp埃雷 | 类型/技术
信息 |
宽容 |
|
1 |
10 |
C1,C12,C16, C19,C23,C27, C89,C124,C12 6,C128 |
100nF |
50伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
2 |
1 |
C2 |
4.7uF 10V |
10伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
20％ |
|
3 |
3 |
C3,C5,C7 |
15纳法 10伏 |
10伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
4 |
3 |
C4,C6,C8 |
100pF/6.3V |
6.3伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
5 |
4 |
C10,C125,C12 7,C129 |
10纳法 10伏 |
10伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
6 |
2 |
C11,C13 |
100nF |
100伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
7 |
1 |
C14 |
4.7nF |
10伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
8 |
1 |
C18 |
10nF纳米 |
10伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
9 |
3 |
C20,C21,C22 |
10pF |
10伏 |
陶瓷多层电容器C0G |
5% |
|
10 |
1 |
C28 |
100nF |
100伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
11 |
1 |
C29 |
10微法 |
25伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
12 |
1 |
C88 |
47微法 |
25伏 |
功能性高分子铝固体电解电容器 |
0.2 |
|
13 |
1 |
C30 |
820pF |
25伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
14 |
2 |
C31,C32 |
10微法 |
50伏 |
陶瓷多层电容器 X5R |
10％ |
|
15 |
6 |
C100,C101,C1 06,C107,C116, C117 |
100pF |
6.3伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
16 |
3 |
C102,C108,C1 18 |
470nF |
25伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
17 |
3 |
C103,C109,C1 19 |
1微法 |
50伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
|
18 |
6 |
C104,C105,C1 10,C111,C120, C121 |
NM |
25伏 |
陶瓷多层电容器 X7R |
10％ |
| 19 | 2 | C114,C123 | 330微法 | 63伏 | 电解电容器 | 0.2 |
| 20 | 1 | D1 | SMBJ48A-TR | 特兰西尔 | ||
|
21 |
16 |
D2、D3、D4、D5、
D6,D7,D8,D9, D10,D12,D21, D22,D23,D24, D25,D26 |
BAT30K电影 |
30伏，0.3安 |
ST肖特基二极管 |
|
| 22 | 1 | D11 | 红色的 | LED 标准 – SMD | ||
|
23 |
4 |
D14、D15、D16、D17 |
STPS0560Z |
60伏/0.5安 |
ST POWER 肖特基二极管 | |
|
24 |
4 |
JP1、JP2、JP3、J9 |
JUMPER |
2 路剥线-公头
2.54毫米 |
||
|
25 |
1 |
J1 |
输入连接器 |
2路6.35mm PCB接线端子 | ||
|
26 |
1 |
J3 |
带状线 m. 1×5 |
5 路剥线-公头
2.54毫米 |
||
| 27 | 2 | J4、J8 | 戒指 | 测试点1
mm |
||
| 28 | 2 | J5、J6 | 分流 | 50A | JUMPER-锡滴 | |
|
29 |
1 |
J7 |
带状线 m. 1×3 |
3 路剥线-公头
2.54毫米 |
||
|
30 |
1 |
J16 |
电机连接器 |
3路6.35mm PCB接线端子 | ||
|
31 |
2 |
CN7,CN10 |
CN7,CN10 ST_MORPHO_19x2 |
高位插座 ST MORPHO 连接器 38 针 (19×2) | ||
|
32 |
2 |
CN6,CN9 |
CN6,CN9 |
8 针高架插座 | ||
|
33 |
1 |
CN5 |
CN5 |
10 针高架插座 | ||
|
34 |
1 |
CN8 |
CN8 |
6 针高架插座 | ||
| 35 | 1 | L3 | 8.2uH | 520毫安 | SMT功率电感 |
| 36 | 6 | Q7、Q8、Q9、Q10
,Q11,Q12 |
STL220N6F7 | 60伏，220安 | 功率MOSFET | |
| 37 | 3 | R1 R6，R12 | 6.8kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 38 | 3 | R4 R9，R15 | 1kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 39 | 4 | R5,R10,R11,R 16 | 4.7kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 40 | 6 | R2,R7,R13,R1 71,R174,R176 | 680 Ω | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
|
41 |
34 |
R3,R8,R14,R4 7,R48,R50,R5
1、R52、R54、R5 5、R56、R58、R5 9、R60、R61、R6 2、R63、R64、R6 5、R67、R70、R7 2、R73、R74、R7 7、R78、R79、R8 1、R84、R85、R8 6、R170、R178、R181 |
0 Ω |
0.1 瓦 |
贴片电阻 |
|
| 42 | 1 | R17 | 169kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 43 | 1 | R18 | 9.31kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 44 | 1 | R19 | 负温度系数 10kΩ | NTC热敏电阻 | 1% | |
| 45 | 1 | R20 | 4.7kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 46 | 2 | 21 兰特，179 兰特 | 33kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
|
47 |
13 |
R23,R27,R28, R29,R148,R15 1,R154,R157, R163,R166,R1 72,R175,R177 |
10kΩ |
0.1 瓦 |
贴片电阻 |
|
| 48 | 3 | R30 R31，R32 | 1.8kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 49 | 3 | R33 R34，R35 | 4.7kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 50 | 3 | R36 R37，R38 | 2.2kΩ | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | 1% |
| 51 | 3 | R39 R40，R41 | 10kΩ | 0.125 瓦 | 贴片电阻 | |
| 52 | 1 | R42 | 100kΩ | 1/2瓦 | 微调电阻 | 10％ |
| 53 | 3 | R43 R44，R45 | 0.01 Ω | 3W | 10 mΩ 分流电阻 | 1% |
| 54 | 4 | R76、R80、R82、R182 | 0 海里 | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 55 | 1 | R83 | 510 Ω | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 56 | 1 | R127 | 30千 | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 57 | 1 | R128 | 2.7千 | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 58 | 1 | R130 | 47千 | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
|
59 |
6 |
R149,R152,R1 55,R158,R164, R167 |
100 |
0.1 瓦 |
贴片电阻 |
|
|
60 |
6 |
R150,R153,R1 56,R159,R165, R168 |
56 |
0.1 瓦 |
贴片电阻 |
| 61 | 1 | R180 | 一千 | 0.1 瓦 | 贴片电阻 | |
| 62 | 1 | U10 | TSV994IPT | 操作 Amp扩音器 | ||
|
63 |
1 |
U4 |
ST1S14PHR |
50伏，3安 |
3A降压开关稳压器 | |
|
64 |
1 |
U19 |
LD1117S50TR |
低滴体积tag电子调节器 | ||
|
65 |
3 |
U20,U21,U22 |
L6398 |
600伏 |
高音量tag高侧和低侧驱动器 | |
| 66 | 4 | U23、U24、U25、U26 | LMV331 | 3.3伏 | 低音量tag电子比较器 | |
| 67 | 4 | (*) 跳线 | 母2.54mm跳线 |
表 6. BOM
| 物品 | 包裹 | 制造商 | 制造商的订购代码/可订购零件号 | 其他说明 |
| 1 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 2 | 0805 | 东电化学 | C2012X7R1A475M125AC | |
| 3 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 4 | 0603 | 任何 | 任何 | 未安装 |
| 5 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 6 | 0805 | 任何 | 任何 | |
| 7 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 8 | 0603 | 任何 | 任何 | 未安装 |
| 9 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 10 | 0603 | |||
| 11 | 0805 | 村田 | GRM21BR61E106KA73L | |
| 12 | 贴片6.3mm直径 | 尼吉康 | RSS1E470MCN1GS | |
| 13 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 14 | 1206 | 村田 | GRM31CR61H106KA12L | |
| 15 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 16 | 0805 | 任何 | 任何 | |
| 17 | 0805 | 任何 | 任何 | |
| 18 | 0603 | 任何 | 任何 | 未安装 |
| 19 | 通孔 | 尼吉康 | UPS1J331MHD | |
| 20 | 贴片 | 意法半导体 | SMBJ48A-TR | |
| 21 | SOD-523 | 意法半导体 | BAT30K电影 | |
| 22 | 贴片 0603 | 光宝 | LTST-C193KRKT-5A | |
| 23 | SOD-123 | 意法半导体 | STPS0560Z | |
| 24 | TH 2.54 毫米间距 | 任何 | 使用母跳线安装 (*) |
| 25 | TH 6.35 毫米间距 | 菲尼克斯电气 | 1714955 | |
| 26 | TH 2.54 毫米间距 | 任何 | ||
| 27 | TH | 维罗科技 | 20-2137 | |
| 28 | 1sh方向掉锡JUMPER（见装配图） | |||
| 29 | TH 2.54 毫米间距 | 任何 | ||
| 30 | TH 6.35 毫米间距 | 菲尼克斯电气 | 1714968 | |
|
31 |
TH 2.54 毫米间距 |
Samtec公司 |
ESQ-119-24-TD |
替代方案：4UCONN 8413 信息：男在上，女在下 |
|
32 |
TH 2.54 毫米间距 |
Samtec公司 |
ESQ-108-24-TS |
替代方案：4UCONN 15284 安装信息：母头在顶部，公头在底部 - 未安装 |
|
33 |
TH 2.54 毫米间距 |
Samtec公司 |
ESQ-110-24-TS |
替代方案：4UCONN 15286 安装信息：母头在顶部，公头在底部 - 未安装 |
|
34 |
TH 2.54 毫米间距 |
Samtec公司 |
ESQ-106-24-TS |
替代方案：4UCONN 15282 安装信息：母头在顶部，公头在底部 - 未安装 |
| 35 | 贴片 | 线艺 | EPL2010-822MLB | |
| 36 | 动力扁平 | 意法半导体 | ||
| 37 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 38 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 39 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 40 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 41 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 42 | 0603 | 松下 | ERJ3EKF1693V | |
| 43 | 0603 | 松下 | ERJ3EKF9311V | |
| 44 | 0402 | 东电化学 | NTCG103JF103F | |
| 45 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 46 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 47 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 48 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 49 | 0603 | 任何 | 任何 | 未安装 |
| 50 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 51 | 0805 | 任何 | 任何 | |
| 52 | 通孔 | 伯恩斯 | 3386G-1-104LF | |
| 53 | 2512 | 柯阿·斯皮尔 | TLR3APDTE10L0F50 | |
| 54 | 0603 | 任何 | 任何 | 未安装 |
| 55 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 56 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 57 | 0603 | 任何 | 任何 |
| 58 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 59 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 60 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 61 | 0603 | 任何 | 任何 | |
| 62 | 薄型结构小尺寸 | 意法半导体 | TSV994IPT | |
| 63 | HSOP8 – 裸露焊盘 | 意法半导体 | ST1S14PHR | |
| 64 | SOT-223 | 意法半导体 | LD1117S50TR | |
| 65 | SO-8 | 意法半导体 | L6398D | |
| 66 | SOT23-5 | 意法半导体 | LMV331ILT | |
| 67 | 提供但未组装 |
X-NUCLEO-IHM08M1 STM32 PMSM FOC SDK参数
表 7. STM32 PMSM FOC SDK 参数
| 范围 | X-NUCLEO-IHM08M1默认值 | 单元 |
| ICL 被拒之门外 | 已禁用 | |
| 耗散制动器 | 已禁用 | |
| 总线容量tag传感 | 已启用 | |
| 总线容量tage分频器 | 19 | |
| 最小额定容量tage | 8 | V |
| 最大额定容量tage | 50 | V |
| 标称体积tage | 12 | V |
| 温度感应 | 已启用 | |
| V0 | 1055 | mV |
| T0 | 25.0 | 摄氏度 |
| ΔV/ΔT | 22.7 | 毫伏/℃ |
| 传感器最高工作温度 | 110 | 摄氏度 |
| 过流保护 | 已启用 | |
| 比较器阈值 | 0.30 | V |
| 过电流网络偏移 | 0 | V |
| 过电流网络增益 | 0.01 | V / A |
| 预期过流阈值 | 30 | A |
| 过流反馈信号极性 | 低电平有效 | |
| 过流保护禁用网络 | 已禁用 | |
| 过流保护禁用网络极性 | 任何 | |
| 电流感应 | 已启用 | |
| 当前读取拓扑 | 三个分流器或一个分流电阻器，具体取决于配置 | |
| 分流电阻值 | 0.010 | Ω |
| Amp提高网络增益 | 5.18 | |
| T噪声 | 1000 | ns |
| T-上升 | 1000 | ns |
| U、V、W 驱动器 高侧驱动信号 | 高电平有效 | |
| U、V、W 驱动器 低侧驱动信号由高侧补充 | 已禁用 | |
| U、V、W 驱动器 低端驱动信号极性 | 低电平有效 |
修订历史
表 8. 文档修订历史
| 日期 | 版本 | 更改 |
| 03 年 2015 月 XNUMX 日 | 1 | 初始版本。 |
| 18 年 2016 月 XNUMX 日 | 2 | 更新了图 1：“X-NUCLEO-IHM08M1 低电压tag基于STL220N6F7的用于STM32 Nucleo的BLDC电机驱动器扩展板”
更新了图 2：“系统功能硬件模块” 更新了第 2.2 节：“构建系统” |
| 06 年 2017 月 XNUMX 日 | 3 | 在过流检测 (OCP) 和电流感应测量中：添加了 FOC 设置（C3、C5 和 C7 电容器）的建议。 |
| 05 年 2024 月 XNUMX 日 | 4 | 更新了第 2.2 节：构建系统、表 3. ST morpho 连接器 – CN7、表 4. ST morpho 连接器 – CN10。 |
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STMicroelectronics UM1996 X-NUCLEO-IHM08M1 低容量入门tage BLDC 电机驱动器 [pdf] 用户指南 UM1996 X-NUCLEO-IHM08M1 低容量入门tage BLDC 电机驱动器，UM1996，X-NUCLEO-IHM08M1 低电压入门tage BLDC 电机驱动器，低电压tage BLDC 电机驱动器、BLDC 电机驱动器、电机驱动器 |