Microsemi SmartFusion2 MSS 单一错误纠正
介绍
在易受辐射的环境中，RAM 和 FIFO 等存储元件容易受到重离子引起的瞬态错误的影响。 可以通过使用错误检测和纠正 (EDAC) 来检测和纠正错误。 SmartFusion2 中实现的 EDAC 控制器支持单错误校正和双错误检测 (SECDED)。 SmartFusion2 中受 EDAC 保护的存储器是 eSRAM、USB 内部存储器、以太网 MAC 传输和接收内部 FIFO、控制器局域网 (CAN) 控制器内部 RAM、PCIe FIFO 和外部 DDR 存储器。
在配置器中输入的值将导出到编程中 files 用于控制此功能的闪存位的编程。 闪存位在加电时加载到系统寄存器中（或当 DEVRST_N 外部焊盘有效/无效时）。
有关完整的详细信息，请参阅 Microsemi SmartFusion2 用户指南。
要配置 PCIe 内核，请使用高速串行接口配置器。 对于结构 DDR 控制器，请使用 DDR 内存控制器配置器。 这两个配置器都可以从 Libero IP 目录中获得。
配置选项
公开 EDAC_ERROR 总线——使用此选项将 EDAC_ERROR 总线信号公开给 FPGA 结构，供您的设计使用。
启用 EDAC——使用此选项可为以下每个块启用 EDAC 功能：eSRAM0、eSRAM1、缓存、以太网 MAC TX 和 RX RAM、USB 和 CAN。
Enable EDAC Interrupt(s)——使用此选项为以下每个块启用 EDAC 中断：eSRAM0、eSRAM1、缓存、以太网 MAC TX 和 RX RAM、USB 和 CAN。 您可以选择为 1 位错误、2 位错误或两者启用中断，如图 1-1 所示。
图 1-1 • 启用 EDAC
启用 MDDR ECC 中断 – 使用该选项启用 MSS DDR (MDDR) ECC 中断（图 1-2）。
图 1-2 • MSS SECDED 配置器
端口描述
表 2-1 • 端口说明
| 端口名称 | 方向 | 软垫？ | 描述 |
| EDAC_总线[0] | 出去 | 不 | (ESRAM0_EDAC_1E & ESRAM0_EDAC_1E_EN) || (ESRAM0_EDAC_2E & ESRAM0_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[1] | 出去 | 不 | (ESRAM1_EDAC_1E & ESRAM1_EDAC_1E_EN) || (ESRAM1_EDAC_2E & ESRAM1_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[2] | 出去 | 不 | (CC_EDAC_1E & CC_EDAC_1E_EN) || (CC_EDAC_2E & CC_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[3] | 出去 | 不 | (USB_EDAC_1E & USB_EDAC_1E_EN) || (USB_EDAC_2E & USB_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[4] | 出去 | 不 | (CAN_EDAC_1E & CAN_EDAC_1E_EN) || (CAN_EDAC_2E & CAN_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[5] | 出去 | 不 | (MAC_TX_EDAC_1E & MAX_TX_EDAC_1E_EN) || (MAC_TX_EDAC_2E & MAC_TX_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[6] | 出去 | 不 | (MAC_RX_EDAC_1E & MAC_RX_EDAC_1E_EN) || (MAC_RX_EDAC_2E & MAC_RX_EDAC_2E_EN) |
| EDAC_总线[7] | 出去 | 不 | MDDR_ECC_INT & MDDR_ECC_INT_EN |
产品支持
美高森美 SoC 产品部为其产品提供各种支持服务，包括客户服务、客户技术支持中心、 web网站、电子邮件和全球销售办事处。 本附录包含有关联系 Microsemi SoC 产品组和使用这些支持服务的信息。
客户服务
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- 传真，来自世界各地，408.643.6913
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技术支援
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Web地点
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电子邮件
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美高森美公司（纳斯达克股票代码：MSCC）为以下领域提供全面的半导体解决方案组合：航空航天、国防和安全； 企业和通信； 以及工业和替代能源市场。 产品包括高性能、高可靠性模拟和射频设备、混合信号和射频集成电路、可定制的 SoC、FPGA 和完整的子系统。 Microsemi 总部位于加利福尼亚州的 Aliso Viejo。了解更多信息，请访问 www.microsemi.com.
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