Системаҳои GaN GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS Доираи пӯшидаи аналогии Синфи D AmpДастури истифодабарандаи модули lifier
ХАТАР
ҲАНГОТИ БАРҶОРӢ ШУДАН БА ПАХТА даст нарасонед ва ба ҳама ҷузъҳо иҷозат диҳед, ки пеш аз коркарди тахта барқро пурра холӣ кунанд.
ВОЛИ баландTAGВАКТЕ КИ ОН БА МАНБАИ КУВВА ПАЙВАСТ КАРДА ШАВАД, МЕТАВОНАД ДАР ПАХТА ФОШ ШАВАД. ХАТТО ТАМОМИ МУХТАСАР ДАР ВАКТИ АМАЛИЁТ МЕТАВОНАД БА ЗАХРОТИ ЧИДДИ ВА МАРГ НАТИЧА ДИХАД.
Лутфан боварӣ ҳосил кунед, ки тартиботи бехатарии мувофиқ риоя карда мешаванд. Ин маҷмӯаи арзёбӣ барои арзёбии муҳандисӣ дар муҳити лабораторияи назоратшаванда тарҳрезӣ шудааст ва бояд ТАНҲО аз ҷониби кормандони соҳибихтисос идора карда шаванд. Ҳеҷ гоҳ тахтаи коркунандаро беназорат нагузоред.
ОГОҲ
Баъзе ҷузъҳо ҳангоми кор ва баъд аз кор метавонанд гарм шаванд. Дар ин маҷмӯаи баҳодиҳӣ ягон муҳофизати барқӣ ё гармӣ мавҷуд нест. Ҷилди амалиётӣtagд, ҳарорати ҷорӣ ва ҷузъҳо бояд ҳангоми кор бодиққат назорат карда шавад, то вайроншавии дастгоҳ пешгирӣ карда шавад.
Огоҳӣ
Ин маҳсулот қисмҳоеро дар бар мегирад, ки аз разряди электростатикӣ (ESD) осебпазиранд. Ҳангоми коркарди маҳсулот ҳамеша тартиби пешгирии ESD-ро риоя кунед.
GS-EVM-AUD-AMPТавсифи CL1-GS
Муқаддима
Ин дастури техникӣ хусусиятҳо ва манфиатҳои ҳалқаи пӯшидаи аналогии Синфи D-ро таъкид мекунад AmpМодули баландбардори GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS. Ин мустақилона 200 ватт дар як канали Class-D ampтарҳи истинод ба модули liifier барои истеҳсолкунандагони баландгӯякҳои барқдор ва стерео ва бисёрканалҳои мустақил аст ampбардорандагон. Системаҳои GaN GS-EVM-AUD-AMPCL1 GS дар атрофи ҳолати такмилдиҳии транзисторҳои барқии GaN-on-silicon ва технологияи насли ояндаи ронанда таҳия шудааст. Ин ду технологияи насли оянда бо филтрҳои баландсифати баромад барои сифати беҳтарини аудио ва садо якҷоя карда шудаанд. GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS дар шароити муқаррарии корӣ бидуни гармкунаки гармкунак тарҳрезӣ шудааст. Муҳофизати гармидиҳӣ барои муҳити бадтарини гармӣ бо самаранокии баланд таъмин карда мешавад, ки гармӣ ва андозаи системаро коҳиш медиҳад.
Мақсад
Мақсади ин модули баҳодиҳӣ таъмин намудани мукаммали GaN-и баландсифати Синфи D мебошад. Ampҳалли лифтер бо самаранокии баланд, кам кардани гармӣ, кам кардани андоза ва вазни система аз сабаби набудани гармкунак, муҳофизати зебо, барқарорсозии худкор ва ҳамгироии осон бо ҳалли таъминоти барқии режими фурӯзон. Ин ҳалли ҳамаҷонибаи GaN Systems, дар якҷоягӣ бо дигар системаҳои GaN, ки тарҳҳои истинодҳои аудиоиро нашр кардаанд, ба тарроҳони системаҳои аудиоӣ дар саросари бозорҳо имкон медиҳад, ки тарҳҳоро омехта ва мувофиқ созанд ва самаранокии соҳаҳои мушаххаси худро ба ҳадди аксар расонанд.
Вижагиҳо
- Аудиои пурраи мустақили Синфи D AmpМодули ҳаётбахш
- 200W / Channel x 2 ба 8Ω
- 300W / Channel x2 ба 4Ω
- Топологияи дугонаи нимпулӣ ё BTL "Бруки басташуда" барои баромади истинод ба замин
- Вуруди аудиоии аналогии ҳамгирошудаи I2S "Inter-IC Sound"
- Аналогии ҳамгирошудаи S/PDIF "Формати Sony/Philips Digital Interconnect" ва Вурудҳои аудиоии ёрирасон
- Вокуниши басомади +/- 0.5dB (8Ω, 20Hz то 20KHz)
- +/- Талабот ба таъминоти барқ 32VDC
- Ҳалли пурра барномарезишаванда ва ҳамгирошудаи DSP бо DAE-3HT
- SNR "Таносуби сигнал ба садо" ва DR "Дипазони динамикӣ" аз 108дБ баландтар
- THD+N "THD + Noise" камтар аз 0.006% дар (8Ω, 1W, 20Hz то 20KHz)
- Равғани гармидиҳӣ лозим нест
- Самаранокӣ бештар аз 96%
- Муҳофизати пурраи ноқилҳои кӯтоҳ, муҳофизати гармӣ ва муҳофизати аз ҳад зиёд
- Комилан ҳамгироӣ ғайридавлатӣ дахолатнопазирӣ Over-Voltagд ва Under-Voltagд муҳофизат
- Пост-филтр, системаи дугонаи пӯшида барои мустақилияти сарбории баландгӯяк, бе фоидаи кам
- Бо GaN Systems SMPS GS-EVB-AUD-SMPS2-GS мувофиқ аст
- Натиҷаи сtages бо 100V Ҳолати такмилдиҳии GaN транзисторҳои GS61008P
Манфиатҳо
- Аудио дараҷаи баландсифати Class-D Ampтарҳи истинод ба лифофа
- Системаҳои аудиоии Синфи D хурдтар ва самараноктарро фаъол месозад
- Овоздиҳии олӣ ва сифати хеле баланди аудио
- Наздиктарин сигнали аудио ба манбаи садо
- Кам кардани андоза ва вазни система
- Камшавии гардиши гармӣ
- Тарҳрезии бехатар ва устувор бо хусусиятҳои муҳофизати зебо аз шикастҳои зараровар
- Тарҳрезии боэътимод бо хусусиятҳои барқарорсозии худкор
- Оптимизатсия барои хароҷот
- Замимаи осон ба шасси бо стендҳои 8 мм ва винтҳои васлкунӣ
- Бо тарҳи пурраи ҶДММ GaN Systems + PFC SMPS мувофиқ аст, ки 20% коҳиши ҳаҷм ва 5% кам кардани арзиши БоМро таъмин мекунад.
- Хусусиятҳои GaN имкон медиҳанд, ки ҷараёни баланд, ҳаҷми баландtage вайроншавӣ ва басомади баланди гузариш. Бастабандии хурди GaNPX аз GS61008P имкон медиҳад, ки индуктивии паст ва муқовимати гармии паст дошта бошад ва гузариши хеле самараноки қувваи барқро таъмин кунад.
Расми 1 GS-EVM-AUD-AMPМодули арзёбии CL1-GS
Мушаххасоти техникии GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS
Шароити тавсияшавандаи кор
| Параметр | Мин. | Навъи. | Макс. | Воҳиди | Қайдҳо |
| Таъмини барқ Voltage | +/-20 | – | +/-32 | V | Undervolvoltagд @+/-20V |
| Импеданси сарборӣ | 2 | – | – | Ω | |
| Импеданси манбаъ | – | – | 10 | кОм | |
| Иқтидори таъмини нерӯи самаранок | 1000 | – | – | мФ | Дар як роҳи оҳан, як amp. модул |
Рейтингҳои максималии мутлақ
| Параметр | Рейтинг | Воҳиди | Қайдҳо |
| Таъмини барқ Voltage | +/-37 | V | Беш аз ҷилдtage баста |
| Қуллаи ҷараёни баромад | 20 | A | Макс. Маҳдудияти ҷорӣ @18A |
| Ҳарорати муҳити зист | 25 | °C | Фаъолияти муқаррарӣ бе гармкунак |
| Ҳарорати гармидиҳанда | 90 | °C | Мумкин аст, ки гармкунак талаб карда шавад |
Маълумот оид ба иҷроиш
Таъмини нерӯ = +/- 32VDC; Сарборӣ = 8Ω
| Параметр | Мин. | Навъи. | Макс. | Воҳиди | Қайдҳо |
| Қувваи баромад | 200 | – | – | W | THD <0.03% |
| Ғалат кардан | – | – | 0.04 | % | THD+N, 1КГц, 200Вт |
| Садои баромад | 108 | – | – | dB | Номатлуб, 200W/8Ω |
| Ҷавоби басомад | 10 | – | 20к | Hz | +/- 0.5 дБ |
| Ҷилдиtagд фоида | +25.5 | +26 | +26.5 | dB | |
| Маҳдудияти ҷорӣ | 15 | 16 | 18 | A | |
| Рад кардани таъминоти барқ | +65 | dB | Ё роҳи оҳан |
Хусусиятҳои вуруди аудио
| Параметр | Мин. | Навъи. | Макс. | Воҳиди | Қайдҳо |
| Импеданси вуруд | – | 100 | – | кОм | Ё вуруд ба замин |
| Радди умумӣ | – | 75 | – | dB | 20Гц то 20кГц |
Тарҳбандии PCB ва пайвастҳои модул
Тасвири 2 Тарҳбандии PCB ва Пайвастҳои модул
SMPS мувофиқ: GS-EVB-AUD-SMPS2-GS
Тавсифи
GaN Systems Гузариш Таъмини барқ GS-EVB-AUD-SMPS2-GS Шӯрои арзёбии GS-EVBAUD-SMPS2-GS Шӯрои арзёбии | GaN Systems бо GaN Systems Open Loop Analog Class-D мувофиқ аст AmpМодули баландбардори GS-EVM-AUD-AMPOL1-GS. Ин SMPS барои тарҳрезии мукаммали таъминоти барқи ҶДММ бо ислоҳи омили барқ (PFC) замина фароҳам меорад. Бо усулҳои пешрафтаи назорати рақамӣ дар якҷоягӣ бо режими такмилдиҳии 650V GaN E-HEMT назорат карда мешавад, SMPS тамоми ҷузъҳо ва зерсистемаҳои заруриро барои ҳаҷми пурра ва мувофиқ дар бар мегирад.tagд таъминоти барқ. Қувваро тавассути тарҳрезии ҷузъҳои магнитӣ ва таъмини гармидиҳии дуруст ва идоракунии гармӣ ба осонӣ миқёс кардан мумкин аст.
Хусусиятҳо ва манфиатҳо
- Вуруди хати универсалии AC ҷилдиtagд (85 В – 264 В)
- +/-32 VDC танзимшавандаи баромади Ҳаҷмtage
- 400Вт қувваи доимии баромад
- Зиёда аз 90% самаранокии пурборкунӣ
- Тарҳи бе мухлиси худкор (аз AC Line Input) бидуни таъминоти доимии беруна
- Ҳадди ақали ҷузъҳои беруна аз ҳисоби сатҳи баланди ҳамгироӣ бо D2Audio Controller/DSP
- Самаранокии баланд дар доираи васеи сарборӣ бо истифода аз GaN Systems GaN E-HEMTs ва усулҳои пешрафтаи назорат ба даст оварда мешавад.
- Тавассути аз нав тарроҳии магнитӣ, интихоби дурусти GaN Systems GaN EHEMTS ва идоракунии гармӣ ба осонӣ ба қудрати баландтар интиқол дода мешавад.
- Насли ояндаи GaN Systems E-HEMTS такмилдиҳии системаро дар зер таъмин мекунад
- 20% камшавии ҳаҷми
- 5% кам кардани арзиши БоМ
Маълумот дар бораи фармоиш
Маълумот дар бораи фармоиш дар ҷадвали 1 оварда шудааст:
Аз куҷо харидани | Системаҳои GaN
Љадвали 1 P/N ва Тавсифи
| ҚИСМИ РАКАМИ | ТАВСИФИ |
| GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS | Ampлифт: 200Вт барои як канал x 2 ба 8Ω, Калиди калидии бастаи ҳалқаи аналогии Class-D AmpМодули ҳаётбахш |
| GS-EVB-AUD-SMPS2-GS | Манбаи барқ: 400W ҶДММ Гузариш режими Таъмини барқ в / PFC |
| GS61008P | 100V, 90A, GaN E-rejim, бастаи GaNPX®, Поён хунукшуда |
| GS-065-011-2-L | 650V, 11A, GaN E-режим, 8×8 PDFN, Поён хунукшуда |
| GS-065-030-2-L | 650V, 30A, GaN E-режим, 8×8 PDFN, Поён хунукшуда |
Шӯрои арзёбӣ/маҷмӯа Огоҳии муҳим
GaN Systems Inc. (GaN Systems) маҳсулот(ҳо)-и замимашударо дар шароитҳои зерини ТОҶИКИСТОН таъмин мекунад:
Ин шӯрои арзёбӣ/маҷмӯае, ки аз ҷониби GaN Systems фурӯхта ё пешниҳод карда мешавад, ТАНҲО барои РУШДИ муҳандисӣ, намоиш ва ё баҳодиҳӣ пешбинӣ шудааст ва аз ҷониби GaN Systems маҳсулоти ниҳоӣ барои истифодаи умумии истеъмолкунанда ҳисобида намешавад. Ҳамин тариқ, моли фурӯхташуда ё пешниҳодшуда аз нуқтаи назари муҳофизати тарҳрезӣ, маркетинг ва/ё истеҳсолот, аз ҷумла, аммо бо маҳдуд накардани чораҳои бехатарии маҳсулот ва чораҳои экологӣ, ки одатан дар маҳсулоти ниҳоӣ мавҷуданд, мукаммал нестанд. чунин ҷузъҳои нимноқил ё тахтаҳои ноҳиявиро дохил кунед. Ин шӯрои арзёбӣ/маҷмӯа ба доираи дастурҳои Иттиҳоди Аврупо оид ба мутобиқати электромагнитӣ, моддаҳои маҳдуд (RoHS), коркарди такрорӣ (WEEE), FCC, CE ё UL дохил намешавад ва бинобар ин метавонад ба талаботи техникии ин дастурҳо ҷавобгӯ набошад, ё дигар қоидаҳои дахлдор. Агар ин шӯрои арзёбӣ/маҷмӯа ба мушаххасоти дар Дастури техникӣ нишондодашуда мувофиқат накунад, тахта/маҷмӯа метавонад дар давоми 30 рӯз аз рӯзи таҳвил барои баргардонидани маблағи пурра баргардонида шавад. Кафолати дар боло овардашуда КАФОЛАТИ ИСТИСНОИИ АЗ ҷониби фурӯшанда ба харидор додашуда буда, бар ивази ТАМОМИ КАФОЛАТҲОИ ДИГАР, ИЗҲОР, МАСЪАЛӢ ѐ ҚОНУНӢ, АЗ ҶУМЛА ҲАР КАФОЛАТҲОИ КОРҲОИ ТИҶОРАТӢ АСТ. ҒАЙР аз андозаи ин ҷуброн, ҲЕҶ ТАРАФ БАРОИ ЯГОН ЗАРАРИ ҒАЙРОМИ, МАХСУС, ТАСОДУФА ѐ ПОКИБОНӢ ҶАВОБГАР НАМЕШАВАД. Истифодабаранда тамоми масъулият ва масъулиятро барои коркарди дуруст ва бехатари мол ба дӯш мегирад. Ғайр аз он, корбар GaN Systems-ро аз ҳама даъвоҳое, ки аз коркард ё истифодаи мол бармеоянд, ҷуброн мекунад. Аз сабаби сохтори кушоди маҳсулот, масъулияти корбар барои андешидани тамоми чораҳои эҳтиётии марбут ба разряди электростатикӣ мебошад. Дар доираи ягон ҳуқуқи патентӣ ё дигар ҳуқуқи моликияти зеҳнии GaN Systems ҳеҷ гуна Литсензия дода намешавад. GaN Systems барои кӯмак ба барномаҳо, тарҳрезии маҳсулоти муштарӣ, иҷрои нармафзор ё вайрон кардани патентҳо ё дигар ҳуқуқҳои моликияти зеҳнии ҳама гуна навъҳо масъулиятро ба дӯш мегирад. Дар айни замон GaN Systems ба мизоҷони гуногун барои маҳсулот дар саросари ҷаҳон хидмат мерасонад ва аз ин рӯ ин транзаксия истисноӣ нест. Лутфан, пеш аз коркарди маҳсулот Дастури техникӣ ва махсусан огоҳиномаҳои Огоҳӣ ва Маҳдудиятҳоро дар Дастури техникӣ хонед. Шахсоне, ки бо маҳсулот(ҳо) кор мекунанд, бояд омӯзиши электрониро дошта бошанд ва стандартҳои хуби муҳандисиро риоя кунанд. Ин огоҳинома дорои маълумоти муҳими бехатарӣ дар бораи ҳарорат ва ҷtages. Барои нигарониҳои минбаъдаи бехатарӣ, лутфан бо дастаи муҳандисии GaN Systems тамос гиред.
GaN Systems Inc.
www.gansystems.com
Огоҳии муҳим - Агар аз ҷониби намояндаи ваколатдори GaN Systems ба таври хаттӣ тасдиқ нашуда бошад, ҷузъҳои GaN Systems барои истифода дар наҷотбахш, ҳаёт, ҳарбӣ, ҳавопаймо ё кайҳонӣ, инчунин дар маҳсулот ё системаҳое тарҳрезӣ, ваколатдор ё кафолат дода намешаванд. нокомӣ ё корношоямӣ метавонад боиси ҷароҳати ҷисмонӣ, марг ё зарари молу мулк ё муҳити зист гардад. Маълумоте, ки дар ин ҳуҷҷат оварда шудааст, набояд ба ҳеҷ ваҷҳ кафолати иҷроиш ҳисобида шавад. GaN Systems бо ин ҳама ё ҳама кафолатҳо ва ӯҳдадориҳои ҳама гуна намудҳоро рад мекунад, аз ҷумла, вале бо маҳдуд накардани кафолатҳои нақзи ҳуқуқҳои моликияти зеҳнӣ. Ҳама дигар номҳои бренд ва маҳсулот тамғаҳои молӣ ё тамғаҳои бақайдгирифтаи соҳибони мувофиқ мебошанд. Маълумоте, ки дар ин ҷо оварда шудааст, танҳо ҳамчун дастур пешбинӣ шудааст ва бидуни огоҳӣ тағир дода мешавад. Маълумоти дар ин ҷо мавҷудбуда ё ҳама гуна истифодаи чунин маълумот ба ягон тараф ба таври возеҳ ё ғайримустақим ягон ҳуқуқҳои патентӣ, иҷозатнома ё дигар ҳуқуқҳои моликияти зеҳнӣ намедиҳад. Шартҳои фурӯш ва шартҳои умумӣ татбиқ мешаванд.
© 2022 GaN Systems Inc.
www.gansystems.com
Ҳуҷҷатҳо / Сарчашмаҳо
 |
Системаҳои GaN GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS Доираи пӯшидаи аналогии Синфи D AmpМодули ҳаётбахш [pdf] Дастури корбар GS-EVM-AUD-AMPШӯрои арзёбии CL1-GS, GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS Доираи пӯшидаи аналогии Синфи D AmpМодули баландбардорӣ, GS-EVM-AUD-AMPCL1-GS, Доираи пӯшидаи аналогии Синфи D AmpМодули ҳаётбахш |
