지능형 메모리 DRAM 구성 요소 사용 설명서

INTELLIGENT MEMORY DRAM Components Owner’s Manual

지능형 메모리 DRAM 구성 요소 사용 설명서

지능형 메모리 DRAM 구성 요소 - 첫 페이지

IM제품은 산업용 전자 애플리케이션에 대한 가장 극심한 요구 사항을 충족하도록 설계되었으며, 상상할 수 있는 거의 모든 온도와 속도에서 작동합니다. 당사는 상업적 신뢰성과 품질에 대한 표준을 초과하는 DRAM 구성 요소의 고유한 제품을 제공합니다.

인텔리전트 메모리는 단일 칩 선택 기능을 갖춘 최초의 DDR3 DDP 8Gb 메모리 IC를 출시했을 뿐만 아니라, 다양한 DRAM 제품 범주에 걸쳐 몇 가지 희귀한 밀도, 구성, 기능 및 패키지 유형을 선보였습니다.

  • 30년 넘게 산업용 및 임베디드 애플리케이션용 메모리 솔루션을 제공해 왔습니다.
  • 표준에서 특별으로, 레거시에서 주류로
  • 지속적인 지원으로 긴 제품 수명
  • 사내 제품 설계 및 테스트 기능
  • 다양한 솔루션에 걸쳐 사용자 정의 가능한 구성과 기능이 풍부한 제품
  • ECC 및 등록 기능 지원 제품
  • 안정적인 제품 변경 관리 프로세스

DRAM 제품군

LPDDR4(x)

  • 낮은 볼륨tage 전원 공급 장치 1.8V, 1.1V
  • 1.1V(LPDDR4) 또는 0.6V(LPDDR4x)의 I/O
  • 4Gb부터 64Gb까지의 밀도
  • 4Gb 및 8Gb를 갖춘 통합 ECC 오류 수정
  • 최대 4266Mbps의 고속 데이터 전송, 상업 및 산업 등급으로 제공
  • 저전력을 위한 모바일 기능
  • ZQ 교정

DDR4

  • 이중 데이터 속도 클로킹 타이밍, 1.2V 전원 공급
  • 지원됨:
    – 데이터 버스 반전(DBI)
    – 쓰기 사이클 중복 검사(CRC)
    – 동적 ODT(On-Die Termination)
    – 세부적인 세분성 새로 고침 모드
  • 최대 3200MHz의 고속 데이터 전송
  • 4Gb와 8Gb를 사용할 수 있습니다

3세대

  • 낮은 볼륨tage 전원 공급 장치 1.8V(VDD1) 및 1.22V(VDD2, VDDQ)
  • 8Gb x32(1랭크) 및 16Gb x32(2랭크) 밀도를 사용할 수 있습니다.
  • 상업용 등급으로 최대 1866Mbps의 고속 데이터 전송
  • 프로그래밍 가능한 드라이버 강도
  • 자동 온도 보정 자체 새로 고침
  • 심층 전원 차단 모드
  • JEDEC 표준 패키지 178볼 FBGA

DDR3

  • 이중 데이터 속도 클로킹 타이밍, 1.35V 또는 1.5V 전원 공급 장치
  • 쓰기 명령에 대한 바이트당 데이터 마스킹
  • 프로그래밍 가능한 버스트 길이 및 CAS 대기 시간
  • 자동 새로 고침 및 자체 새로 고침
  • 지원되는 OCD(Off-Chip Driver 임피던스)
  • 지원되는 ODT(On-Die Termination)
  • 최대 1866Mbps의 고속 데이터 전송, 상업 및 산업 등급으로 제공
  • 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb 및 16Gb가 제공됩니다.
  • 레벨링을 쓰세요
  • 1Gb에 대해 통합 ECC 오류 수정이 가능합니다.

DDR2

  • 이중 데이터 속도 클로킹 타이밍, 1.8V 전원 공급
  • SSTL_18 호환 입력
  • 프로그래밍 가능한 버스트 길이 및 CAS 대기 시간
  • 자동 새로 고침 및 자체 새로 고침
  • 지원되는 OCD(Off-Chip Driver 임피던스)
  • 지원되는 ODT(On-Die Termination)
  • 최대 1066MHz의 고속 데이터 전송
  • 512Mb, 1Gb 및 2Gb를 사용할 수 있습니다.
  • 1Gb에 대해 통합 ECC 오류 수정이 가능합니다.

DDR

  • 이중 데이터 속도 클로킹 타이밍, 2.5V 전원 공급
  • SSTL_2 호환 입력
  • 프로그래밍 가능한 버스트 길이 및 CAS 대기 시간
  • 자동 새로 고침 및 자체 새로 고침
  • 최대 400MHz의 고속 데이터 전송, 상업, 산업 및 자동차 등급에서 사용 가능
  • TSOP II 및 BGA 패키지로 256Mb, 512Mb 및 1Gb
  • 1Gb에 대해 통합 ECC 오류 수정이 가능합니다.

SD램

  • 풀 동기 DRAM, 3.3V 전원 공급
  • 자동 새로 고침 및 자체 새로 고침
  • 프로그래밍 가능한 버스트 길이:
    – 순차적 유형의 경우 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지
    – 인터리브 유형의 경우 1, 2, 4, 8
  • 최대 200MHz의 고속 데이터 전송, 상업용, 산업용 및 자동차용 등급으로 제공
  • TSOP II 및 BGA 패키지로 64Mb, 128Mb, 256Mb 및 512Mb
  • 통합 ECC 오류 수정 가능

지능형 메모리 DRAM 구성 요소 - DRAM 구성 요소

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2023년 XNUMX월
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문서 / 리소스

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Owner's Manual · LPDDR4, DDR4, LPDDR3, DDR3, DRAM Components, DRAM, Components

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