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NXP UM12117 HVBMS 硬件参考设计

NXP-UM12117-HVBMS 硬件参考设计产品

文档信息

信息 内容
关键词 高音量tage 电池管理系统、HVBMS、电池管理单元、BMU、电池测量单元、CMU、电池接线盒、BJB、电池储能系统、BESS、晶体管-晶体管逻辑、TTL、控制器局域网络灵活数据速率、CAN FD、电气传输协议链路、ETPL、联合测试接入组、JTAG,图形用户界面,GUI,推荐标准485,RS-485
抽象的 本文档旨在帮助您开始使用 BESS1500BUN HVBMS 硬件参考设计。

重要通知

重要通知

仅用于工程开发或评估目的

恩智浦在以下条件下提供产品:

该评估套件或参考设计仅供工程开发或评估之用。

它提供为ampIC 预先焊接到印刷电路板上,以便更轻松地访问输入、输出和电源端子。 该评估套件或参考设计可与任何开发系统或其他 I/O 信号源配合使用,只需通过现成的电缆将其连接到主机 MCU 或计算机板即可。 应用中的最终器件在很大程度上取决于正确的印刷电路板布局和散热设计以及对电源滤波、瞬态抑制和 I/O 信号质量的关注。

所提供的产品在所需的设计、营销和/或制造相关的保护考虑方面可能不完整,包括通常在包含该产品的终端设备中发现的产品安全措施。由于产品的开放式结构,用户有责任采取所有适当的放电预防措施。为了最大限度地降低与客户应用相关的风险,客户必须提供足够的设计和操作保障措施,以最大限度地减少固有或程序性危险。如有任何安全问题,请联系恩智浦销售和技术支持服务部​​门。

介绍

RD-BESS1500BUN 是一款基于电力传输协议链路 (ETPL) 的电池储能系统 (BESS) 参考设计套件,适用于 1500 V 应用。此套件专为评估和开发目的而设计。RD-BESS1500BUN 由硬件套件和多个软件包组成。
本文档详细介绍了在图形用户界面 (GUI) 中可视化系统执行的测量的首次启动步骤。

套件内容

RD-BESS1500BUN 捆绑包包含以下物品:

  • 电池管理单元 (BMU)
    • 1 个 RD-BESSK358BMU 板
    • 1 个电源(24 V DC,3.75 A)
    • 1 根电源线
    • 1 根 ETPL 电缆
    • 1 RS-485 电缆
    • 1 根以太网线
    • 1 根控制器局域网 (CAN) 电缆
    • 1 根联锁电缆
    • 1 接触器电缆
    • 1 个安全元件天线
    • 1 个 USB 转 RS-485 转换器
  • 电池监控单元(CMU)
    • 1 个 RDBESS774A3EVB 板
    • 3 根电源线
    • 1 根 ETPL 电缆
  • 电池接线盒(BJB)
    • 1 个 RDBESS772BJBEVB 板
    • 1 根电源线
    • 6 高容量tage 测量电缆
    • 2 条热传感器电缆
    • 1 根底盘电缆
    • 1 根接地线
    • 2 霍尔传感器电缆
    • 1 根 ETPL 电缆
    • 1 个有机玻璃盖
  • 电池仿真套件
    • 1个BATT-18EMULATOR板
    • 1 个电源(5 V DC,5 A)
  • 软件和安全套件的链接

笔记: RD-BESS1500BUN 上提供 BESS 启动界面 web可视化细胞体积的网站tag首次启动时进行测量。此界面是一个与二进制匹配的 GUI file 这是在 BMU 上预闪的。

了解硬件

电池管理单元

BMU 是 BESS 的控制部分。BMU 处理数据、做出决定并指挥系统。
RD-BESSK358BMU 是适用于 1500 V 应用的 BESS 参考设计 BMU。此 BMU 套件包括一个电源和五根用于与 BESS 其他部分连接的电缆。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 1NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 2

要了解有关 RD-BESSK358BMU 的更多信息,请访问 web与此参考设计相关的网站,或阅读其 用户手册.

细胞监测单元

  • CMU 是电池管理系统 (BMS) 的电池感应部分。CMU 精确监测电池容量tag电池组和环境温度可确保电池安全运行。CMU 还可实现快速电池平衡。
  • RDBESS774A3EVB 是基于 MC33774A 电池单元控制器的 ETPL 架构的 BESS 参考设计 CMU。此 CMU 套件包含四根电缆,用于与 BESS 的其他部分连接。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 3

要了解有关 RDBESS774A3EVB 的更多信息,请访问 web与此参考设计相关的网站,或阅读其 用户手册.

电池接线盒

  • BJB 是 BESS 的电池组级传感部分。BJB 测量高电压tages。此测量允许监控接触器与逆变器和充电器的连接。BJB 还可以精确测量系统电流并监控电池与底盘的隔离。
  • RDBESS772BJBEVB 是适用于基于 ETPL 的架构的 1500 V BESS 参考设计 BJB。此 BJB 套件包含 11 根电缆,用于与 BESS 的其他部分连接。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 4 NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 5

要了解有关 RDBESS772BJBEVB 的更多信息,请访问 web与此参考设计相关的网站,或阅读其 用户手册.

电池模拟

  • 模拟细胞体积tages 和温度,RD-BESS1500BUN 包含一个 BATT-18模拟器 电池模拟器。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 6

聚碳酸酯结构

  • 为了安装捆绑板,RD-BESS1500BUN 包含一个可选的聚碳酸酯结构。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 7

首次启动

硬件要求

除了套件内容外,以下硬件在使用此套件时也很有用。

  • 一台 PC,用于运行提供的 GUI 并对 RD-BESSK358BMU 板进行编程。
  • 联合测试访问组(JTAG) 调试器对 RD-BESSK358BMU 板进行编程。推荐的调试器是 PEmicro 多链路 FX.

软件要求

除了套件内容外,以下软件在使用此套件时也很有用。

  • BMS 监控器 GUI V1.0,用于测量可视化和执行器控制

为系统供电和连接

要连接并启动系统,请完成以下步骤。

板的连接

  • 拆开套件中的所有电路板和电缆
  • 将电源线连接到 RD-BESSK358BMU (J44)
  • 将以太网电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J1)
  • 将控制器局域网络灵活数据速率 (CAN FD) 电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J12)
  • 将接触器电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J13)
  • 将联锁电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J14)
  • 连接 CMU
    • 将第一根 ETPL 电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J2) 和 RDBESS774A3EVB (J2_1)
    • 将第二根 ETPL 电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J3) 和 RDBESS774A3EVB (J2_3)
    • 将三根电源线连接到 RDBESS774A3EVB(J1_1、J1_2 和 J1_3)和 BATT-18EMULATOR(J4、J5 和 J6)
  • 连接 BJB
    • 将 ETPL 电缆连接到 RD-BESSK358BMU (J4) 和 RDBESS772BJBEVB (J9) 之间
    • 将 BJB 电源线连接到 RD-BESSK358BMU (J15) 和 RDBESS772BJBEVB (J12) 之间

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 8

为电路板供电

  • 使用提供的电源 (J18) 为 BATT-3EMULATOR 供电,从而为 CMU 供电
  • 将提供的电源连接到电源连接器 (J44) 来为 BMU 供电

使用 BMS 监控 GUI V1.0 监控系统

  • 打开BMS监控GUI V1.0(BMS_Monitor.exe)
  • 将以太网电缆从 PC 连接到 RD-BESSK358BMU (J1)
  • 使用静态 IP 配置 PC
    • 使用 Windows 搜索栏,搜索 view 网络连接
    • 单击并打开 view 网络连接
    • 选择以太网连接并打开其属性。再次,在以太网状态窗口中单击属性

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 9

对于以太网属性窗口,选择 Internet 协议版本 4 (TCP/IPv4),然后双击它,或单击属性。
按照图 11,IP 地址范围可以从 192.168.0.1 到 192.168.0.255,但 192.168.0.200 除外,该 IP 地址是 BMU 的 IP。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 10

使用相同的子网掩码,如图11所示。

  • 对于DNS服务器,您可以将其留空,或者选择“自动获取DNS服务器地址”。
  • 最后点击确定
  • 回到桌面应用程序,打开应用程序后,您将看到如图12所示的图像。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 11

  • 在BMS监控GUI V1.0中,单击TCP
  • 输入BMU的IP地址,即192.168.0.200。所有BMU的IP地址相同。
  • 输入端口号,即5001
  • 单击“连接”转到常规设置页面。

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 12

常规设置

  • 输入默认的BMU地址,即1。每个BMU选择不同的地址。
  • 输入默认读取间隔,即1。
  • 读数间隔定义了应用程序从 BMU 接收新读数的频率。
  • 定义 CMU 配置。选择“3 节电池监控芯片 (CMC)”。
  • 点击“下一步”

NXP-UM12117-HVBMS-硬件参考设计-图 13

对系统进行编程

  • 要安装开发设置并开始使用 BESS 参考设计进行编程,请参阅 RD-BESS1500BUN web地点。

参考

  1. 电池管理单元 web地点: RD-BESSK358BMU
  2. 细胞监测单元 web地点: RDBESS774A3EVB
  3. 电池接线盒 web地点: RDBESS772BJBEVB
  4. 电池模拟器 web页: BATT-18模拟器
  5. 捆 web页: RD-BESS1500BUN

修订历史

表 1. 修订历史

文档编号 发布日期 描述
UM12117 v.1 1 年 2024 月 XNUMX 日 •   初始版本

常问问题

常见问题

  • Q: RD-BESS1500BUN 套件的用途是什么?
    • A: 该套件是用于评估和开发目的的 1500 V 电池储能系统 (BESS) 的参考设计。
  • Q: 如何可视化细胞体积tag使用该系统进行测量?
    • A: 访问 RD-BESS1500BUN web与预闪存二进制文件相匹配的图形用户界面 (GUI) 站点 file 在建筑维护设备 (BMU) 上。

法律信息

定义

草稿

文档的草稿状态表明内容仍在内部重新审核中view 并须经正式批准,否则可能会有修改或补充。恩智浦半导体不对文档草稿版本中包含的信息的准确性或完整性做出任何陈述或保证,并且对使用此类信息的后果不承担任何责任。

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尽管客户可能因任何原因遭受任何损害,恩智浦半导体对本文所述产品的客户的总和累积责任应根据恩智浦半导体的商业销售条款和条件进行限制。

作出更改的权利

NXP Semiconductors 保留随时更改本文档中发布的信息的权利,包括但不限于规格和产品说明,恕不另行通知。 本文档取代并替换本文档发布之前提供的所有信息。

应用

此处描述的任何这些产品的应用仅用于说明目的。 NXP Semiconductors 不表示或保证此类应用程序将适合指定用途而无需进一步测试或修改。 客户负责使用 NXP Semiconductors 产品设计和操作其应用程序和产品,NXP Semiconductors 对应用程序或客户产品设计方面的任何协助不承担任何责任。 客户自行负责确定恩智浦半导体产品是否适用于客户的应用和计划的产品,以及客户的第三方客户的计划应用和使用。 客户应提供适当的设计和操作保护措施,以最大限度地降低与其应用程序和产品相关的风险。

恩智浦半导体不承担与基于客户应用程序或产品或客户第三方客户的应用程序或使用中的任何弱点或违约而导致的任何违约、损害、成本或问题相关的任何责任。 客户负责使用 NXP Semiconductors 产品对客户的应用程序和产品进行所有必要的测试,以避免应用程序和产品或应用程序或客户的第三方客户的使用出现违约。 恩智浦在这方面不承担任何责任。

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NXP Semiconductors 产品的销售须遵守商业销售的一般条款和条件,如发布于 https://www.nxp.com/profile/terms,除非在有效的书面个人协议中另有约定。 如果签订单独的协议,则仅适用相应协议的条款和条件。 NXP Semiconductors 特此明确反对在客户购买 NXP Semiconductors 产品时应用客户的一般条款和条件。

出口管制

本文件以及此处描述的项目可能受出口管制法规的约束。 出口可能需要主管当局的事先授权。

评估产品

本产品按“原样”和“存在所有缺陷”提供,仅供评估之用。 恩智浦半导体、其附属公司及其供应商明确否认所有明示、默示或法定的保证,包括但不限于非侵权、适销性和特定用途适用性的默示保证。 有关本产品质量或因使用或性能而产生的全部风险由客户承担。

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尽管客户可能因任何原因遭受任何损害(包括但不限于上述所有损害以及所有直接或一般损害),恩智浦半导体、其关联公司及其供应商的全部责任以及客户对上述所有情况的独家补救应仅限于客户基于合理信赖而遭受的实际损害,最高为客户为产品实际支付的金额或五美元(5.00 美元)中的较大者。 上述限制、排除和免责声明应在适用法律允许的最大范围内适用,即使任何补救措施未能达到其基本目的。

高压安全tage评测产品

非绝缘高压tag操作本产品时存在的 es,构成触电、人身伤害、死亡和/或起火的风险。 本产品仅供评估之用。 应由根据当地要求和劳动法合格的人员在指定的测试区域操作,以使用非绝缘电源 voltages 和高音量tage 电路。

该产品不符合基于 IEC 60950 的国家或地区安全标准。 恩智浦半导体对因不当使用本产品或与非绝缘高电压相关的损害不承担任何责任tages。 使用本产品的风险和责任由客户自行承担。 客户应完全赔偿 NXP Semiconductors 因使用该产品而导致的任何责任、损害和索赔,并使 NXP Semiconductors 免受损害。

翻译

文件的非英文(翻译)版本,包括该文件中的法律信息,仅供参考。 如果翻译版本与英文版本之间存在任何差异,则以英文版本为准。

安全

客户了解所有 NXP 产品都可能存在未识别的漏洞,或者可能支持具有已知限制的既定安全标准或规范。 客户负责其应用程序和产品整个生命周期的设计和操作,以减少这些漏洞对客户应用程序和产品的影响。 客户的责任还延伸至恩智浦产品支持的用于客户应用的其他开放和/或专有技术。 恩智浦对任何漏洞不承担任何责任。 客户应定期检查 NXP 的安全更新并适当跟进。

客户应选择最符合预期应用的规则、法规和标准的安全功能的产品,并对其产品做出最终的设计决策,并全权负责遵守与其产品有关的所有法律、法规和安全相关的要求,无论恩智浦可能提供什么信息或支持。

恩智浦有一个产品安全事件响应团队 (PSIRT)(可在 PSIRT@nxp.com) 负责管理恩智浦产品安全漏洞的调查、报告和解决方案发布。

适合工业应用(功能安全)

此 NXP 产品已通过工业应用认证。该产品根据 IEC 61508 开发,并已进行相应的 SIL 分类。如果客户在开发或整合以下产品或服务时使用本产品:(a) 用于安全关键应用或 (b) 故障可能导致死亡、人身伤害或严重物理或环境损害(此类产品和服务在下文中称为“关键应用”),则客户对其产品做出最终设计决策,并全权负责遵守与其产品相关的所有法律、法规、安全和安保相关要求,无论 NXP 可能提供何种信息或支持。因此,客户承担在关键应用中使用任何产品的所有风险,NXP 及其供应商对客户的任何此类使用不承担任何责任。因此,客户将保证恩智浦免受因客户将任何产品纳入关键应用程序而产生的任何索赔、责任、损害及相关成本和费用(包括律师费)。

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商标

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文档反馈

发布日期:1 年 2024 月 XNUMX 日
文档标识符:UM12117

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文件/资源

NXP UM12117 HVBMS 硬件参考设计 [pdf] 用户手册
RD-BESS1500BUN,UM12117,UM12117 HVBMS 硬件参考设计,UM12117 硬件参考设计,HVBMS 硬件参考设计,硬件参考设计,HVBMS

参考

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