Single N-Channel Manuals & User Guides

onsemi NVLJWS5D0N03CL Power Single N Channel მფლობელის სახელმძღვანელო

11 წლის 2024 სექტემბერი

onsemi NVLJWS5D0N03CL სიმძლავრის ერთი N არხის სპეციფიკაციები პროდუქტის დასახელება: MOSFET - სიმძლავრე, ერთარხიანი ოპერაციული მოცულობაtage: 30 V დენის გაფრქვევა: 4.2 მვტ უწყვეტი გადინების დენი: 77 A მოდელის ნომერი: NVLJWS5D0N03CL პროდუქტის მახასიათებლები Drain-to-Source Vol.tage: 30 V Gate-to-Source Voltage: V Continuous…

ბრენდი: ონსემი

onseml NTMTS1D2N08H Mosfet Power Single N Channel მფლობელის სახელმძღვანელო

15 წლის 2024 აგვისტო

ანსამბლი NTMTS1D2N08H Mosfet Power Single N Channel პროდუქტის სპეციფიკაციები პროდუქტის დასახელება: MOSFET - სიმძლავრე, ერთარხიანი N-Channel მოდელის ნომერი: NTMTS1D2N08H Drain-to-Source Vol.tage (VDSS): 80 V Continuous Drain Current (ID): 335 A Power Dissipation (PD): 1.1 mW Product Usage Instructions Features The…

Brand: onseml

ON ნახევარგამტარული NVBLS0D5N04C MOSFET სიმძლავრე, ერთარხიანი ინსტრუქციები

13 წლის 2024 აგვისტო

MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 40 V, 0.57 mΩ, 300 A NVBLS0D5N04C www.onsemi.com NVBLS0D5N04C MOSFET Power, Single N-Channel V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 40 V 0.57 mΩ @ 10 V 300 A ORDERING INFORMATION Device Package Shipping† NVBLS0D5N04CTXG H−PSOF8L (Pb−Free)…

ბრენდი: ON Semiconductor

onsemi NTMFS4C022N MOSFET Power Single N-Channel მომხმარებლის სახელმძღვანელო

15 წლის 2024 თებერვალი

onsemi NTMFS4C022N MOSFET Power Single N-Channel პროდუქტის ინფორმაცია სპეციფიკაციები: Drain-to-Source Vol.tage (VDSS): 30 V Gate-to-Source Voltage (VGS): 20 V Continuous Drain Current (ID): 136 A Steady PD: 64 W Pulsed Drain Current: 900 A Operating Junction and Storage Temperature Range:…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NTMFS5C646NL MOSFET Power Single N-Channel მფლობელის სახელმძღვანელო

16 წლის 2024 იანვარი

onsemi NTMFS5C646NL MOSFET Power Single N-Channel Owner's Manual Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NTMFS5H610NL MOSFET Power Single N-Channel ინსტრუქციის სახელმძღვანელო

14 წლის 2023 იანვარი

onsemi NTMFS5H610NL MOSFET Power Single N-Channel   MOSFET – Power, Single, N-Channel 60 V, 10 m, 44 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NTMFS5H400NL MOSFET Power Single N-Channel ინსტრუქციები

14 წლის 2023 იანვარი

onsemi NTMFS5H400NL MOSFET Power Single N-Channel Instructions Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NTMFS5C612N Power Single N-Channel ინსტრუქციები

14 წლის 2023 იანვარი

onsemi NTMFS5C612N Power Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NTMFS5C430NL MOSFET Power Single N-არხიანი ინსტრუქციები

14 წლის 2023 იანვარი

onsemi NTMFS5C430NL MOSFET Power Single N-Channel MOSFET – Power, Single,N-Channel 40 V, 1.4 m, 200 A Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices…

ბრენდი: ონსემი

onsemi NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET Power Single N-Channel ინსტრუქციები

14 წლის 2023 იანვარი

onsemi NVMFS3D6N10MCLT1G MOSFET Power Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFWS3D6N10MCL − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection AEC−Q101 Qualified and…

ბრენდი: ონსემი